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东芝将新建NAND闪存芯片工厂
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NAND存储种类和优势
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:15
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三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216
216三星西安NAND厂开工率回升至70%
三星电子，全球半导体产业的领军企业，近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升，从去年的低谷20-30%提升至目前的70%。这一变化不仅反映了三星电子对市场趋势的敏锐洞察和快速响应，也凸显了中国智能手机市场回暖以及全球半导体库存调整对产业链上游的积极影响。
2024-03-14 12:32:26317
317东芝在日本新建功率半导体后端生产设施，预计2025年春季投产
近日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）宣布，位于日本西部兵库县姬路市的半导体工厂已启动新的功率半导体后端生产设施建设。这一举措标志着东芝在功率半导体领域的进一步扩展，以满足日益增长的市场需求。据悉，新工厂预计将于2025年春季开始量产。
2024-03-12 10:23:57247
247东芝开始建设功率半导体后端生产设施
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）近期宣布，已开始在位于日本西部兵库县的姬路运营 - 半导体工厂建设功率半导体后端生产设施。新工厂将于2025年春季开始量产。
2024-03-07 18:26:21585
585铠侠提升NAND闪存产能利用率
据最新报道，全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略，并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35263
263铠侠终止减产或致NAND芯片市场再动荡
据统计，铠侠是全球第二大NAND芯片制造商，市场份额约为15%-20%，紧随其后的是韩国的三星。面对之前NAND报价持续下跌的困境，铠侠率先采取了减产策略，幅度达到了三成。
2024-03-05 09:23:51143
143什么是NAND 型 Flash 存储器？
的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158
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铠侠NAND产能预计恢复90%，减产策略或面临调整
2022年10月起，铠侠已经减少了在日本四日市和北上市两家工厂的NAND晶圆投片量达30%。截至目前，铠侠NAND生产已恢复至原厂产能的两成左右。
2024-03-01 13:53:55159
159Tech Talk：解读闪存原理与颗粒类型
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化
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江波龙首颗自研NAND闪存问世
江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上。
2024-02-01 15:08:48361
361CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片，比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储，TF卡替代方案
闪存技术，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全特性。这种技术结合了 NAND 闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改
2024-01-24 18:30:00
CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片，比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储，TF卡替代方案
文章目录介绍创世SD卡引脚与NORFlash存储比较介绍SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一种安全数字NAND闪存技术，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全
2024-01-24 18:29:55373
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日本半导体设备巨头Disco计划新建工厂
日本知名半导体制造设备制造商Disco近日宣布，将在日本广岛县新建一座工厂，专注于生产用于晶圆生产的关键零部件。此举旨在抓住客户需求的增长，进一步加快生产进度，以满足全球半导体市场的持续扩张。
2024-01-18 15:52:15430
430正点原子emmc和nand的区别
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一种嵌入式多媒体控制器，它为移动设备（如智能手机和平板电脑）提供了一种高性能的存储解决方案。它包括一个闪存控制器、一个NAND闪存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
597什么是SD NAND存储芯片? SD NAND与TF卡的区别
什么是SD NAND？它俗称贴片式T卡，贴片式TF卡，贴片式SD卡，贴片式内存卡，贴片式闪存卡，贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似，但是SD NAND和TF卡有着本质上的区别。
2024-01-06 14:35:57861
861
什么是SD NAND存储芯片?
卡有着本质上的区别。
SD NAND 与 TF卡的区别：（看图表）
SD和TF区别
LGA-8封装
什么是LGA-8封装？
LGA-8封装是一种将芯片引脚通过电路板的层间连接
2024-01-05 17:54:39
东芝暂时关闭NAND闪存工厂！
1月4日消息，据外媒报道，日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，受影响的公司包括东芝、环球晶圆（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189
189今日看点丨日本强震影响东芝、村田、科意，部分工厂停产待恢复运营；英伟达H20 AI GPU参数曝光：完全符合美
1. 日本强震影响东芝、村田、科意运营，部分工厂停产 日本石川县1月1日发生7.6级地震并引发海啸，截至1月2日已造成55人死亡，影响波及运输、制造、服务业等，破坏了供应链。半导体产业链中的东芝
2024-01-03 11:33:38589
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东芝和罗姆将合作生产功率半导体 日本政府补贴8.3亿美元
东芝正在石川县能美市建设新工厂，罗马正在宫崎县宫崎市建设新工厂，两个工厂将分别进行生产。另外，罗姆将于明年在宫崎县国富町开业，东芝将在石川县野见市建设的新工厂中共享半导体生产。两家公司目前在海外采购的半导体芯片生产也将从日本开始。
2023-12-08 13:56:45251
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提高3D NAND闪存存储密度的四项基本技术
增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243
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【MCU】SD NAND芯片之国产新选择
：
大家好，请问有没有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
项目需要保存900M以上字节，nand flash 比较贵。或者有什么便宜的存储芯片提供。谢谢！
传统做法无非如下几种：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
简单认识闪速存储器
器 （NAND Flash)。闪存器于1980 年由在东芝工作的日本工程师 Fujio Masuoka 发明并获得 1997 年 IEEE 的奖励。1988 年 Intel 发布了最早的或非闪存器产品
2023-11-23 09:36:17909
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CS创世SD NAND的存储芯片应用方案
前言:
很感谢深圳雷龙发展有限公司为博主提供的两片SD NAND的存储芯片，在这里博主记录一下自己的使用过程以及部分设计。
深入了解该产品：
拿到这个产品之后，我大致了解了下两款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
NAND出货减少，拖累铠侠Q3营收大减38%
铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌，从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%，出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准，nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03335
335存储芯片价格上涨已从DRAM扩大到NAND闪存 明年上半年预计上涨超过10%
但是，存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说，已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
2023-11-13 14:53:28487
487三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备
据业界2日透露，三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，将目前正在生产的128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:031140
1140三星喊NAND季季涨价20% 幅度超预期有利群联、威刚等运营
据多名半导体业界消息人士称，三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后，决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand闪存价格，试图在明年上半年逆转市场。
2023-11-02 10:35:01523
523消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正采购新设备备产 236 层 NAND
采取相应措施。据 Business Korea 报道，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并已开始大规模扩张。 消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第
2023-10-18 08:35:55194
194获得美国豁免！晶圆大厂将扩建中国工厂！
在NAND闪存市场难以复苏的情况下，三星升级西安工厂是保持全球NAND闪存第一的战略对策；去年下半年开始，IT市场放缓和半导体市场疲软也导致三星电子NAND业务下滑。
2023-10-17 15:29:57433
433中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权
中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265
265三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备
三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:00832
832韩国NAND闪存芯片出口额恢复增长
据韩国贸易部16日公布的资料显示，韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%，但8月份减少了8.9%。存储器半导体业界的另一个支柱——3.3354万dram的出口在同期减少了24.6%。这比上个月的35.2%有所减少。
2023-10-16 14:17:21244
244兆易创新“一种NAND闪存芯片的测试样本”专利获授权
根据专利摘要，本发明实际公开了nand闪存芯片的测试样本，测试样本由多个相同的样本区域组成，每个样本区域包含多个相邻的数据块。相邻的几个数据块会测试不同的擦除次数。在多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间的间隔预先设定相邻数据块的数量。
2023-10-13 09:47:33313
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三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762
762NAND FLASH与NOR FLASH的技术对比
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468
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CS SD NAND在STM32精英V2开发板的测试-是时候将TF卡换为SD NAND了
前言
嵌入式项目中,比较常见的存储扩展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各种方案都有其优缺点,而SD NAND相对于上述方案具备很多优势,是目前嵌入式项目中存储扩展方案的一个
2023-09-26 17:40:35
DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨
据消息人士透露，nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹，到目前为止已经上涨了10%以上。他表示：“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:50503
503NAND Flash第四季价格有望止跌回升，最高上涨5%
业内人士说：“nand闪存价格将比dram快反弹”，“nand闪存供应商们的赤字继续扩大，因此销售价格正在接近生产成本，供应商们为了维持运营，扩大减产，价格停止下跌，反弹率领的”。
2023-09-11 14:56:17508
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浅析NAND闪存工艺
闪存芯片是非挥发存储芯片，广泛用于电子产品，特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GPS)、高端笔记本电脑和平板电脑等移动电子产品的存储应用。
2023-09-11 09:32:31833
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三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281
281三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58422
422NAND存储芯片厂商掀起减产浪潮
由于长期nand型需求没有得到恢复，铠侠将在日本岩手县其他场建设的生产工厂的启动时间从当初的2023年推迟到了2024年以后。另外，成套设备的交货也在推迟。
2023-08-14 10:06:52283
283SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即伪SLC，是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术，现Nand Flash基本支持此功能，可以通过指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士发布全球首款321层NAND！
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704
704pSLC闪存介绍：高性能和耐久性的闪存解决方案
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC
2023-08-02 15:16:593365
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三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%
据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762
762pSLC 闪存介绍：高性能和耐久性的闪存解决方案
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35790
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pSLC闪存的原理、优势及应用
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC 闪存的原理、优势以及在不同领域中的应用。
2023-08-01 11:15:471559
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【贴片SD Card介绍】贴片式tf卡/SD NAND/SD2.0协议
官方网站：深圳市雷龙发展有限公司
目前雷龙发展代理的 SD NAND 已可在立创商城搜索到，其详情页也附有手册。
芯片简介
芯片外观及封装
实拍图：
根据官方文档介绍，此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
芯科普 | 一文了解 NAND 闪存技术的发展演变
对 NAND 存储器的需求也大幅增加。从移动或便携式固态硬盘到数据中心，从企业固态硬盘再到汽车配件， NAND 闪存的应用领域和使用场景愈发多样化，各种要求也随之出现，常见的譬如更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424
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一文了解NAND闪存技术的发展演变
随着游戏产业和数据中心的蓬勃发展，全球 NAND 市场正呈扩张之势。而由于新冠疫情的爆发，人们更多选择远程办公和在线课程，对数据中心和云服务器的需求随之增长
2023-07-24 14:42:48808
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麦格纳将投资7.9亿美元新建三家工厂
路透社20日发表声明称，麦格纳设施将支援福特生产新一代电动卡车。福特园区的一家工厂将生产提供给卡车的电池外壳，另一家工厂将生产聚氨酯泡沫和坐垫。
2023-07-21 11:35:39848
848基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
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864苹果闪存和固态硬盘的区别 固态硬盘为什么不建议分区
苹果闪存和SSD都基于闪存技术，但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的，使用NAND（非易失性闪存）芯片技术，而SSD可以是通用的，采用不同类型的闪存芯片，如NAND、MLC（多级单元）或TLC（三级单元）。
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NAND闪存，所有主要闪存制造商都在积极采用各种方法来降低闪存的每位成本，同时创造出适用于各种应用的产品。闪存制造商还在积极展开研究，期望能够扩展3D NAND闪存的垂直层数。虽然15nm似乎是NAND闪存目前能够达到的最小节点，但开发者
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各家3D NAND技术大比拼 被垄断的NAND闪存技术
随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
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三星：2030年3D NAND将进入1000层以上
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NAND芯片是用于哪些领域 NAND和SSD的区别
闪存存储设备：NAND芯片作为主要的闪存存储媒介，被广泛用于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、内存卡（如SD卡、MicroSD卡）和闪存盘等。
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5198开放NAND闪存接口ONFI介绍
本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
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浅谈400层以上堆叠的3D NAND的技术
3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
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SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
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NAND闪存特点及决定因素
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
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1982QLC闪存 D5-P5430的基本规格、性能表现
SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm，就发布了一款QLC闪存的企业级产品P5-D5430，可以说是QLC SSD的一个代表作。
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SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564
1564请问ESP8285芯片(Soc) 是否带有内置闪存？
ESP8285 芯片（Soc）是否带有内置闪存？如果是，我们可以使用带有内置闪存的 ESP8285 芯片（Soc）通过 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作为 WiFi 连接
2023-06-05 08:31:11
三种不同的存储芯片性能比较
为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
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3D-NAND 闪存探索将超过300层
全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
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如何将ESP8266EX连接到EEPROM芯片而不是闪存？
有没有人成功地将 ESP8266EX 连接到 EEPROM 芯片而不是闪存？在我住的地方，没有人出售大于 512k 的闪存芯片，我至少需要 4 个。如果可以使用 EEPROM，我不想从美国进口。
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NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件
NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元（SLC）闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元（MLC），闪存可以为每个单元存储两个或更多位，因此位密度会增加
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如何在带有spi的iMX RT 1052上使用NAND闪存？
我想知道是否有人在 RT1052 或类似的东西上使用过 NAND FLASH。
因为我试图将它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我没有看到任何关于它的示例。
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GD25Qxx芯片解读
NORFlash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些，而NAND
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MCU Boot Utility是否支持此串行NAND？
我试图让 RT1052 从外部 QSPI NAND 闪存 W25N01GVZEIG 启动。我们选择了RT1050参考手册中提到的这个NAND flash。我还附上了数据表。
我还使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
8倍密度，像做3D NAND一样做DRAM
Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上，除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外，大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商，其去年推出的X-NAND第二代技术，允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001982
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如何使用QSPI接口将外部Nand Flash连接到S32K344？
我查看了 S32DS IDE 中的现有示例 Fls_Example_S32K344，它可以与外部 NOR 闪存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 闪存 ，其读/写协议
2023-04-28 08:29:07
imx28无法从NAND启动并进入USB恢复模式怎么解决？
- 我的任务是找出根本原因并解决基于 imx28 的定制设计板中的问题。
- imx28 无法从 NAND 启动并进入 USB 恢复模式。
- 将 NAND 闪存更改为不同的 NAND 闪存后
2023-04-27 06:50:47
走在前沿！日本芯片企业Rapidus计划兴建1nm芯片工厂
日本芯片制造商Rapidus社长小池淳义在一次最新会议上阐述了该公司在北海道千岁市工厂的新建计划，其中包括一座1纳米工艺的芯片工厂，这代表着目前全球最先进的生产工艺。
2023-04-26 16:51:42885
885如何启动IMX6ULL NAND闪存？
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
【正点原子STM32精英V2开发板体验】CS SD NAND在本开发板上的测试-是时候将TF卡换为SD NAND了!
前言嵌入式项目中,比较常见的存储扩展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各种方案都有其优缺点,而SD NAND相对于上述方案具备很多优势,是目前嵌入式项目中存储扩展方案的一个非常
2023-04-18 23:03:42
ESP32-D0WDR2-V3带外接flash和emmc，外部闪存将无法将内存映射到cpu内存空间是怎么回事？
闪存+eMMC）一起工作？当我阅读 ESP32 数据表第 18 页时，在表 2 上方，它指出“表 2 列出了芯片与嵌入式闪存/PSRAM 之间的引脚到引脚映射。不建议将此处列出的芯片引脚用于其他
2023-04-12 06:01:59
什么是3D NAND闪存？
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147
2147为什么UUU qspi写入闪存不会导致U-boot以正确的启动设置运行并打开电源？
时，同样的过程可以成功运行。请注意，我也尝试了 UUU“nand”选项，但 UUU 失败了。测试 1 (qspi)：##############关闭电源。将启动开关设置为下载模式。打开电源发出
2023-03-27 08:57:34
如何引导BootROM将代码复制到内部RAM ？
我们目前正在构建一个带有 i.MX RT1172 微控制器的定制板，以及一个通过 FlexSPI 连接的 QSPI NAND 闪存，我们需要知道的是：- BootROM 如何将代码从外部 NAND
2023-03-27 07:06:34
MCUBoot写入闪存之前将AES密钥存储在哪里？
程序会通过蓝牙将.sb2文件下载到sdcard，然后booloader会读取0xB000地址的AES密钥，解密sdcard中的文件，最终将程序写入flash 0xA000。我想知道在写入闪存之前将 AES 密钥存储在哪里，我应该什么时候将它写入闪存才能使整个更新过程安全？
2023-03-23 08:47:27
工商网监
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