全球领先的存储解决方案供应商西部数据，在2023年宣布了重大的业务分拆计划，旨在将其HDD机械硬盘业务和Flash闪存及SSD固态硬盘业务进行拆分，各自独立成为新的公司。这一战略决策旨在更好地适应市场变化，提升业务运营效率，并促进各业务的持续发展。
2024-03-11 11:07:13
206 自2021年起，西部数据及合作方铠侠一直着手探讨合并事宜，以便共同掌控占据全世界NAND闪存市场三分之一份额的市场份额。然而，2023年10月的合并协商陷入停滞，此后西部数据宣布，他们将逐步剥离受供应过盛所困的闪存业务
2024-03-06 16:57:07243 我有一个 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一个 NOR 闪存，我可以从中将固件读取到 RAM，然后 NOR 闪存的一部分内存应该EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作为大容量存储设备。
我应该采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 
我尝试在蓝牙模块CYBT-343026-01（CYW20706）上下载应用程序到串行闪存，但失败了。
第一步是按照 AIROC™ HCI UART 控制协议文档（见下文）的指示向模块发送
2024-03-01 11:59:18
Lin 进一步补充道，尽管以往日本并非外国银行拓展的理想之地，因其负利率导致这些银行难以实现利润。然而，近年来，诸如七家台湾银行 - 玉山商业银行、彰化银行等纷纷在日本开设分行，这已是芯片产业繁荣发展的有力证据。
2024-02-23 16:02:20455 ; 没有这样的文件或目录\"。
似乎串行闪存库尚未设置。在库管理器1.0下，而我使用的是库管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行闪存库。
在此先谢谢。
2024-01-24 07:09:52
NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存，NOR是逻辑门电路中的“或非”门。NOR Flash具有并行访问结构，这意味着每个存储单元都有一个地址，可以直接访问任何存储单元，这使NOR Flash具有快速的随机访问能力，适用于执行代码和读取关键数据。
2023-12-27 14:37:05292 对于DRAM业务，这个公司的主要是低端市场，如小容量DDR4、DDR3等产品，且正在积极投入8Gb DDR4等新型DRAM研发，以便完善标准接口DRAM产品线，推动DRAM业务发展，满足客户需求。
2023-12-27 13:58:31247 FLASH闪存是一种非易失性内存，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
2023-12-15 14:06:27419 Nor Flash采用NOR门结构，其中每个存储单元都有不同的地址用于直接访问。这种并行访问功能可以实现高效的随机访问和快速的数据检索。
2023-12-05 15:21:59363 选择Nor Flash作为存储解决方案的一个主要原因就是Nor Flash的并行访问结构可实现快速读取速度和低读取延迟。
2023-12-05 14:32:31275 闪存编程也不涉及将数据写入存储单元，为确保准确编程，Nor Flash 支持字节级编程，允许写入或修改单个字节，而无需擦除整个块。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一种非易失性存储技术，用于存储数据和代码。它是一种闪存存储器，类似于NAND Flash，但具有不同的特性和应用场景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一种非易失性存储技术，对计算机存储具有重大影响，闪存其独特的特性和功能影响着计算机存储系统的各个方面
2023-12-05 10:32:31332 PY25Q128HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-30 16:38:00267 
NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53:20734 
PY25Q64HA是一种串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-29 16:45:57390 
NOR Flash。 全球 NOR Flash 厂商主要有美光科技、飞索半导体(Spansion）、旺宏、华邦等 IDM 企业。全球 NAND Flash 厂商主要有三星电子、东芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企业。
2023-11-23 09:36:17909 
2023年至第三季度，恒烁股份的研发投资为6945.60万元人民币。重点研发项目主要包括nor闪存芯片升级研发及产业化项目、通用mcu芯片升级研发及产业化项目、CiNOR 存算一体 ai推理芯片研发项目。第二，在公司新的业务方面，基于mcu的tinyml解决方案也是公司重点研发投资方向。
2023-11-09 12:00:35479 西部数据（Western Digital）宣布计划将其闪存业务与硬盘驱动器业务分拆为两家独立上市的公司。这一决定是为了满足激进投资者埃利奥特（Elliott Management）的要求，并因应市场变化和竞争压力。
2023-11-01 16:15:46404 地解释它们之间的差异。 1. FLASH存储器结构 NOR Flash和NAND Flash的主要区别在于它们的存储器结构。 NOR Flash 的存储器结构
2023-10-29 16:32:58646 i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash双程序可交替启动设计
2023-10-27 09:36:12236 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序启动设计
2023-09-26 16:53:52364 
电子发烧友网站提供《使用STARTUPE3对并行NOR闪存进行配置后访问的UltraScale FPGA应用说明.pdf》资料免费下载
2023-09-14 15:18:20
1 NAND Flash 和NOR Flash 的差别在哪儿呢？从字面意思上看， NAND = not AND(与非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同为非挥发
2023-09-11 16:59:231901 
引言：串行Nor Flash是一类使用比较多的存储器件，在特殊应用场景中具有不可替代的地位，本节是数字存储器件系列第一节，介绍串行Nor Flash的结构和参数特性。
2023-09-05 10:09:341663 
点击上方 蓝字 关注我们 NOR闪存已作为FPGA（现场可编程门列阵）的配置器件被广泛部署。其为FPGA带来的低延迟和高数据吞吐量特性使得FPGA在工业、通信和汽车ADAS（高级驾驶辅助系统
2023-08-15 13:55:02330 
）接口提高了系统性能，简化了设计，并降低了系统成本。Serial Nor Flash的最新八进制系列产品包括：八进制（xSPI）Flash、八进制RAM和八进制MCP。OctaBus Memory将闪存和RAM存储器集成到同一数据I/O总线中，将引脚数量减少到12个。
2023-08-11 15:45:32896 
引言：串行Nor Flash是一类使用比较多的存储器件，在特殊应用场景中具有不可替代的地位，本节是数字存储器件系列第一节，介绍串行Nor Flash的结构和参数特性。
2023-08-11 15:44:221074 
制造商: Winbond 产品种类: NOR闪存
2023-08-04 12:46:29
近年来，在物联网和消费电子产品的需求下，特别是在各种新兴应用的推动下，NOR Flash迎来了低谷翻转的机遇。不仅中高容量价格稳定，而且低容量NOR Flash价格的下降也大大缩小。特别是在TWS
2023-07-31 14:33:10460 阿里云、华为云、腾讯云等云服务商都有强大的云代理商资源，通过云代理商资源进行云业务拓展和运营，在自身渠道拓展之外开辟另外的主战场;同时，通过云代理的机制加强和行业重点客户、上下游目标客户、生态合作客户等群体的联系，提升整体业务质态。
2023-07-14 15:15:501062 Flash闪存是一种存储器,主要用于一般性程序存储，以及电脑与其他数字产品间交换传输数据。根据内部存储结构不同,Flash主要有两种，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982 我们知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外设引脚上，有时串行NOR Flash启动也叫FlexSPI NOR启动。
2023-06-02 17:43:28928 
我需要为生产目的对 ESP8285 IC 进行闪存编程。我正在寻找可以在 3 秒内完成此操作的 SPI 闪存编程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道吗？
2023-05-31 10:11:19
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 连接 Spansion S25 闪存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函数来传输和接收数据，但是函数描述告诉长度参数是要发送的字节数，但是我们如何才能使用相同的函数接收所需的字节数？
2023-05-29 06:05:57
和 26（U0TXD，U0RXD）。有与 SD_Data_2 和 3（引脚 18 和 19）的连接，所以我的问题是 - 我可以使用 18 和 19 通过串行连接进入闪存模式，还是我有一块不是为访问通常的串行引脚而设计的板？在无法访问 25 和 26 的情况下，他们如何在生产环境中闪现这个东西？
2023-05-26 10:02:03
为了避免在一些用于测试 ESP8266 固件的串行终端和一些闪存编程工具之间切换，我制作了自己的小 win 程序，它将这两个任务合并到一个 exe 中。
如果 USB2UART 桥的 RTS
2023-05-24 07:39:04
记：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，为 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置数据，与我们的非常相似：
LUT@0x244（从闪存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一个带有两个 rt600 处理器的设置，其中只有一个连接了闪存。
我想从闪存启动一个处理器，然后该处理器通过串行连接将图像发送到另一个处理器。
两个图像都需要经过身份验证。我已经成功地为第一个
2023-05-18 06:56:48
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的闪存配置。
代码编译但在我运行它时永远不会进入主要状态（请参见下面的屏幕截图）：
知道我哪里出错了吗？我附上了 MCUXpresso 项目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根据文档（表 1. 系统内存映射）
两者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 区域#1（ 0-2 GB））。
上传图片时没有错误。
NOR 闪存的标准刻录命令是（来自文档
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 产品之一，它是由第三方制造的），它安装了 Micron
MT35XU512ABA 八进制串行 NOR 闪存。对于 M7_0，我必须调整 RTD
2023-05-16 06:04:49
NORFlash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240 
我们在板上使用 MIMXRT1051CVL5B。
通过 LPSPI NOR/EEPROM（BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下载器）成功连接到引导实用程序。
在烧断保险丝并定义
2023-05-10 08:53:24
MXRT1050 FlexSPI 模块具有 LUT，最多支持 16 个序列，相当于 16 个闪存命令。
现在许多 NOR 闪存芯片支持的命令远远超过 16 条。
1. 有没有办法支持超过 16 个
2023-05-08 06:52:22
我正在使用带有连接到 lpspi3 接口的 NOR 闪存的 i.MX8Q。
这是我的设备树的相关部分
&lpspi3 {
pinctrl-names = \\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一个iMX8X iMX8QXP，我正在尝试在 NOR 闪存（最终是 eMMC）上设置辅助引导容器集。我试图在烧掉任何 OTP 保险丝之前验证基本功能，所以这就是我目前对 NOR 闪存进行分区
2023-05-05 10:40:17
从 NOR 闪存启动时，Core0 如何获取启动代码？
电路板设置 (T1024RDB) 是：
开关将 RCW_SRC 设置为 NOR 闪存
PBL/RCW 设置为 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 内存有类似的东西吗？fitImages 有用吗？
4. 由于 uuu 强制 bootcmd=fastboot 0，我如何将其更改为从我的 SPI-NOR 闪存加载？我需要 2 个不同版本
2023-05-04 06:30:41
我们有一个定制板，其中存在 T1042 处理器。以前我已经能够通过修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 项目的 u-boot 源代码从 SDCARD 启动它。现在，我试图从 NOR 闪存启动它，但我无法成功。 我已经将图像写入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
大家好，我们刚刚获得了自己设计的第一个原型，其中包含以下组件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 闪存是连接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
我从使用板载 NOR 闪存映像启动的 LS1028A 处理器 EVM 开始。现在，需要从 I2C EEPROM [RCW] 启动并跳转到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
带多I/O SPI的3V四路串行闪存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行闪存
2023-04-04 20:31:37
我需要一些关于 i.MX RT 1160 EVK 中的闪存支持的说明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 变体，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
512 Kbit SPI串行闪存
2023-03-28 18:25:33
512K位CMOS串行NOR闪存 TSSOP8_3X4.4MM
2023-03-28 17:08:17
16M位串行闪存
2023-03-28 16:48:13
微米串行NOR闪存3V，多I/O，4KB扇区擦除
2023-03-28 15:18:09
512K位[x 1]CMOS串行闪存
2023-03-28 15:17:15
32M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
超低功耗，8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
16M位 SPI NOR闪存
2023-03-28 12:51:10
8M BIT SPI NOR闪存
2023-03-28 12:51:10
4/2M 位 SPI NOR 闪存
2023-03-28 12:51:07
16M位 SPI NOR闪存
2023-03-28 12:51:06
8M BIT SPI NOR闪存
2023-03-28 12:51:04
8M位串行NOR闪存，1024K字节
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行闪存
2023-03-28 00:21:26
3V 4位串行NOR闪存，带双和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
32 Mbit数据闪存（带额外1位）2.3V最小SPI串行闪存
2023-03-27 13:53:05
串行闪存与双/四spi
2023-03-27 11:56:46
我正在使用 i.MXRT1176 并计划使用 FlexSPI 模块将固件更新写入外部 NOR 闪存。该应用程序将从同一外部存储器运行，但是，更新将写入不同的部分。我以前没有使用过带有外部程序存储器
2023-03-24 08:08:30
我有一个有趣的问题，我确定是配置问题。这是我第一次使用 QSPI 闪存设备和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的机器上跑得慢很多。我有 2 个 NOR 闪存设备连接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和实用程序从我们的 FlexSPI NOR 闪存读取/写入。为了进步我实际上有两个问题：- 有人可以向我解释一下为 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
）。现在我们正在尝试从未融合单元上的 FLEXSPI NOR 存储器启动生产测试应用程序。我正在尝试使用 MIMXRT1060 的闪存加载器将应用程序加载到 NOR 内存中。写入似乎没问题，但应用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的，然后继续我测试的其他阶段。（我不想一次擦除整个芯片，因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
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