电子发烧友网报道（文/莫婷婷）2025年，2nm制程正式开启全球半导体“诸神之战”。就在近期，MediaTek（联发科）宣布，首款采用台积电 2 纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片
2025-09-19 09:40:20
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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继SK海力士、三星之后，南京台积电也被撤销了豁免？ 9月2日消息，美国商务部官员在近期通知台积电，决定终止台积电南京厂的所谓“经过验证的最终用户”(VEU)地位，即
2025-09-04 07:32:009572 
实现0.2nm工艺节点。 而随着芯片工艺节点的推进，芯片供电面临越来越多问题，所以近年英特尔、台积电、三星等厂商相继推出背面供电技术，旨在解决工艺节点不断推进下，芯片面临的供电困境。 正面供电面临物理极限 在半导体技术发展的历程中
2026-01-03 05:58:003948 媒体采访时表示，人工智能的崛起正引领半导体行业迎来新一轮爆发式增长，为满足 AI 应用的多元化需求，台积电在云、管、端三大领域同步开启技术竞技与创新布局。 图：台积电(中国)总经理罗镇球 在云端，技术突破聚焦于先进工艺与先进封装两大方向。工艺层
2025-12-22 09:29:404041 
在电子电路设计中，晶体管的合理选择和应用对于电路性能起着关键作用。今天，我们就来深入探讨ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3这一系列数字晶体管。
2025-12-02 15:46:03252 
安森美NST856MTWFT PNP晶体管设计用于通用放大器应用。这些晶体管采用紧凑型DFN1010-3封装，带可湿性侧翼，适用于汽车行业。NST856MTWFT晶体管 无铅、无卤/无BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
电子发烧友网综合报道 最新消息显示，台积电正加速推进其全球2纳米制程产能布局，计划在台湾南部科学园区周边增建三座2纳米晶圆厂，以应对全球AI芯片需求激增的市场态势。此次新增投资总额约9000亿元
2025-11-26 08:33:007668 最近扒了扒国产芯片的进展，发现中芯国际（官网链接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已经不是 “实验室技术” 了 —— 从消费电子的中端处理器，到汽车电子
2025-11-25 21:03:40
安森美 (onsemi) NSVT5551M双极晶体管通过了AEC-Q101认证，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。这款NPN双极晶体管具有匹配的芯片，存放温度范围为-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
onsemi MUN5136数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些数字晶体管包含一个晶体管和一个单片偏置网络，单片偏置网络由两个电阻器组成，一个是串联基极电阻器，另一个是基极-发射极
2025-11-24 16:27:15579 
电压选择晶体管应用电路第二期
以前发表过关于电压选择晶体管的结构和原理的文章，这一期我将介绍一下电压选择晶体管的用法。如图所示：
当输入电压Vin等于电压选择晶体管QS的栅极控制电压时，三极管Q
2025-11-17 07:42:37
与现行的3nm工艺相比，台积电在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）晶体管架构。这种全新的结构能够让晶体管电流控制更加精确，减少漏电问题，大幅提升芯片整体效能
2025-10-29 16:19:00546 晶体管是一种以半导体材料为基础的电子元件，具有检波、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种功能。其核心是通过控制输入电流或电压来调节输出电流，实现信号放大或电路开关功能。 基本定义 晶体管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
39.1%，净利润创下纪录新高，台积电在上年同期净利润为3252.58亿新台币。 每股盈余为新台币17.44元，同比增加39.0%。 目前台积电的市值已达1.2万亿美元，是韩国三星电子的三倍。 据悉，在2025年第三季台积电的3纳米先进制程出货量占总晶圆收入的23%；5纳米制程出货量占37%；7纳米制
2025-10-16 16:57:252544 又近了一大步。 这一历史性节点不仅意味着制程技术的再度跨越，也预示着未来AI、通信与汽车等核心领域即将迎来一场深刻的“芯革命”。 1、技术再突破 与现行的3nm工艺相比，台积电在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）晶体
2025-10-16 15:48:271089 本文将深入探讨两种备受瞩目的功率晶体管——英飞凌的 CoolGaN（氮化镓高电子迁移率晶体管）和 OptiMOS 6（硅基场效应晶体管），在极端短路条件下的表现。通过一系列严谨的测试，我们将揭示
2025-10-07 11:55:002980 
给大家分享两个热点消息： 台积电2纳米N2制程吸引超15家客户 此前有媒体爆出苹果公司已经锁定了台积电2026年一半以上的2nm产能；而高通和联发科等其他客户难以获得足够多的台积电2nm制程的产能
2025-09-23 16:47:06747 渗透到人们衣食住行的各个领域。本章将围绕集成电路的核心器件 —— 晶体管展开，阐述其如何凭借优异性能与不断演进的结构，成为信息时代不可或缺的重要推动力。
2025-09-22 10:53:481310 
电子发烧友网为你提供()0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管相关产品参数、数据手册，更有0.45-6.0 GHz 低噪声晶体管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用台积电 2 纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tape out），成为首批采用该技术的公司之一，并预计明年底进入量产。双方
2025-09-16 16:40:31978 Pro的R2，也有望全面跟进2nm。 半导体厂商认为，品牌大厂通过掌控核心芯片实现产品差异化，同时推动生态系连结，将会是未来趋势。 先进制程成苹果芯片性能跃升的关键推手。明年iPhone 18将采用A20芯片，由台积电最新2nm制程打造，并搭配WMCM先进封装，供应链透露，用于笔记本电脑产
2025-09-16 10:41:051349 多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要，设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路，实际上是对电压的一种选择，而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
2025-09-15 15:31:09
。
叉行片：连接并集成两个晶体管NFET和PFET，它们之间同时被放置一层不到10nm的绝缘膜，放置缺陷的发生。
CFET：属于下一代晶体管结构，采用3D堆叠式GAAFET，面积可缩小至原来的50
2025-09-15 14:50:58
。那该如何延续摩尔神话呢？
工艺创新将是其途径之一，芯片中的晶体管结构正沿着摩尔定律指出的方向一代代演进，本段加速半导体的微型化和进一步集成，以满足AI技术及高性能计算飞速发展的需求。
CMOS工艺从
2025-09-06 10:37:21
美国已撤销台积电（TSMC）向其位于中国大陆的主要芯片制造基地自由运送关键设备的授权，这可能会削弱其老一代晶圆代工厂的生产能力。 美国官员最近通知台积电，他们决定终止台积电南京工厂所谓的“验证
2025-09-03 19:11:521637 ，台积电2nm生产线将于今年投入量产。生产线计划首先在中国台湾新竹市投产，随后在中国台湾南部高雄市投产。台积电还在美国亚利桑那州建设第三家工厂，最终将生产此类芯片。 三位知情人士透露，这一决定受到美国一项潜在法规的影响，该
2025-08-26 10:00:592404 科技有限公司深耕电子元器件领域多年，对 S8050 晶体管有着深入的研究与丰富的应用经验，下面将为您带来 S8050 晶体管全系列封装与功能的详细解读。 一、S8050 晶体管基础认知 S8050 属于 NPN 型硅晶体管，这意味着其内部结构是由两层 N 型半导体中
2025-08-06 16:27:321172 据媒体报道，台积电爆出工程师涉嫌盗取2纳米制程技术机密，台湾检方经调查后，向法院申请羁押禁见3名涉案人员获准。 据悉，由于台“科学及技术委员会”已将14纳米以下制程的IC制造技术纳入台湾核心关键技术
2025-08-06 15:26:441393 众多大型科技公司的订单。根据韩国媒体ChosunBiz的报道，台积电的2纳米制程技术将率先应用于苹果计划推出的下一代iPhone系列的应用处理器(AP)生产。这一决
2025-07-21 10:02:16756 
电在第二季度毛利率达到58.6％；营业利润率为49.6%，净利率为42.7%。 在2025年第二季度，台积电3纳米制程出货占晶圆总收入的24%；5纳米制程占36%；7纳米制程占14%。先进制程（台积电定义先进制程为7纳米及更先进制程）合计占晶圆总收入的74%。 业界分析认为台积电业绩超
2025-07-17 15:27:151553 带动主要晶圆代工伙伴台积电在今天股市高开，股价冲到237.71美元。明天台积电将召开法说会，展望全球半导体产业走向，2nm先进制程的进展也是颇受关注。 图：台积电 电子发烧友拍摄 2nm先进制程到底有哪些先进技术？客户情况如何？三大晶圆代工龙头企业的
2025-07-17 00:33:004401 
两座先进的封装工厂将分别用于导入 3D 垂直集成的SoIC工艺和 CoPoS 面板级大规模 2.5D 集成技术。 据悉台积电的这两座先进封装厂的选址位于亚利桑那州，紧邻具备 N2 / A16 节点产能的第三座晶圆厂。 博通十亿美元半导体工厂谈判破裂 据西班牙
2025-07-15 11:38:361644 在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）如同一对默契的 “电子开关”，掌控着电路中电流的流动
2025-07-14 17:05:2223272 
芯片制程从微米级进入2纳米时代，晶体管架构经历了从 Planar FET 到 MBCFET的四次关键演变。这不仅仅是形状的变化，更是一次次对物理极限的挑战。从平面晶体管到MBCFET，每一次架构演进到底解决了哪些物理瓶颈呢？
2025-07-08 16:28:022045 
近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注，尤其是在当前竞争激烈的半导体市场环境中。据供应链
2025-07-07 10:33:223474 
的工艺节点，从而在性能、能效、集成度以及成本方面实现全面优化。 纳微半导体将通过力积电生产其100V至650V的氮化镓产品组合，以应对超大规模AI数据中心和电动汽车等48V基础设施对氮化镓技术日益增长的需求。根据公告，首批由力积电制造的器件预计
2025-07-07 07:00:002925 
，考虑到市场条件和长期业务战略，决定在未来2年内逐步退出GaN业务。台积电强调，这一决定不会影响先前公布的财务目标。 据供应链消息，台积电决定退出第三类半导体之一的氮化镓市场，其位于竹科的晶圆厂相关产线已停止生产。台积电已向DIGITIMES证实这一消息，并表示
2025-07-04 16:12:10659 力旺电子宣布，其一次性可编程内存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于台积电N3P制程完成可靠度验证。N3P制程为台积电3奈米技术平台中，针对功耗、效能与密度进行
2025-07-01 11:38:04875 晶体管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一种将发光器件和光敏器件组合在一起的半导体器件，用于实现电路之间的电气隔离，同时传递信号或功率。晶体管光耦的工作原理基于光电效应和半导体
2025-06-20 15:15:49730 
在半导体工艺演进到2nm，1nm甚至0.7nm等节点以后，晶体管结构该如何演进？2017年，imec推出了叉片晶体管（forksheet），作为环栅（GAA）晶体管的自然延伸。不过，产业对其可制造
2025-06-20 10:40:07
现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里，随着CMOS制造技术的进步，器件的沟道长度将小于 10nm。在这么短的距离内，为使器件能够工作，将采用非常高的掺杂浓度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
深圳市三佛科技有限公司供应2SC5200音频配对功率管PNP型晶体管，原装现货
2SC5200是一款PNP型晶体管，2SA1943的补充型。
击穿电压：250V (集射极电压 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供应2SA1943 大功率功放管PNP型高压晶体管，原装现货
2SA1943是一款PNP型高压晶体管，专为低频或音频放大，直流转直流转换器，其他高功率电路，其电压-集电极
2025-06-05 10:18:15
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现重大技术飞跃！
2025-06-04 15:20:211051 近期，台积电(TSMC)执行副总经理暨共同营运长秦永沛在一次公开活动中表示，公司的2纳米制程研发进展顺利，未来将进一步推动技术创新与市场需求的匹配。为了实现这一目标，台积电计划对位于高雄的晶圆22厂
2025-05-27 11:18:06854 
导语薄膜晶体管（TFT）作为平板显示技术的核心驱动元件，通过材料创新与工艺优化，实现了从传统非晶硅向氧化物半导体、柔性电子的技术跨越。本文将聚焦于薄膜晶体管制造技术与前沿发展。
2025-05-27 09:51:412508 
据知情人士透露，台积电2nm工艺晶圆的价格将较此前上涨10%，去年300mm晶圆的预估价格为3万美元，而新定价将达到3.3万美元左右。此外，这家全球晶圆代工厂将把其4纳米制造节点的价格提高10
2025-05-22 01:09:001189 当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶体管（Transistor）是一种半导体器件，用于放大电信号、控制电流或作为电子开关。它是现代电子技术的核心元件，几乎所有电子设备（从手机到超级计算机）都依赖晶体管实现功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 电子发烧友网报道（文/黄山明）在半导体行业迈向3nm及以下节点的今天，光刻工艺的精度与效率已成为决定芯片性能与成本的核心要素。光刻掩模作为光刻技术的“底片”，其设计质量直接决定了晶体管结构的精准度
2025-05-16 09:36:475598 
我的理解晶体管的cb be都是有固定压降的，加在发射极上那么大电压还不连电阻。
2025-05-15 09:20:48
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一块 N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极（G），N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极（D）和源极（S），如图 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
西门子和台积电在现有 N3P 设计解决方案的基础上，进一步推进针对台积电 N3C 技术的工具认证。双方同时就台积电新的 A14 技术的设计支持展开合作，为下一代设计奠定基础。
2025-05-07 11:37:061415 基于台积电先进2nm（N2）制程技术的高性能计算产品。这彰显了AMD与台积电在半导体制造领域的合作优势，即利用领先的制程技术共同优化新的设计架构。这也标志着AMD在执行数据中心CPU路线图上迈出了重要
2025-05-06 14:46:20635 
在半导体制造中，清洗工艺贯穿于光刻、刻蚀、沉积等关键流程，并在单晶硅片制备阶段发挥着重要作用。随着技术的发展，芯片制程已推进至28nm、14nm乃至更先进节点。
2025-04-24 14:27:32715 根据台积电公布的2024年股东会年报数据显示，台积电在大陆的南京厂在2024年盈利新台币近260亿（换算下来约58亿元人民币） 相比于在中国大陆的南京厂大放异彩，台积电在美国亚利桑那州的新厂则是大幅
2025-04-22 14:47:57947 对电压的选择呢？本文将介绍一种电场型多值电压选择晶体管，之所以叫电压型，是因为通过调控晶体管内建电场大小来实现对电压的选择，原理是PN结有内建电场，通过外加电场来增大或减小内建电场来控制晶体管对电压的选择性通
2025-04-16 16:42:26
2 多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要，设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路，实际上是对电压的一种选择，而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
2025-04-15 10:24:55
晶体管，FET和IC，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随器电路设计，FET低频功率放大器的设计与制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈型OP放大器的设计与制作，进晶体管
2025-04-14 17:24:55
万颗AI芯片，但台积电未及时发现。那台积电就间接违反了美国出口管制政策。台积电因间接违规代工中企AI芯片违反出口管制政策，台积电或将面临超10亿美元的罚款。 此外特朗普政府的关税威胁也一直存在，路透社透露称：特朗普政府要求台
2025-04-10 10:55:222722 TB2000已正式通过厂内验证，将于SEMICON 2025展会天准展台（T0-117）现场正式发布。 这标志着公司半导体检测装备已具备14nm及以下先进制程的规模化量产检测能力。这是继TB1500突破40nm节点后，天准在高端检测装备国产化进程中的又一里程碑。 核心技术自主研发 TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33682 随着科技的不断进步，全球芯片产业正在进入一个全新的竞争阶段，2纳米制程技术的研发和量产成为了各大芯片制造商的主要目标。近期，台积电、三星、英特尔以及日本的Rapidus等公司纷纷加快了在2纳米技术
2025-03-25 11:25:481285 
，较三个月前技术验证阶段实现显著提升（此前验证阶段的良率已经可以到60%），预计年内即可达成量产准备。 值得关注的是，苹果作为台积电战略合作伙伴，或将率先采用这一尖端制程。尽管广发证券分析师Jeff Pu曾预测iPhone 18系列搭载的A20处理器仍将延续3nm工艺，但其最
2025-03-24 18:25:091240 电子发烧友网综合报道，2nm工艺制程的手机处理器已有多家手机处理器厂商密切规划中，无论是台积电还是三星都在积极布局，或将有数款芯片成为2nm工艺制程的首发产品。 苹果A19 或A20 芯片采用台
2025-03-14 00:14:002486 栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加电压控制源漏极之间的电流通断。例如，在MOS管中，栅极电压的变化会在半导体表面形成导电沟道，从而调节电流的导通与截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本书主要介绍了晶体管，FET和Ic，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随电路的设计，FET低频功率放大器的设计和制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈行型op放大器的设计与制作
2025-03-07 13:55:19
电子发烧友网站提供《LT1541SIJ P沟道增强型场效应晶体管数据表.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:33:071 电子发烧友网站提供《LT1756SJ N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:29:160 电子发烧友网站提供《LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:05:040 这本书介绍了晶体管的基本特性，单管电路的设计与制作， 双管电路的设计与制作，3~5管电路的设计与制作，6管以上电路的设计与制作。书中具体内容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，单管反相放大器，双管反相放大器，厄利效应，双管射极跟随器等内容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞萨电子互补双极 UHF-1 工艺制造的超高频晶体管阵列。每个阵列由位于公共单片衬底上的五个介电隔离晶体管组成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应，从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文将从硅底材开始介绍FinFET制造工艺流程，直到鳍片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600 
TechInsights分析，台积电N2工艺在晶体管密度方面表现突出，其高密度(HD)标准单元的晶体管密度高达313MTr/mm²，远超英特尔Intel 18A的238MTr/mm²和三星SF2/SF3P
2025-02-17 13:52:021086 近日，台积电在美国举行了首季董事会，并对外透露了其在美国的扩产计划。台积电董事长魏哲家在会上表示，公司将正式启动第三厂的建厂行动，这标志着台积电在美国的布局将进一步加强。 据了解，台积电在先进制程
2025-02-14 09:58:01933 了重大投入。公司核准了约171.4140亿美元的资本预算，主要用于建置及升级先进制程产能、先进封装、成熟及/或特殊制程产能，以及厂房兴建及厂务设施工程。这一举措将进一步提升台积电的技术实力和产能规模，为其在全球半导体市场的领先地位
2025-02-13 09:49:54696 据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
2025-02-12 17:04:04995 据外媒最新报道，台积电正考虑增强其在美国亚利桑那州工厂的生产服务，可能涉及提升该厂三座晶圆厂的生产能力，进一步增加晶圆产量。这一举措显示出台积电对全球半导体市场的持续承诺与扩张战略。 据悉，台积电
2025-02-12 10:36:33787 电子发烧友网站提供《PMBTA14 NPN达林顿晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-08 15:12:200 近期，美国特朗普总统宣布将对芯片、石油、天然气等行业征收特定关税，此举引发了全球半导体产业的广泛关注。作为代工巨头，台积电也受到了这一政策的影响。
2025-02-08 14:40:01813 据业内传闻，台积电计划在台南沙仑建设其最先进的1nm制程晶圆厂，并规划打造一座超大型晶圆厂（Giga-Fab），可容纳六座12英寸生产线。这一举措旨在放大现有南科先进制程的生产集群效应。
2025-02-06 17:56:291098 近日，据报道，苹果已经正式启动了M5系列芯片的量产工作。这款备受期待的芯片预计将在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首发搭载。 苹果M5系列芯片的一大亮点在于其采用了台积电最新一代的3nm制程
2025-02-06 14:17:461310 知名分析师郭明錤发布最新报告，指出台积电在先进封装技术方面取得显著进展。报告显示，台积电的COUPE（紧凑型通用光子引擎）技术供应链能见度大幅提升，奇景光电（Himax）已被确定为第一与第二代COUPE微透镜阵列的独家供应商。
2025-01-24 14:09:081275 电子发烧友网站提供《PUMH14-Q NPN/NPN电阻晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:35:130 近日，台湾半导体制造业巨头台积电遭遇了一次突发事件。据台湾媒体报道，台积电位于台南的Fab14和Fab18工厂在近期发生的地震中受损，初步估计将有1至2万片晶圆报废。本月21日零时17分，台湾嘉义县
2025-01-24 11:27:29944 , Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管架构——互补场效应晶体管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514436 
近期，台湾台南市发生了一场震源深度达14公里的6.2级地震，全岛范围内震感强烈。面对这一突发自然灾害，半导体制造巨头台积电迅速作出反应，确保了各厂区的安全与正常运营。 据台积电1月21日中午发布
2025-01-23 10:37:51777 )三期建设两座新的工厂。 针对这一传言，台积电在1月20日正式作出回应。公司表示，鉴于市场对先进封装技术的巨大需求，台积电计划在台湾地区的多个地点扩大其先进封装设施的生产规模。其中，南科园区作为台积电的重要生产基地之一，也将纳入此次扩产计划之中。 台积电强调，此
2025-01-23 10:18:36930 近日，野村证券在报告中指出，英伟达因多项产品需求放缓，将大砍在台积电、联电等CoWoS-S订单量高达80%，预计将导致台积电营收减少1%至2%。 野村半导体产业分析师郑明宗指出，英伟达Hopper
2025-01-22 14:59:23872 近日，台湾台南市发生了一场6.2级的地震，震源深度达到14公里。此次地震给台湾全岛带来了强烈的震感，引发了广泛关注和担忧。 面对这场突如其来的自然灾害，台积电迅速做出了反应。在地震发生后不久，台积电
2025-01-22 10:38:06817 新台币的总营收。营收结构上，由于AI的快速发展，HPC(高性能计算)得到持续提升，仍然是台积电最核心的业务，其第四季度贡献了近1.53万亿新台币的收入，AI以及7nm以下先进制程市场为台积电持续赋力。 01|毛利率59%，台积电整体收益超预期 图源：台积电 拆分台积电营收的具体财务数据
2025-01-21 14:36:211086 
近日，据外媒报道，台积电已确认其位于美国亚利桑那州的Fab 21晶圆厂将在2024年第四季度正式进入大批量生产阶段，主要生产4nm工艺(N4P)芯片。 然而，与台积电在台湾地区的晶圆厂相比，Fab
2025-01-20 14:49:411129 电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据相关媒体报道，台积电拒绝为三星Exynos处理器提供代工服务，理由是台积电害怕通过最先进的工艺代工三星Exynos处理器可能会导致泄密，让三星了解如何提升最先进制程
2025-01-20 08:44:003449 
近日有消息报道，台积电(TSMC)在美国投资生产下一代2纳米(nm)芯片将不再受到任何限制。这一决定标志着台湾当局在半导体产业策略上的重要调整。 此前，为了维护中国台湾在芯片制造领域的领先地位
2025-01-15 15:21:521017 来源：半导体前线 台积电在美国厂的4nm芯片已经开始量产，而中国台湾也有意不再对台积电先进制程赴美设限，因此中国台湾有评论认为，台积电不仅在“去台化”，也有是否会变成“美积电”的疑虑。 中国台湾不再
2025-01-14 10:53:09994 率和质量可媲美台湾产区。 此外；台积电还将在亚利桑那州二厂生产领先全球的2纳米制程技术，预计生产时间是2028年。 台积电4nm芯片量产标志着台积电在美国市场的进一步拓展，也预示着全球半导体产业格局的深刻变化。
2025-01-13 15:18:141453 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356
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