电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计划增加“MUF”芯片制造技术，用于生产HBM（高带宽内存）芯片。但是三星在随后的声明中称，关于三星将在其HBM
2024-03-14 00:17:00
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电子发烧友网站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L内存电源解决方案同步降压控制器TPS51216数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:58:12
0 电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:53:030 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
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2024-03-13 10:16:450 随着人工智能（AI）技术的飞速发展，对高性能内存的需求也日益增长。特别是高带宽内存（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取内存（DDR5）等高端DRAM产品，正受到市场的热烈追捧。为了顺应这一
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息，美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲，介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24190 根据需求进行重新配置，而ASIC一旦制造完成，其功能就无法更改。
开发周期和成本 ：FPGA的开发周期相对较短，成本较低，适合原型验证和小批量生产。而ASIC的开发周期长，成本较高，但大批量生产时具有
2024-02-22 09:54:36
随着电子制造行业的快速发展，多品种、小批量生产模式逐渐成为主流。在这一背景下，贴片机作为电子制造中的关键设备，其应用研究显得尤为重要。本文旨在探讨基于多品种小批量生产模式下的贴片机应用，分析其特点、挑战及应对策略，并通过实际案例加以阐述。
2024-01-19 10:20:47228 
值得关注的是，三星已不再从事 NOR flash、DDR3 等工艺成熟的存储芯片加工，转而转向使用华邦生产的产品。近期，随着 NOR flash 和 DDR3 的市场行情有所好转，华邦与三星依然保持着紧密合作
2024-01-15 09:34:03287 DDR6和DDR5内存的区别有多大？怎么选择更好？ DDR6和DDR5是两种不同的内存技术，它们各自在性能、功耗、带宽等方面都有不同的特点。下面将详细比较这两种内存技术，以帮助你选择更适合
2024-01-12 16:43:052849 KT6368A双模蓝牙芯片批量生产使用主机芯片测试很方便
KT6368A批量生产怎么办？不可能用手机一个一个的去连吧，太慢了
别慌，这个问题，我们早就考虑清楚了，答案如下，分为两个方法：
2024-01-11 12:01:00147 
使用13.5nm波长的光进行成像的EUV光刻技术已被简历。先进的逻辑产品依赖于它，DRAM制造商已经开始大批量生产。
2023-12-29 15:22:31172 请问ADE7763，在批量生产的时候如何校准？
2023-12-27 07:41:51
）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 13:58:55
从设计到生产，PCB小批量生产解密
2023-12-20 11:15:47348 NanoCleave™ 层释放系统，这是第一个采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave系统采用红外(IR)激光，在经过验证的大批量制造(HVM)平台上结合专门配制
2023-12-13 17:26:46489 
线路板生产该选大批量还是小批量？
2023-12-13 17:22:10332 三星dram的营业利润在第三季度约增加15.9%，达到52.5亿美元，市场占有率为38.9%，占据首位。三星对ai高用量产品的需求不断增加，1alpha nm ddr5的批量生产也呈现良好势头。
2023-12-05 17:07:08461 
trendforce表示，第三季度三家企业的营业利润均有所增加，由于ai话题的扩散，对高用量产品的需求保持稳定，而且在批量生产1 alpha nm ddr5以后价格也有所上升，从而使三星第三季度dram销售额增长15.9%，约52.5亿美元。
2023-12-05 10:19:53297 
三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时，管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 随着DDR5信号速率的增加和芯片生产工艺难度的加大，DRAM内存出现单位错误的风险也随之增加，为进一步改善内存信道，纠正DRAM芯片中可能出现的位错误，DDR5引入了片上ECC技术，将ECC集成到DDR5芯片内部，提高可靠性并降低风险，同时还能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
法人指出，标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导，台厂在芯片制造端无法与其抗衡，仅模组厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹列车
2023-11-22 15:41:18139 法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 随着工业界开始大批量生产下一代PoP器件，表面组装和PoP组装的工艺及材料标准必须随之进行改进。
2023-11-01 09:46:08419 
DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 在集中削减DDR4产量的同时，主要DRAM芯片制造商正在迅速转向利润更高的DDR5生产。预计到2023年底，他们的DDR5内存bit销售额合计将占bit销售额总额的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
在2023年2月在国际学会ISSCC上，三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下图左）和硅芯片（下图右）。
2023-10-29 09:46:58783 
MCU批量生产下载程序的几种常见方法
2023-10-24 17:22:46831 
三星电子在此次会议上表示：“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram，目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外，三星正在准备10纳米dram的新的3d构架，并计划为一个芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 我们在买DDR内存条的时候，经常会看到这样的标签DDR3-1066、DDR3-2400等，这些名称都有什么含义吗？请看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441478 
覆盖45nm至7nm，预计相关产品最早于2024年下半年获得订单，2025年将进入大批量生产阶段。 什么是硅光子技术 硅光子技术用激光束代替电子信号传输数据，是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术。英特尔实验室通过混合硅激光
2023-09-19 01:27:001662 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:08996 以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3带宽计算之前，先弄清楚以下内存指标。
2023-09-15 14:49:462497 
9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18206 辰显光电TFT基Micro-LED生产线面积约53亩，生产线均采用自主设计，引进多台“第一套”量产设备。该项目计划在2024年底实现大批量生产，生产线将最先配置大型商业展示领域。
2023-09-13 10:36:04348 2022年第四季度DRAM行业营收环比下降超过三成，跌幅超过2022年第三季度。2022年第四季度DDR4内存价格环比下降23-28%，DDR5内存价格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
日前有信息称，三星将采用 12纳米 (nm) 级工艺技术，生产ERP开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而这样就可以在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍。
2023-09-04 10:53:46470 本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
我们都知道3C电子产品，如：手机、笔记本电脑、平板、电子手表等等，通常都会是大批量生产的，并且在生产的过程中也会使用到大量的PCB板。那么，你是否知道大批量生产PCB板是如何实现品质溯源
2023-08-25 15:02:26667 
MCU200T的DDR3在官方给的如下图两份文件中都没有详细的介绍。
在introduction文件中只有简略的如下图的一句话的介绍
在schematic文件中也没有明确表明每个接口的具体信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3时，一些关键参数的选择在手册中并没有给出，以及.ucf引脚约束文件也没有提供，请问这些信息应该从哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4内存。DDR5（第五代双倍数据率）和DDR4（第四代双倍数据率）是两种不同规格的内存技术，它们在电气特性和引脚布局上存在明显差异。因此，DDR5内存模块无法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4内存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 xilinx平台DDR3设计教程之设计篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下内存设备：
•双倍数据速率3（DDR3）SDRAM。
•低压DDR3 SDRAM。
•双倍数据速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
随着5G的发展，我们完全致力于与领先的制造商合作，开发创新的测试和测量方法，这些方法将支持实现其令人兴奋的希望所需的庞大基础架构。这是要解决的3个挑战。
2023-08-01 16:38:49316 随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道，尽管受NAND和DRAM市场拖累，三星电子业绩暴跌，但该公司已开始生产其第三个3nm芯片设计，产量稳定。根据该公司二季度报告，当季三星
2023-07-31 10:56:44480 DDR是运行内存芯片，其运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法。 DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 大约一年前，三星正式开始采用其 SF3E（3nm 级、早期全栅）工艺技术大批量生产芯片，但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。
2023-07-19 17:13:331010 DDR是Double Data Rate的缩写，即“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
台积电董事长魏哲家近日在股东大会上表示：“台积电先进工程在南京批量生产3纳米工程后，将致力于扩充生产能力。目前正在建设2纳米工厂，预计2025年批量生产。”他首次表示，1.4纳米工程的下一代也将在
2023-06-27 09:36:58400 本设计笔记显示了用于工作站和服务器的高速内存系统的双倍数据速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/电缆调制解调器电源，电路产生等于并跟踪VREF的终止电压（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
和 DQS Gate Training
➢DDR3 最快速率达 800 Mbps
三、实验设计
a. 安装 DDR3 IP 核
PDS 安装后，需手动添加 DDR3 IP，请按以下步骤完成：
（1
2023-05-31 17:45:39
我正在使用带有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 连接到 T1040 处理器 DDR 控制器。
我尝试了这个序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校验错误：
步骤1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供应XPD320B 20w协议芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 协议，广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-30 14:24:29
供应XPD319BP18 三星18w快充协议芯片支持三星afc快充协议-一级代理富满，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:37:36
供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ，广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46
高性价比。全新LUT5结构，集成RAM、DSP、ADC、SERDES、DDR3等丰富的片上资源，支持多种标准IO，LVDS、MIPI接口等，广泛应用于工业控制、通信、消费类等领域，是大批量、成本敏感型项目的理想选择。
2023-05-25 14:30:282217 
S32G3开发板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我们的开发板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 开发板简介
MES50HP 开发板集成两颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
在 i.MX6 SOLO 中有没有办法读取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
u-boot 自动启动延迟 = -2 OK（在 imx8mm_evk.k 中） 但我不想 u-boot 写入串行，我怎样才能用 yocto 永久实现这个？2 - 静默内核如何使用 quiet args（始终使用 Yocto）和永久（用于批量生产）设置 bootargs。
2023-04-20 06:31:26
传统意义上的机械层面“多合一”——将电机+电控+齿轮传动系统等集于一体早已不是什么新闻了，Mode 3甚至早已实现大批量生产。
2023-04-11 09:54:18677 DDR内存1代已经淡出市场，直接学习DDR3 SDRAM感觉有点跳跃；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之间的对比。
2023-04-04 17:08:472867 
TRUMPF（通快）的目标是采用最先进的大批量生产工艺制造短波红外（SWIR）VCSEL，实现稳定可靠且性能卓越的产品。
2023-04-04 10:49:161454 我们使用 10*MT40A1G16 获得 16GB 内存，一个 ddr 控制器连接 8GB。三个问题：1)在codewarrior ddr config上，我们应该选择什么dram类型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
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