3月20日,CFMS | memoryS 2024中国闪存市场峰会(以下简称“CFMS 2024”)在深圳宝安前海·JW万豪酒店隆重召开,本届峰会以“存储周期 激发潜能”为主题,汇聚了全球存储产业链及终端应用企业
2024-03-22 13:34:3735 据三星展示的图片显示,此模组可以通过CXL接口在闪存部分及CPU之间进行I/O块传输,也可以运用DRAM缓存和CXL接口达到64字节的内存I/O传输。
2024-03-21 14:31:05174 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 三星电子,全球半导体产业的领军企业,近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升,从去年的低谷20-30%提升至目前的70%。这一变化不仅反映了三星电子对市场趋势的敏锐洞察和快速响应,也凸显了中国智能手机市场回暖以及全球半导体库存调整对产业链上游的积极影响。
2024-03-14 12:32:26317 GB/T 9639-1998 薄膜、薄片落镖冲击测试仪 自由落镖法产品介绍落镖冲击试验仪用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在给定高度的自由落镖冲击下,测定50%塑料薄膜或薄片试样破损时的冲击质量
2024-01-31 11:26:58
是否可以使用 XMC Flasher 命令行实用程序(bat 文件)将目标闪存读取到*.hex 文件中?
2024-01-26 07:24:42
IDC数据表明,传统企业存储系统中的全闪阵列同比下降5.5%,用户更加青睐端到端NVMe 全闪、分布式全闪等高端全闪存储。
2024-01-03 10:43:18282 请问一下电机的星三角启动是不是降低电机的启动电流的啊,还是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
产品详情FB-30J缠绕膜落镖冲击试验仪产品介绍落镖冲击试验仪用于厚度小于1mm的塑料薄膜或薄片在给定高度的自由落镖冲击下,测定50%塑料薄膜或薄片试样破损时的冲击质量和能量。产品特点1.机械造型
2023-11-27 15:30:04
西门子电机绕组重绕后,星三角启动角型切换时跳空开,电机保养厂商说可能线圈绕组顺序换了,只要把线圈首尾端换后就能启动,西门子电机有这种现象,有谁遇到过这种情况吗?原因是什么?
2023-11-09 07:17:20
三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214 在此之前,三星、sk海力士、美光、皮协因需求严重疲软而采取了大规模减产措施,三星也在今年4月公布了闪存第一次减产计划后延长了减产计划。
2023-11-03 12:14:35538 据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:031140 伴随着中国锂电企业出海加速,国外本土锂电厂商的相关布局亦在加快。
2023-10-30 14:29:23296 冲击试验机的工作原理包装膜落镖式冲击试验机的工作原理是将待测包装膜固定在设备上,通过落镖的自由落体运动,施加冲击力量在包装膜上。设备内部装有传感器,可以实时监测冲
2023-10-27 16:37:53
一、引言AB法薄膜落镖冲击测试仪是一种用于测试薄膜材料抗冲击性能的实验设备。在包装、食品、医药等领域,薄膜材料的抗冲击性能对其包装产品的保护和保存具有重要影响。本文将介绍AB法薄膜落镖冲击测试仪
2023-10-25 16:40:05
flash_internal_all_erase(),即将闪存控制寄存器(FLASH_CTRL)的 bit2 置 1 选择为整片擦除,然后将bit6 置 1 触发擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
将IAP放在非闪存起始地址的方法如何将IAP放在非闪存起始地址?
2023-10-20 07:02:29
随着汽车工业的持续发展,汽车配件的质量和安全性成为了消费者和制造商关注的焦点。为了确保汽车配件的质量和安全性,制造商需要对汽车配件进行各种测试,其中落球冲击试验机是评估其耐冲击性能的重要工具之一。落
2023-10-18 15:45:55
,对于保证产品质量和提高安全性具有重要的作用。落球冲击试验仪的主要工作原理是利用高精度传感器测量落球对材料产生的冲击力。在测试过程中,将试样材料放置在设备上,然后将具
2023-10-16 16:30:47
日前有媒体报道称,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。
2023-10-16 11:13:05452 GPS定位到三颗星为什么还不能实现定位?
2023-10-16 06:58:02
10月9日,韩国半导体业传来好消息,美国将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在我国的工厂提供半导体设备,而且无需其它许可;美方的这一决定即日起生效。 三星电子在我国西安有生产NAND闪存,SK
2023-10-10 11:59:16368 请问,在用java开发鸿蒙应用布局UI时,怎么才能全屏布局(不显示labelb标题)
2023-09-20 22:09:12
落镖冲击试验仪 落镖冲击试验仪是一种用于检测各种材料的抗冲击性能的专用设备。它通过模拟自由落下的镖体对材料进行冲击,以评估材料的抗冲击性能,为产品的质量和安全性提供重要依据。本文将介绍
2023-09-18 11:06:00
评估材料的抗冲击性能,为产品的质量和安全性提供重要依据。 落镖冲击试验机的主要工作原理是,将待测材料固定在试验台上,设定好冲击高度和镖体质量等参数,自由
2023-09-15 15:50:40
三星业绩近期表现非常差,三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024年升级其NAND核心设备供应链。
2023-08-30 16:10:02192 2023 年 RISC-V 中国峰会上,倪光南院士表示,“RISC-V 的未来在中国,而中国半导体芯片产业也需要 RISC-V,开源的 RISC-V 已成为中国业界最受欢迎的芯片架构”。大家怎么看呢?
2023-08-26 14:16:43
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58422 支持的设备设置了所有正确的参数。
在开始之前,本指南使用三星Gear VR作为示例设备。
本指南中的一些说明是针对三星Gear VR的。
本指南中描述的原则适用于任何VR设备,但您可能需要根据您的环境
2023-08-12 07:12:26
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前,IDC公布《2023年第一季度中国企业级存储市场跟踪报告》,报告显示,中国企业级数据存储市场销售额同比增长3.45%至70.14亿元,全闪存储销售额
2023-08-08 12:55:47716 日前,IDC公布《2023年第一季度中国企业级存储市场跟踪报告》,报告显示,中国企业级数据存储市场销售额同比增长3.45%至70.14亿元,全闪存储销售额15亿元,市场占比25%,混闪存储销售额38
2023-08-07 11:10:02327 据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 的 RAM 中。是否有任何意义/概念/技术将这些引导到闪存中,以便在运行时,我们将节省一些 RAM 以供操作。
2023-06-12 06:18:46
我想将数据保存到闪存中,这样即使断电我也可以拥有这些数据。
我尝试使用 spi_flash_write 但出现错误
代码:全选
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
任何人都可以帮助我面对像 lpc4337 闪存中的 sector13 一样无法将超过 8K 的数据写入 64k 的问题吗?即使是 64K 容量的扇区在闪存写入期间也只允许 8k 数据。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充协议、PD2.0/3.0 快充协议、QC2.0/3.0 快充协议、华为 FCP 协议和三星 AFC 协议
2023-06-01 22:14:22
供应SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充协议芯片支持三星 AFC 协议,提供XPD720关键参数 ,广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的 USB Type-C 端口充电解决方案,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-06-01 10:10:41
供应XPD320B 20w协议芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 协议,广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的USB Type-C 端口充电解决方案,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-30 14:24:29
有没有人成功地将 ESP8266EX 连接到 EEPROM 芯片而不是闪存?在我住的地方,没有人出售大于 512k 的闪存芯片,我至少需要 4 个。如果可以使用 EEPROM,我不想从美国进口。
2023-05-30 11:10:19
供应XPD319BP18 三星18w快充协议芯片支持三星afc快充协议-一级代理富满,广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:37:36
供应XPD319B 20w快充协议芯片支持三星afc快充协议-单C口快充方案,广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:13:51
供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ,广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46
器件销售 2,772.30 亿元,2020 年中国半导体分立器件销售 2,966.30 亿元,预计 2023 年分立器件销售将达到 4,428 亿元。
分立器件部分细分市场情况之场效应管市场情况
2023-05-26 14:24:29
在 SPI 闪存 ROM 布局表(没有 OTA)中有 5 个 bin 文件被闪存到 esp8266。尽管在其他资源中在线找到了说明如何将所有 bin 文件合并为一个文件,
可能它似乎一次性解决了多个问题,但从根本上说,所有问题都指向 ESP MCU 中内存布局的相同概念及其在构建过程/闪存中的反映。
2023-05-25 07:07:52
大家好,
我正在尝试将 NodeMCU 闪存到我的新 Sonoff 上。我正在使用 ESP8266Flasher x64 来刷新最新的开发和稳定版
2023-05-23 09:44:49
S32G3开发板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我们的开发板使用的是三星的芯片(K4FBE3D4HM THCL)。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片?。以及如何支持新的DDR芯片?
2023-05-23 07:15:48
我使用 RTD 包擦除写入和读取内部闪存。它在数据闪存上是成功的,但是当我将地址更改为代码闪存时,写入和读取都失败了。
然后我调试发现Register MCR->PGM在擦除后已经变成了1。但是我找不到它是在哪里改变的。
2023-05-19 08:41:05
。这使得 OTA 非常棘手!
我需要一个开销比 Arduino 少得多的环境?
或者从 SD 闪存进行 OTA 的方法?
或者修改 eboot 以在 OTA 期间将代码从 SD 复制到闪存?
或者其他一些聪明的解决方案?
2023-05-17 08:29:00
的裸片面积上实现相同的功能,从而实现了外设和存储的更高集成度,新产品预计第四季度全面上市。
行业风向
【三星将减产NAND闪存产能5%,西安厂为重点】
据韩媒报道,三星将在第二季度将其NAND产能
2023-05-10 10:54:09
大家好,
我们有一块定制板,W25Q128JV 连接到 FLEXSPI 端口 B,我无法让 MCUXpresso/Keil 直接将固件下载到闪存,我可以确认下载算法是正确的,因为相同的算法适用于
2023-05-04 08:44:59
功......
编程电缆接线如下...
如何让 Segger J-Link 将代码从 IDE 闪存/调试到评估板?
2023-05-04 08:34:20
供应XPD767BP18 支持三星pps快充协议芯片-65W和65W以内多口互联,更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-26 10:22:36
将 Basic 闪存到我的 esp8266 中。
接下来我需要连接到它作为接入点,对吗?它没有显示在我可用的 wifi 网络上......
有什么指示吗?
红色 LED 一直亮着。没有蓝色。
Serial 上也没有。
2023-04-26 06:05:16
。标签显示在对应于+90º连接的图中,其中三角洲侧的正序列与星侧的正序列领先90º。因此,线路电流流过相位A和A。 另一种方法是将增量标记为 b→a、c→b 和 a→c;因此,我们得到了一个标准
2023-04-20 17:39:25
怎样测量非正弦波电压的幅值?有何方法?
2023-04-19 18:24:04
我正在使用S32K142 EVB和i-SYSTEM IC5000调试器,最近我将代码闪存到 S32K142 EVB 后,我在 winIDEA(i-SYSTEM 调试器)中获得 SoC ATTACHING 状态,之后我无法将新代码闪存到target 我也无法从 winIDEA 中批量擦除。
2023-04-18 10:17:54
组件引脚均连接到的占位焊盘)。 将原理图转换为PCB布局 通过CAD软件将完整的原理图转换为由元件封装和线条组成的PCB布局; 这个相当不愉快的词是指尚未转换为物理连接的电气连接。 设计人员先排
2023-04-14 16:28:43
据我所知,ESP32-D0WDR2-V3 有一个 2MB 的嵌入式 PSRAM,但只有 448KB 的内部闪存。是否可以连接外部闪存(用于代码和数据)和 eMMC(仅存储)并使三者(PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
据业内人士透露,三星电子已加紧布局扇出型(FO)晶圆级封装领域,并计划在日本设立相关生产线。
2023-04-10 09:06:501284 我希望在特定的闪存位置存储变量/参数集。我记得我必须 在闪存中使用 __attribute__ 和内存地址,但我没有找到 s32k146 或 s32k sdk 的任何具体示例。
2023-04-04 07:51:52
。UUU 工具使用此电缆将图像闪存到 eMMC。以下是我尝试刷入 eMMC 所遵循的步骤:1)将启动开关设置为Serial Download(0001)2) 打开电路板并执行命令 - “sudo uuu
2023-04-03 08:04:43
目前,我使用的是 S32R294。我想从 S32 Design Studio for Power Architecture 下载 S32R294 的外部闪存。据我所知,外部闪存的代码在启动时被复制到 SRAM 中,因为 s32r294 中没有内部闪存。
2023-03-29 06:13:04
module')这是因为 AT25SF041 的时钟频率最高应为 80 MHz 才能支持整组命令。- 是否有任何方法(例如通过将 DCD 文件添加到 ivt_flashloader.bin)来激活 SEMC
2023-03-24 07:17:47
三相不对称负载星型连接有无中心线对电路工作是否有影响?若有影响是什么影响?
2023-03-23 09:55:20
程序会通过蓝牙将.sb2文件下载到sdcard,然后booloader会读取0xB000地址的AES密钥,解密sdcard中的文件,最终将程序写入flash 0xA000。我想知道在写入闪存之前将 AES 密钥存储在哪里,我应该什么时候将它写入闪存才能使整个更新过程安全?
2023-03-23 08:47:27
已经擦除的闪存,在擦除大约 500 到 700 个扇区后,将调用信号处理程序,CPU 将开始挂起在 startup_lpc54s018.c 中名为“IntDefaultHandler(void)”的函数
2023-03-23 06:06:43
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