英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29117 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率
2024-03-20 08:13:0574 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181423 
英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45203 
在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 的功率，给无线充电器设备供电。LDR6328S也兼容传统USB电源适配器。 2、特点 采用SOP-8封装 兼容USBPD3.0规范，支持USBPD2.
2024-03-08 18:21:34288 
我目前正在探索将英飞凌 XMC4300 从控制器与 Xilinx Spartan-6 FPGA 集成到我们项目中的兼容性和通信协议选项。 具体来说，我想了解 XMC4300 是否适用于促进我们在
2024-03-06 07:47:12
近日，半导体封测领域的领军企业日月光投控与知名芯片制造商英飞凌共同宣布，双方已正式签署收购协议。根据该协议，日月光投控将以6258.9万欧元的价格，收购英飞凌位于菲律宾甲美地市及韩国天安市的两座后段封测厂。
2024-02-25 11:11:01316 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
英飞凌科技与Wolfspeed宣布，将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展，双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:33332 英飞凌科技与格芯近日宣布了一项新的多年期供应协议，该协议涵盖了英飞凌的AURIX™ TC3x 40纳米汽车微控制器以及电源管理和连接解决方案。这一合作旨在满足英飞凌在2024年至2030年间的业务增长需求，通过锁定新增产能，为英飞凌提供稳定的供应链保障。
2024-02-02 10:30:22215 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 ：GFS）近日宣布，就英飞凌的AURIX™ TC3x 40纳米汽车微控制器以及电源管理和连接解决方案达成一项新的多年期供应协议。这一新增产能的锁定将有助于满足英飞凌2024年至2030年的业务增长需求
2024-01-31 17:34:0293 
英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布，将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求，并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:14439 英飞凌科技股份公司近日宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。英飞凌将为盛弘电气提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，并配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，共同提升储能变流器的效率。
2024-01-31 11:13:36423 协议。这份协议最初签订于2018年2月（当时Wolfspeed以Cree的名字为人所知）。扩展的合作包括一个多年的产能预留协议。这对英飞凌的供应链稳定性至关重要，也考虑到了碳化硅半导体产品在汽车、太阳能、电动车（EV）应用以及能源存储系统越来越大的需求。 英飞凌的
2024-01-30 17:06:00180 
技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储
2024-01-30 14:19:1677 
英飞凌与格芯近日宣布了一项新的多年合作协议，旨在加强欧洲在汽车半导体领域的地位。根据协议，格芯将为英飞凌生产AURIX TC3x系列汽车微控制器（MCU）以及电源管理和连接解决方案。
2024-01-25 17:05:19514 英飞凌科技股份公司与格芯近日宣布达成一项新的多年合作协议。根据该协议，格芯将为英飞凌生产AURIX TC3x 40纳米汽车微控制器（MCU）以及电源管理和连接解决方案。这一合作将有助于确保英飞凌在2024至2030年间的业务增长，并进一步提升公司在汽车半导体领域的竞争力。
2024-01-25 16:09:56194 英飞凌科技（Infineon Technologies）与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布，双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系，以满足市场对碳化硅（SiC）晶圆产品日益增长的需求。
2024-01-24 17:19:52440 近日，英飞凌与SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。
2024-01-19 10:00:07218 英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议，SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圆，以支持英飞凌在SiC半导体生产方面的需求。
2024-01-17 14:08:35225 /导读/英飞凌作为全球功率半导体市场绝对的领军者，对全球“减碳”事业的探索也一直走在前列。2023年4月，英飞凌还将工业功率控制事业部正式更名为零碳工业功率（GIP
2024-01-10 08:13:51152 
英飞凌是全球半导体领域的领导者，12月23日，英飞凌160VMOTIX三相栅极驱动器IC获得年度国际功率器件行业卓越奖。本次评奖活动由世纪电源网举办，旨在通过客观、真实、公开的评选方式，评选
2023-12-30 08:14:04173 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
传输到EtherCAT网络中。这种转换过程可以实现对数据的采集、传输和处理，同时还可以实现不同协议之间的互联互通，提高系统的兼容性和可扩展性。
CCLINKIE转EtherCAT协议应用的主要优势包括：
数据采集与传输
2023-12-17 13:02:59
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
英飞凌IGBT模块封装 英飞凌是一家全球领先的半导体公司，专注于电力管理、汽车和电动汽车解决方案、智能家居和建筑自动化、工业自动化、医疗、安全和物联网等领域。在电力管理领域，英飞凌的IGBT模块
2023-12-07 16:45:21469 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32:46505 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应
2023-12-02 08:14:01310 碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
管理应用的 MRigidCSP™ 封装技术。AOS首颗应用该新型封装技术的12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET——AOCR33105E，实现在降低导通电阻的同时提高CSP产品的机械强度。这项新升级
2023-11-13 18:11:28219 
协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。 英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议 现代汽车集团执行副总裁兼全球战略办公室（GSO）负责人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51175 
英飞凌的功率半导体对电动汽车转型至关重要。这种转型将带动功率半导体市场强劲增长，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半导体市场。通过在马来西亚居林扩建厂房，英飞凌将打造全球最大的8吋SiC功率半导体
2023-11-07 11:00:57385 
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
英飞凌科技、现代汽车公司和起亚公司达成了一项为期多年的SiC和Si功率半导体供应协议。英飞凌将建设并储备制造能力，为现代/起亚提供SiC和Si功率模块和芯片，直至2030年。现代/起亚将提供资金支持
2023-10-23 15:40:35436 汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
pd充电协议和qc充电协议兼容吗
2023-09-26 08:04:20
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
传递 能适应于任意外形和配置的PC 提供一个标准接口，能快速应用于产品中 允许扩展出新的USB设备类，以提升PC的功能 UBS2.0协议必需向下兼容，以容纳早期版本的设备
2023-09-07 08:03:40
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 
2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外
2023-08-24 18:21:45
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
电子发烧友网站提供《SAS4xNN系列引脚兼容的SAS/SATA扩展器.pdf》资料免费下载
2023-08-22 11:36:32
0 产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IPAC|2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师孙辉波、赵佳、郝欣与大家探讨了CoolSiC沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT
2023-07-31 17:30:06847 采用 SOP8 封装，且外围元器件少。
特点
1.5A 的最大输出电流
60V/2A 的内部功率 MOSFET
效率高达 93%
频率可调
热关断
逐周期过流保护
宽输入电压范围：6~60V
采用 SOP8 封装
应用
分布式电源系统
电池充电器
工业电源系统
行车记录仪，车载充电器，扫地机
2023-07-29 14:13:39
TO-220和TO-220 FullPack 封装的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技术，它解决了广泛的应用，如适配器，电视、电机驱动、电动滑板车、电池管理、轻型电动汽车、机器人、电源和园艺工具。
2023-07-19 10:44:25426 
/ OTCQX: IFNNY）与赛米控丹佛斯签署了一项多年期批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将向赛米控丹佛斯供应IGBT和二极管的芯片。采用这些芯片的功率模块主要用于电动汽车的主驱。 英飞凌汽车事业部总裁Peter Schiefer “作为汽车半导体领域的全球领导者，
2023-07-17 15:33:06316 英飞凌汽车部门总经理Peter Schiefer表示：“作为汽车半导体领域的全球领军人物，英飞凌为干净、安全的乘车券提供改变格局的解决方案。今天，igbt和二极管通过电力动力系统的有效电力转换，对电动汽车产业的转换起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385 及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
的功率，给无线充电器设备供电。LDR6328S也兼容传统USB电源适配器。 2、特点 采用SOP-8封装 兼容USBPD3.0规范，支持USBPD2.
2023-07-06 10:55:15497 研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37974 
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模组封装代工 功率模块封装是指其中在一个基板上集成有一个或多个开关元件的功率半导体产品，所述开关元件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
Jasper Flex高功率飞秒光纤激光器 Jasper Flex高功率飞秒光纤激光器是用于微处理的新型高功率飞秒激光器。其紧凑的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工程师Jorge Cerezo 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业，诸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:18618 
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
不久前，英飞凌科技股份公司宣布其适用于高压MOSFET的QDPAK和DDPAK顶部散热（TSC）封装技术正式注册为JEDEC标准。
2023-04-29 03:28:004585 
为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。
2023-04-13 16:54:252876 
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
ESP32扩展板ESP32 30P DEVKIT V1电源板模块 ESP32S开发板扩展板
2023-04-04 11:05:05
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