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Spansion与SK海力士宣布NAND战略合作

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受美国影响考虑卖掉这个中国大连工厂?韩国芯片巨头SK海力士否认

。”1月23日,针对美国媒体相关报道,韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。 美媒彭博社稍早前发布长篇报道,暗示SK海力士受美国出口管制政策影响,或卖掉大连工厂。 报道提到,SK海力士2020年以90亿美元的价格,从美国芯片
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铠侠向SK海力士提议在日本工厂合作生产芯片

近日,日本存储芯片制造商铠侠向韩国芯片巨头SK海力士提出了一项合作建议。根据该建议,SK海力士考虑在铠侠与西部数据公司共同管理的一家日本工厂内生产芯片。此举旨在加强两家公司之间的关系,并可能作为解决双方争议的一种方式。
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SK海力士与台积电合作构建AI芯片联盟

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SK海力士拟在美国建厂生产HBM芯片

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SK海力士将在美国印第安纳州建厂

韩国芯片制造商SK海力士近日宣布,将在美国印第安纳州建立一家尖端工厂。这一重要决策不仅将推动美国半导体产业的发展,还可能为韩国芯片制造商SK海力士近日宣布,将在美国印第安纳州建立一家尖端工厂。这一
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SK海力士将在美国印第安纳州建设先进封装工厂

据最新消息,韩国芯片生产商SK海力士已经决定在美国印第安纳州建设其150亿美元的先进封装工厂。这一决定意味着SK海力士将放弃之前考虑的亚利桑那州,并将印第安纳州作为其在美投资的首选地点。
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OpenAI首席执行官会见三星和SK海力士高管

近日,OpenAI的首席执行官Sam Altman前往韩国,与三星电子和SK海力士的高管进行了会面。据报道,这次会面的主要议题是探讨建立一个AI半导体联盟以及投资机会的可能性。
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SK海力士加大高带宽内存生产投入

SK海力士近日宣布,将进一步扩大高带宽内存生产设施的投资,以满足高性能AI产品市场的不断增长需求。
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SK海力士2023年HBM3营收增长5倍,AI三大件进一步拉动市场复苏

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,SK海力士发布2023年第四季度财报显示,公司2023财年第四季度结合并收入为11.3055万亿韩元,营业利润为0.3460万亿韩元,净亏损为1.3795万亿韩元
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SK海力士第四季转亏为盈 HBM3营收增长5倍

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三星加大投资提升HBM产能,与SK海力士竞争加剧

近日,据报道,三星电子正计划大规模扩大其HBM(高带宽内存)产能,以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
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传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

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英伟达向SK海力士和美光支付巨额预付款

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SK海力士资本支出大增,HBM是重点

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
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SK海力士16GB LPDDR5T内存发货,中国手机厂商首发

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SK海力士:2030年公司HBM出货量将达到每年1亿颗

Park Jung-ho在活动中鼓励合作伙伴公司的代表说:“由于设施投资减少,整体上有可能会变得更加困难,但是要克服难关。”他还强调说,SK海力士将于2027年在龙仁半导体集群工业园区内的工厂按计划生产半导体。
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sk海力士透露,LPDDR5T是迄今为止最能大幅提高智能手机性能的存储产品中速度最快的产品。公司方面强调说,将继续扩大产品适用范围,引领移动dram领域的升级。
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SK海力士三季度亏损97亿元,SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士称,由于高性能半导体存储器产品的市场需求增加,公司业绩开始持续改善。尤其是面向人工智能的存储器产品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等,销售表现良好。因此与上一季度相比,营业收入增长了24%,营业亏损减少了38%。
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追赶SK海力士,三星、美光抢进HBM3E

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看,HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
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SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证

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三星电子和SK海力士计划四季度全面提高DDR5产量

 SK海力士同样也在筹备提高DDR5产品比重。其已在今年5月开发出10nm级第5代(1b)DDR5,供应给英特尔。韩国投资证券分析师预计,由于DDR5需求高涨,拉动产品平均销售单价,SK海力士DRAM业务有望加快转亏为盈,公司整体业绩也有望提前摆脱亏损。
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2022年国产存储芯片与模组行业报告

NAND Flash 市场份额来看,三星电子、铠侠、西部数据、SK 海力士、美光科技、英特尔总计约为 98.69%。SK 海力士收购英特尔 NAND Flash 业务已于 2021 年获得主要市场监管当局批准。
2023-10-18 16:12:592

美国商务部公布新规:允许三星和SK海力士向其中国工厂供应设备

美国商务部产业安全局(bis) 13日公布了一项规定,内容是更新对三星和sk海力士的一般许可证,将两家公司的中国工厂包括为“实证最终使用者(veus)”。如果包括在该名单中,今后三星和sk海力士无需另外得到许可也可以向中国工厂供应设备。
2023-10-16 10:50:29436

美国同意三星和SK海力士向其中国工厂提供设备

美国政府最近通过出口控制当局和国家安全保障会议(nsc)的经济、安全对话渠道公布,将三星电子和sk海力士的中国半导体工厂指定为“经过验证的最终用户(veu)”。
2023-10-12 10:15:38519

三星、SK海力士出口管制被豁免 多家上市公司供应商回应

太极实业证券和法务部的相关人士表示:“作为sk海力士产业体的合作伙伴,双方将根据合作合约,正常展开生产经营业务。”向sk海力士大量供应电子级硫酸的兴发集团证券组相关人士表示:“如果后续芯片制造量增加,国内对湿电子化学的需求将会增加。”
2023-10-10 14:52:50557

美国同意三星向其中国工厂提供设备

10月9日,韩国半导体业传来好消息,美国将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在我国的工厂提供半导体设备,而且无需其它许可;美方的这一决定即日起生效。 三星电子在我国西安有生产NAND闪存,SK
2023-10-10 11:59:16368

三星/SK海力士获美出口管制无限期豁免 南亚科、旺宏等首当其冲

美国将三星电子和sk海力士指定为veu(认证终端)用户,无限期开放了美国企业对中国国内三星、sk海力士工厂的半导体制造设备出口。同样,受到美方禁令的台积电也于10月9日表示,对市场传闻不予评论。
2023-10-10 11:40:18733

今日看点丨消息称 MIUI 14 是 MIUI 最后一个正式大版本;韩国:三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可

1. 韩国:三星、SK 海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备   据报道,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和 SK 海力士公司在华工厂进口美国
2023-10-10 10:59:13687

传三星、SK海力士将获美国首肯,无限期豁免对华出口管制;全球首款,苹果 iPhone 15 Pro 机型配备美光“D1β”

热点新闻 1、传三星、SK海力士将获美国首肯,无限期豁免对华出口管制 有媒体称,美国可能最早在本周宣布让韩国芯片制造商无限期豁免于美国对华半导体相关出口管制措施,这将让三星电子和SK海力士能够把芯片
2023-09-27 17:20:02521

传三星、SK海力士将获美国首肯,无限期豁免对华出口管制

有人提出,美国最快可能会在本周内宣布无限期免除美国对韩国半导体制造企业的对华半导体相关出口控制措施。因此,三星电子和sk海力士将可以向中国运输半导体制造设备。
2023-09-27 14:43:131951

SK海力士官宣终止与华为的合作

近期,有关韩国SK海力士为华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示,华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识,但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:031764

香农芯创:与华为没有业务往来,与SK海力士合作关系正常

sk海力士最近就华为mate 60 pro可能使用sk海力士存储芯片的半导体解体疑惑表示,美国政府对华为采取限制措施后,没有与华为进行交易,目前正在展开调查。
2023-09-14 09:28:01825

SK海力士正扩充韩国晶圆级封装部门人才

随着ai产业的增长,hbm需求剧增,sk海力士不得不增加人力和生产。hbm存储器是将多个dram芯片垂直堆叠起来,因此封装技术的防热性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356

Meta、英伟达相继拜访SK海力士,要求额外供应DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顾客之一,正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd (ssd)和服务器dram。据悉,对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:33502

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向英伟达提供样品

该公司表示,HBM3E(HBM3的扩展版本)的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平,SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E,巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41541

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281

SK海力士与三星电子上半年半导体库存接近50万亿韩元

8月18日消息,据外媒报道,在消费电子产品需求下滑,对存储芯片的需求减少之后,SK海力士和三星电子这两大存储芯片制造商,就相继削减了产量,其中SK海力士在去年10月份就已决定削减今年的投资,并逐步
2023-08-21 17:22:17638

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生产hbm3的经验为基础,成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础,从明年上半年开始批量生产hbm3e,巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

据dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度在dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58292

SK海力士LPDDR5T高速内存将应用于联发科下一代天玑旗舰平台

2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的带宽为9.6gbps,超过了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移动平台中速度最快。随着2026年左右新一代lpddr6内存正式上市,预计LPDDR5T将成为2023年到2025年最强大的移动平台。
2023-08-11 09:47:52657

SK海力士发布全球首款321层NAND

SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704

HBM需求高涨 三星、SK海力士投资超2万亿韩元积极扩产

据业界透露,三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上,将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后,利用清州工厂的闲置空间。
2023-08-01 11:47:02631

SK海力士将为苹果Vision Pro MR设备提供专用DRAM

为了实现这一功能,还必须适合用于辅助计算的dram。现有智能手机使用的移动dram的速度是有限的。sk海力士根据苹果公司的要求,提供了最适合操作r1芯片的dram。大幅增加了输入/输出(i/o)频道的数量,可以将数据迅速传送到存储器内外。
2023-07-12 09:39:56375

SK海力士宣布今年加薪4.5%

sk海力士27日表示,劳资双方在前一天的工资谈判中就上述内容暂时达成了协议。政府决定将上调4.5%,但今年1月以后上调的部分,如果季度营业利润转为顺差,就追溯支付。如果今年季度不能实现营业利润,就不上调今年的工资,并追溯适用劳资双方在确认明年盈利时达成协议的2023年的工资上调。
2023-06-28 11:14:521247

SK海力士2022年创造近7.6万亿韩元社会价值

 sk海力士此次在sk集团子公司中首次进行了包括合作伙伴公司在内的社会价值测定。公司方面认为,不仅是公司,整个半导体生态界的社会价值创造和esg管理能力的提高,是国内外利害关系者要求在多方面加强esg所必需的。
2023-06-12 11:13:04746

SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存

sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564

反超SK海力士,美光跃居第二大DRAM供应商

在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550

三星、SK海力士在华晶圆厂将获美国延长“豁免期”; 美制芯片将比台制芯片贵30%?台积电回应

(联合盟友)限制中国获得尖端半导体的关键。 在4月底,韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其在中国大连的第二座3D NAND Flash工厂的完工。在最坏的情况下,SK海力士可能会决定卖掉大楼而不是继续安装昂贵的设备。不过,最新的消息显示
2023-05-11 20:16:37631

突发!SK海力士或出售大连工厂

。 但更劲爆的新闻传出,由于向中国入口晶圆厂装备存在问题,SK海力士甚至可能在完成晶圆厂装备搬入之前出售晶圆厂外壳! 公然资料显示,SK海力士在2021年宣布接受的3D NAND生产和营业,并获得大连内存工厂。2022年5月,在英特尔通过基础设施、计划和地方政府的允许
2023-05-05 15:22:001636

今日看点丨美国将四家中国公司加入SDN名单!;SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM

为由,将4家中国公司加入SDN名单。   2. SK 海力士开发出世界首款12 层堆叠HBM3 DRAM ,已向客户提供样品   SK海力士20日宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存
2023-04-20 10:22:191453

Kioxia和Western Digital宣布第8代218层3D NAND闪存

传统上,控制逻辑和单元逻辑是在一个晶圆上单片制造的。SK 海力士将其这种制造版本称为 Peri Under Cell (PUC),而 WD 和 Kioxia 将其称为 CUA(Circuit Under Array)。
2023-04-04 11:43:141316

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