这份由英特尔提交给该州政府的报告指出，其在俄亥俄州的Fab1和Fab2工厂将分别于2026至2027年度竣工，约一年后就能正式投入使用。
2024-03-19 15:45:45
76 来源：Silicon Angle 英特尔公司已获得以色列政府32亿美元的拨款，用于在该国建造一座价值250亿美元的新芯片工厂。 该公司近日宣布了这项交易。根据协议条款，英特尔在以色列的税率将从目前
2024-01-02 15:31:41108 FMD辉芒微FT61EC23-RB原装单片机IC芯片SOP14封装断电记忆芯片。FMD辉芒微FT61EC23-RB原装单片机IC芯片SOP14封装断电记忆芯片是一款在许多电子设备中广泛应用的核心元件
2023-12-29 20:46:12
FMD辉芒微FT61EC22A-RB原装单片机IC芯片SOP14封装断电记忆芯片FMD辉芒微FT61EC22A-RB原装单片机IC芯片SOP14封装断电记忆芯片是一款在电子工程领域备受瞩目的产品
2023-12-29 20:45:16
格科微临港工厂于12月22日举行了盛大的投产仪式，标志着这家在科创板上市的芯片领域公司完成了从Fabless（无晶圆厂）向Fab-Lite（轻晶圆厂）的转型。该工厂投产的12英寸CMOS图像传感器
2023-12-28 15:40:44160 12月22日，科创板上市公司格科微（688728.sh）成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式，及2023年产品推介会暨CEO交流会。 以让世界
2023-12-27 17:33:16193 
FIB失效分析缺陷观察ictest1 一、FAB工艺流程入门 •1. 这里的FAB指的是从事晶圆制造的工厂。半导体和泛半导体通常使用"FAB"这个词，它和其他电子制造的“工厂”同义。在平时沟通的语境
2023-12-26 17:49:56596 UMS的CHA3656-FAB是种两级自偏置电压宽带单片低噪声放大器。CHA3656-FAB专门用来毫米波通信，也是非常适合普遍使用，如C、x、Ku雷达探测、测试设备和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
图像传感器芯片产线正式投产。 此前，格科微董事长赵立新表示，为了突破高端图像传感器工艺的知识产权垄断和制造壁垒，公司决定自建工厂。历经三年，临港工厂终于落地，12英寸CIS（CMOS图像传感器）集成电路特色工艺产线顺利开通，公司成功转型为Fab-Lite（轻晶
2023-12-26 08:36:10228 
模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工艺，进一步增强其在射频领域的广泛实力。
2023-11-21 17:03:00385 x-fab推出了最新版本的产品，扩大了spad产品的选择范围，提高了解决近红外线功能重要的新应用领域的能力。这些新应用包括飞行时间感知、车辆lidar影像、生物光学和flim研究工作以及医疗领域的各种相关活动。
2023-11-21 10:47:26543 据JoongAng Daily报道，三星计划将位于泰勒市的一家半导体芯片工厂扩建为总建筑面积270万平方英尺（约2.5亿坪）。建设工作已经开始了。三星雇用当地的工程企业，正在检查工程进行情况。据泰勒市网站介绍，这座新楼目前的名称是“三星制造工厂2”。
2023-11-21 09:40:42207 据麦姆斯咨询报道，领先的模拟和混合信号器件专业代工厂X-FAB Silicon Foundries SE为其单光子雪崩二极管（SPAD）产品组合推出了一款新的近红外（NIR）增强型SPAD
2023-11-20 09:11:53398 X-FAB Silicon Foundries SE正在以进一步实质性的方式推进其电流隔离技术。X-FAB在2018年推出的突破性工艺的基础上，该工艺专为弹性分立电容或电感耦合器而设计，现在可用
2023-11-07 16:02:34305 三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111212 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:00832 日前有媒体报道称，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。
2023-10-16 11:13:05452 海力士在无锡工厂生产DRAM芯片，在大连生产 NAND 闪存。对于存储而言，三星电子和SK海力士是当之无愧的巨头。
2023-10-10 11:59:16368 首先，内存请求与闪存内存之间存在颗粒度不匹配。这导致了在闪存上需要存在明显的流量放大，除了已有的闪存间接性需求[23,33]之外：例如，将64B的缓存行刷新到CXL启用的闪存，将导致16KiB的闪存内存页面读取、64B更新和16KiB的闪存程序写入到另一个位置（假设16KiB的页面级映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18206 随着行动内存芯片市场迹象显示出复苏迹象，并且最早在第四季度供不应求，三星电子已宣布将提高动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的价格，幅度达到10%~20%。 韩国经济日报报道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58422 虽然半导体市场状况持续不太好，但是到2023年为止，将新启动13个12英寸晶片工厂。据knometa research称，新的fab将主要生产功率晶体管、尖端逻辑芯片和oem服务。
2023-08-14 09:35:35372 
CHS5104 -FAB是一款基于单片 FET 的反射开关，采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。它专为广泛的应用而设计，从太空、军事到商业通信系统。该电路采用 pHEMT 工艺制造
2023-08-10 14:40:43
CHV1203 -FAB是一款低相位噪声 S 波段 HBT 压控振荡器，集成了负电阻、变容二极管和缓冲放大器。它在 100kHz 偏移时提供 108dBc/Hz 的出色相位噪声。它设计用于
2023-08-10 11:32:50
CHX2193 -FAB是一款 6.25-8.25GHz 倍频器，专为从军事到商业通信系统的广泛应用而设计。它采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。该电路采用 pHEMT 工艺
2023-08-10 11:16:26
CHR3693 -FAB是一款采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装的下变频器。它集成了一个平衡冷 FET 混频器、一个二次乘法器和一个 RF LNA。RF范围为
2023-08-10 10:35:47
CHT4690 -FAB是一款可变 5-30GHz 衰减器，设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。芯片的背面既是射频接地又是直流接地。这有助于简化组装过程。该电路采用 MESFET 工艺
2023-08-10 09:38:50
CHT3091 -FAB是一款可变 DC-14GHz 衰减器，设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。它采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。该电路采用 MESFET 工艺
2023-08-10 09:34:11
CHA4253-FAB 是一款四级单片 GaAs 中功率放大器电路，在 1dB 压缩点提供 23.5dBm 输出功率。它设计用于广泛的应用、商业空间、军事和商业通信系统。该电路采用内部稳健空间评估
2023-08-10 09:16:36
CHA5266 -FAB是一款三级单片 GaAs 中等功率放大器，采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。它设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该电路采用 pHEMT
2023-08-09 17:52:51
CHA2069 -FAB是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准 pHEMT 工艺制造：0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。它采用无引线表面贴装密封
2023-08-09 17:07:52
CHA3666 -FAB是一款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准 pHEMT 工艺制造：0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。它采用无引线表面贴装密封
2023-08-09 16:56:23
CHA3656-FAB 是一款两级自偏置宽带单片低噪声放大器。它专用于空间通信，也非常适合广泛的应用，例如 C、X、Ku 雷达、测试仪器和高可靠性应用。该电路采用 pHEMT 工艺、0.25μm
2023-08-09 16:52:10
CHA3801 -FAB是一款包含有源偏置网络的 L 频段 LNA 单片电路。此外，还包含一个保护网络，以实现高输入功率生存能力。它设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该电路采用
2023-08-09 16:47:59
全球最大的代工芯片制造商台积电自 2021 年以来一直与德国萨克森州就在德累斯顿建设一座制造工厂（或“fab”）进行谈判。消息人士告诉德国商报，该公司将与合作伙伴博世、英飞凌和恩智浦合资经营该工厂。
2023-08-08 15:05:47390 UFS（Universal Flash Storage）是一种用于存储的闪存标准，而不是内存标准。它是一种闪存存储技术，用于移动设备和其他便携式电子设备中的非易失性存储。
2023-07-18 15:00:0313543 EB8T5评估板用户手册--Fab 18-613-000
2023-06-26 18:39:28
0 89EBPES12N3 评估板用户手册 - Fab # 18-597-001
2023-06-26 18:39:100 电离解决方案, 使它们能够处理苛刻的工艺气体和副产品. 为半导体 Sub-fab 提供安全, 可持续性和节约解决方案
2023-06-21 10:31:03536 
来源：X-FAB PhotonixFab将为光电子产品的创新及商业化打通路径，实现高产能制造 中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
无独有偶，SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm，很快又发布了同样基于QLC闪存的全新企业级产品P5-D5430，再次引发了“QLC取代TLC”的话题讨论。据悉，P5-D5430采用大连Fab 68工厂出品的192层堆叠3D QLC闪存芯片（该厂的QLC产品占40%以上）
2023-06-13 16:16:00340 
供应SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充协议芯片支持三星 AFC 协议，提供XPD720关键参数 ，广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-06-01 10:10:41
供应XPD320B 20w协议芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 协议，广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-30 14:24:29
供应XPD319BP18 三星18w快充协议芯片支持三星afc快充协议-一级代理富满，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:37:36
供应XPD319B 20w快充协议芯片支持三星afc快充协议-单C口快充方案，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:13:51
供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ，广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46
至于X-FAB，其计划扩大在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元，以提高该厂区的碳化硅半导体产量。
2023-05-24 11:12:55554 S32G3开发板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我们的开发板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我如何闪存 ESP 模块 3 以及有多少内存？
2023-05-10 12:48:37
EB8T5评估板用户手册--Fab 18-613-000
2023-05-05 18:49:420 89EBPES12N3 评估板用户手册 - Fab # 18-597-001
2023-05-05 18:49:260 89EBPES16T4 评估板 User 手册 - Fab # 18-616-000
2023-05-05 18:37:460 89EBPES32T8 Eval Board User 手册 - Fab # 18-608-000
2023-05-05 18:37:320 89EBPES24T6 评估板 User 手册 - Fab # 18-609-000
2023-05-05 18:37:120 89EBPES48T12 评估板用户手册 - Fab # 18-624-000
2023-05-04 20:13:270 EB48H12评估板用户手册--Fab 18-624-000
2023-05-04 20:13:090 89EB64H16 评估板用户手册 - Fab 18-624-000
2023-05-04 20:12:490 89EBPES16T7 评估板用户手册 - Fab # 18-610-000/001
2023-05-04 19:19:500 89EB32H8评估板手册--Fab 18-625-000
2023-05-04 19:00:240 89EBPES16T4-2（x8 上游端口）评估板用户手册 - Fab # 18-633-000
2023-05-04 18:55:270 89EB12N3 评估板手册（89PES8NT2 器件）- Fab # 18-597-001
2023-04-28 19:46:230 89EB16NT2 Eval Board 手册 - Fab # 18-642-000
2023-04-28 18:54:110 89EBPES24T6 评估板用户手册 - Fab # 18-609-000（适用于 89PES16T4AG2）
2023-04-27 20:19:580 89EBPES24T3G2-19x19-评估板 User 手册 - Fab # 18-657-000
2023-04-27 20:13:270 89EBPES24N3 评估板用户手册 - Fab # 18-590-002
2023-04-26 20:17:120 89EBPES4T4 评估板用户手册 - Fab # 18-637-001
2023-04-26 19:55:020 89EBPES12T3G2 评估板用户手册 - Fab # 18-635-001
2023-04-26 19:39:000 89EBPES16T4G2 评估板用户手册 - Fab # 18-634-000
2023-04-26 19:38:470 供应XPD767BP18 支持三星pps快充协议芯片-65W和65W以内多口互联，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-26 10:22:36
UMS CHT4660-FAB是款0.5-16GHz的可变衰减器，致力于空间、国防军事与商业通讯系统的应用领域而设计。CHT4660-FAB选用MESFET工艺技术，栅极尺寸为0.7um，根据基材
2023-04-24 14:25:59132 89EBPES32x8G2 评估板用户手册 - Fab # 18-678-000
2023-04-21 19:09:260 89EBPES48H12G2 评估板用户手册 - Fab # 18-677-000
2023-04-21 19:09:070 EB8T5A 评估板用户手册 - Fab # 18-636-002
2023-04-20 19:54:080 89HPES32NT24AG2 Based REV-A 评估板示意图s (Fab: 18-691-000)
2023-04-19 19:16:460 89HPES24NT24G2 Based REV-A 评估板示意图s (Fab: 18-692-000)
2023-04-19 19:16:170 89HPES24NT24G2 Based REV-B 评估板示意图s (Fab: 18-692-001)
2023-04-18 19:53:080 89HPES32NT24AG2 Based REV-B 评估板示意图s (Fab: 18-691-001)
2023-04-18 19:44:100 89EBP0604SB 评估板示意图s - Fab # 18-703-000 (layered for online viewing)
2023-04-18 19:19:390 89EBP0602Q-USB 评估板示意图s - Fab # 18-702-001 (layered for online viewing)
2023-04-17 20:09:380 89EBP0602Q-USB 评估板示意图s - Fab # 18-702-001 (optimized for printing)
2023-04-17 20:09:230 89EBP0602Q-SATA 评估板示意图s - Fab # 18-702-000 (layered for online viewing)
2023-04-17 20:09:120 89EBP0602Q-SATA 评估板示意图s - Fab # 18-702-000 (optimized for printing)
2023-04-17 20:08:580 EBP0602Q SATA 评估板 User 手册 - Fab # 18-702-000
2023-04-17 20:03:530 EBP0602Q USB 评估板 User 手册 - Fab # 18-702-001
2023-04-17 20:03:320 EB-LOGAN-23 REV-A 评估板 User 手册 (Fab: 18-691-000)
2023-04-17 19:41:240 EB-LOGAN-23 REV-B 评估板 User 手册 (Fab: 18-691-001)
2023-04-17 19:41:040 EB-LOGAN-19 REV-A 评估板 User 手册 (Fab: 18-692-000)
2023-04-17 19:40:440 EB-LOGAN-19 REV-B 评估板 User 手册 (Fab: 18-692-001)
2023-04-17 19:40:290 据我所知，ESP32-D0WDR2-V3 有一个 2MB 的嵌入式 PSRAM，但只有 448KB 的内部闪存。是否可以连接外部闪存（用于代码和数据）和 eMMC（仅存储）并使三者（PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
介绍：第一部分：上市公司介绍了2022年度的业绩情况及主要财务数据变动情况，公司2022年净利润由盈转亏，业绩亏损的具体原因主要是一方面公司北京MEMS产线（北京FAB3）继续处于运营初期、产能爬坡阶段，折旧摊销压力巨大，工厂运转及人员费用也进一步增长，
2023-04-03 17:07:16875
电子发烧友App
工商网监
评论