BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41
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英特尔为英特尔代工厂（Intel Foundry）的首次亮相举行了名为Intel Direct Connect的开幕活动，英特尔在活动中全面讨论了其进入下一个十年的工艺技术路线图，包括其14A前沿节点。
2024-03-15 14:55:09249 德州仪器（TI）近日推出两款创新的功率转换器件产品系列，旨在帮助工程师在更紧凑的空间内实现更高的功率输出，从而以更低的成本提供卓越的功率密度。这一突破性的技术进展，无疑将推动汽车和工业系统等领域的技术革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:13107 交给代工厂来开发和交付。台积电是这一阶段的关键先驱。
半导体的第四个时代——开放式创新平台
仔细观察，我们即将回到原点。随着半导体行业的不断成熟，工艺复杂性和设计复杂性开始呈爆炸式增长。工艺技术
2024-03-13 16:52:37
Ansys的多物理场签核解决方案已经成功获得英特尔代工（Intel Foundry）的认证，这一认证使得Ansys能够支持对采用英特尔18A工艺技术设计的先进集成电路（IC）进行签核验证。18A工艺技术集成了新型RibbonFET晶体管技术和背面供电技术，代表了半导体制造领域的一项重大突破。
2024-03-11 11:25:41254 是德科技与Intel Foundry的这次合作，无疑在半导体和集成电路设计领域引起了广泛的关注。双方成功验证了支持Intel 18A工艺技术的电磁仿真软件，为设计工程师们提供了更加先进和高效的设计工具。
2024-03-08 10:30:37274 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43103 
全球领先的半导体解决方案供应商德州仪器（TI）近日宣布推出两个全新的功率转换器件产品系列，旨在帮助工程师在有限的空间内实现更高的功率输出，同时降低成本，提升功率密度。这一创新性的技术突破，无疑将为汽车和工业系统等领域的设计带来革命性的变革。
2024-03-07 11:21:02343 ，加拿大和墨西哥设立了超过40处分部。Heilind为电子行业各细分市场的原始设备制造商和合约制造商提供支持，供应来自业界顶尖制造商的产品，涵盖25个不同元器件类别，并特别专注于互连与机电产品。其主要
2024-03-06 16:51:58
共读好书 杜隆纯 何勇 刘洪伟 刘晓鹏 （湖南国芯半导体科技有限公司 湖南省功率半导体创新中心） 摘要： 针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片双面银烧结技术与粗铜线超声键合
2024-03-05 08:41:47103 
Cadence近日宣布，其数字和定制/模拟流程在Intel的18A工艺技术上成功通过认证。这一里程碑式的成就意味着Cadence的设计IP将全面支持Intel的代工厂在这一关键节点上的工作，并提
2024-02-27 14:02:18159 三星与高通的合作正在不断深化。高通计划采纳三星代工工厂的尖端全栅极（GAA）工艺技术，以优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:18299 密性等。本文介绍了五种用于MEMS封装的封帽工艺技术,即平行缝焊、钎焊、激光焊接、超声焊接和胶粘封帽。总结了不同封帽工艺的特点以及不同MEMS器件对封帽工艺的选择。本文还介绍了几种常用的吸附剂类型,针对吸附剂易于饱和问题,给出了封帽工艺解决方案,探
2024-02-25 08:39:28170 
英特尔公司近日宣布，将推出全新的系统级代工服务——英特尔代工（Intel Foundry），以满足AI时代对先进制程技术的需求。这一举措标志着英特尔在半导体制造领域的战略扩张，并为其客户提供了更广泛的制程选择。
2024-02-23 18:23:321028 功率器件，是指用于调控和变换电力的器件。从民生用品到工业设备，京瓷集团一直向市场提供各种高品质、高可靠性的节能型产品。
2024-02-23 09:17:01263 
三星继续推进工艺技术的进步，近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸，降低供电电压，增强功率效率，同时也能增强驱动电流，进而实现更高的性能表现。
2024-02-22 09:36:01121 是把技术吃透以后把以前的技术共用和拓展，或者组合，公司能够不断推出新产品，进军新的市场。这是技术为产品服务，产品的良好销售使公司获得好的利润，再投入到技术研发中形成良性循环。品牌是萨科微/金航标发展
2024-01-31 11:38:47
近期，中国大陆的晶圆代工厂采取了降低流片价格的策略，旨在吸引更多客户。这一策略的实施可能导致一些客户考虑取消订单，并考虑转向中国大陆的晶圆代工厂。
2024-01-25 16:37:072004 DOH新工艺技术助力提升功率器件性能及使用寿命
2024-01-11 10:00:33120 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也称为电力电子器件，是专门用来进行功率处理的半导体器件。功率器件具有承受高电压、通过大电流的能力，处理电压的范围可以从几十伏到几千伏，通过电流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 台积电在规划其3nm工艺技术时，推出了五种不同的节点，包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中，N3B是首个3nm节点，并已投入量产。
2024-01-08 18:04:57659 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
2023-12-29 12:30:49362 
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 编辑
AGM Micro发布兼容STM32的MCU产品系列，推出具有低延迟高灵活性的功能模块MCU产品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59:112688 
中国&全球领先的MEMS芯片代工企业赛微电子12月24日晚公告，全资子公司瑞典Silex获得客户光链路交换器件（OCS）批量采购订单，意味着MEMS-OCS启动商业化规模量产。 据相关媒体透露
2023-12-26 08:36:02225 
欢迎了解 聂洪林 陈佳荣 任万春 郭林 蔡少峰 李科 陈凤甫 蒲俊德 （西南科技大学 四川立泰电子有限公司） 摘要： 探究了引线键合工艺的重要参数对功率器件键合可靠性的影响机制，进而优化超声引线键合
2023-12-25 08:42:15197 
，但其未来应用前景广阔，具有很高的实用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成为目前电力电子技术中的热门研究方向之一。相较于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能带宽度和较大的热导率，这意味着在高温或高电压应用中具有
2023-12-21 11:27:09285 1. 台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产 台积电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）的小组研讨会上透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经
2023-12-14 11:16:00733 每一个功率器件都需要一个驱动芯片，合适的驱动芯片总能带来事半功倍的效果，为客户提供全面、高效的产品和解决方案
2023-12-04 09:15:04154 
在“通孔插装轴向元器件引线在印制电路板焊盘上的搭接焊接工艺技术要求”一节里，详细介绍了搭接焊接的前提，元器件引线搭接焊接成形要求，不同形状引线的搭接要求，通孔插装元器件穿孔搭接焊接要求和插装元器件贴装焊接缺陷案例。
2023-12-02 10:48:431567 
专为电信应用需求设计。CHA6653-98F选用PHEMT工艺技术，栅极尺寸为0.15um。主要特征宽带性能：27-34GHZ32dbm饱和功率38dbmOIP323db增益值直流电偏置电压：Vd=6伏ldq=0.9A封装尺寸3.61x3.46x0.07mm
2023-11-27 14:46:32
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术
2023-11-24 16:09:22534 
模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工艺，进一步增强其在射频领域的广泛实力。
2023-11-21 17:03:00385 当年苹果推出第一代iPhone后，iPhone芯片一直是由三星代工，但2016年iPhone 7开始三星却被台积电取代，由台积电担任独家代工厂。这些年来三星晶圆代工事业的4纳米制程无论在芯片效能及良率上都落后台积电一大截，导致许多大客户都投向台积电怀抱。
2023-11-20 17:06:15680 保护机制包括每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护。YB2503HV需要非常少的常规外围器件。采用简单通用的8脚的ESOP8封装.独特的软开关ZVS技术，让异步的芯片效率高达93%效率 步芯片外围
2023-11-04 10:49:40
英特尔和台积电都打算分别于 2024 年和 2025 年开始使用 GAA 晶体管及其 20A 和 N2（2 纳米级）工艺技术。当这些公司推出基于纳米片的节点时，三星将在环栅晶体管方面拥有丰富的经验，这可能对代工厂有利。
2023-11-02 09:25:2587 
2025 年，三星预计将推出 SF2（2nm 级）制造工艺，该工艺不仅依赖 GAA 晶体管，还将采用背面功率传输，这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处，
2023-11-01 12:34:14222 
BCD工艺是1986年由ST首次推出的一种单晶片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出现大大地减小了芯片的面积。
2023-10-31 16:08:22641 
摘要：莱迪思(Lattice )半导体公司在这应用领域已经推出两款低成本带有SERDES的 FPGA器件系列基础上，日前又推出采用富士通公司先进的低功耗工艺，目前业界首款最低功耗与价格并拥有SERDES 功能的FPGA器件――中档的、采用65nm工艺技术的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24234 电子产品装联工艺技术详解
2023-10-27 15:28:22372 
1. 三星透露：已和大客户接洽2nm 、1.4nm 代工服务 三星旗下晶圆代工部门Samsung Foundry首席技术官Jeong Ki-tae 近日透露，三星尽管成功量产3nm GAA工艺
2023-10-27 11:14:21748 
新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，面向台积公司N5A工艺推出业界领先的广泛车规级接口IP和基础IP产品组合，携手台积公司推动下一代“软件定义汽车”发展，满足汽车系统级芯片（SoC）的长期可靠性和高性能计算需求。
2023-10-24 17:24:56505 新思科技接口和基础 IP 组合已获多家全球领先企业采用，可为 ADAS 系统级芯片提供高可靠性保障 摘要： 面向台积公司N5A工艺的新思科技IP产品在汽车温度等级2级下符合 AEC-Q100 认证
2023-10-23 15:54:07690 光板工艺测试技术是电路板抄板改板过程中常用到的一种制板工艺技术，目的是为了能确保成品电路板的品质。以下我们提供完整的光板工艺测试指导手册供的大家参考。
2023-10-18 15:05:10174 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
科技
成立时间：2006年
业务模式：IDM
简介：产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等，为客户提供一揽子产品解决方案。于2018年3月控股一条宜兴 6 英寸
2023-10-16 11:00:14
)，均通过HV-H3TRB可靠性试验，在客户应用工况下有着极高的效率。 电路拓扑：NPC-I MMG400CF065PD6T5C 0 1 产品特点 采用焊接PIN的GCF封装（兼容Easy3B
2023-10-12 19:25:01489 
传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装
2023-09-24 10:42:40391 
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342680 
采用华虹128通道同测技术
04取得嵌入式非挥发性内存解决方案厂商Cypress 90nm SONOS工艺技术License授权
05多种小型化的封装类型等行业中，其中WLCSP封装面积仅为665umx676um ,广泛用于消费、工业、通讯、医疗
2023-09-15 08:22:26
工艺平台涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组，以及车载、工业、消费类传感器，应用领域覆盖智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G通信、物联网、家用电器等行业。
2023-09-14 09:40:031047 
语音芯片和解决方案。累计服务B端客户5000+家，积累了丰富的芯片应用、技术支持、大批量生产工艺调试和品质保证等经验。
接下来，小编简短介绍启英泰伦是如何全方位支持客户项目，保障客户高效完成语音产品
2023-09-07 10:24:13
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
2023-09-07 09:55:521082 
1 功率分立产品概述
2 IGBT 产品系列
3 HV MOSFET 产品系列
4 SiC MOSFET 产品系列
5 整流器及可控硅产品系列
6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
封装技术是一种将芯片与承载基板连接固定、引出管脚并将其塑封成整体功率器件或模块的工艺，主要起到电气连接、结构支持和保护、提供散热途径等作用[4]。封装作为模块集成的核心环节，封装材料、工艺和结构直接影响到功率模块的热、电和电磁干扰等特性。
2023-08-24 11:31:341049 
2006电子元器件搪锡工艺技术要求
2023-08-23 16:48:03
3 碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
ISO26262 ASIL-D 的车用电池系统。
系统示意图
关于以上新唐产品，客户可直接通过华秋商城采购！作为本土“元器件电商”的“探索者”之一，华秋商城致力为全球电子产业创造价值，向客户提供围绕“品牌选型
2023-08-11 14:20:51
控制和服务器市场。EF4 器件采用 55nm 低功耗工艺，最多支持 279 个用户 I/O，满足客户板级 IO 扩展应用需求和器件的可靠性和性能要求。安路科技提供丰富的设计工具帮助用户有效地利用 EF4 平台实现复杂设计。业界领先的综合和布局布线工具，为用户设计高质量产品提供有力保障。
2023-08-09 06:01:19
电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的制造工艺技术，很难生产出先进的产品。今天我们来看看电机制造中的那些关键工艺。
2023-08-01 10:35:46294 
随着晶体管尺寸的不断微缩，晶圆制造工艺日益复杂，对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
2023-08-01 10:01:561634 
电子发烧友网站提供《用于电机控制应用的高性能功率器件技术和产品.pdf》资料免费下载
2023-07-31 16:30:260 电子发烧友网站提供《用于高性能电源管理的宽功率器件技术和产品解决方案.pdf》资料免费下载
2023-07-31 16:16:101 森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
季丰电子面向客户提供完整的半导体工艺可靠性测试、验证和咨询服务，可有效缩短制造工艺和器件开发的时间，加速客户产品投入市场的进程周期。 工艺可靠性业务主要基于行业通用及客户定制标准、产品、工艺特点
2023-07-23 11:16:121376 
电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的制造工艺技术，很难生产出先进的产品。今天我们来看看电机制造中的那些关键工艺。
2023-07-21 17:19:25694 
来源：ACT半导体芯科技 随着我国集成电路国产化进程的加深、下游应用领域的蓬勃发展以及国内先进封测龙头企业工艺技术的不断进步，先进封测行业市场空间将进一步扩大。而能否实现全产业链的协同发展，是先进
2023-07-17 20:04:55320 
根据synopsys、cadence digital、siemens和ansys的新闻稿，这些公司目前拥有适用于ifs的intel 16的多种工具。这些工具的设计符合各种客户应用程序，包括无线频率和模拟功能（wi-fi， bluetoose）、毫米波、家电、内存、军事、航空和政府应用程序。
2023-07-14 10:45:34257 在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
三星详细介绍了他们的2纳米制造工艺量产计划和性能水平，并宣布从2025年开始提供8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工服务，以满足人工智能技术的需求。这种半导体具有高性能低功耗的特点，在消费类电子、数据中心和汽车等领域将得到广泛应用。
2023-06-29 14:48:15753 半导体制造支持。我们的全方位代工服务，为汽车、医疗、工业和消费应用提供多种经过生产验证的行业标准工艺技术。 工艺路线图 艾迈斯欧司朗通过广泛的专业工艺，展示自己在模拟和混合信号晶圆制造行业领域的领导地位。特殊工艺
2023-06-27 12:30:02306 
InP 材料在力学方面具有软脆的特性，导致100 mm（4 英寸）InP 晶圆在化合物半导体工艺中有显著的形变和碎裂的风险；同时，InP 基化合物半导体光电子器件芯片大部分采用双面工艺，在晶圆的双面进行半导体工艺。
2023-06-27 11:29:327380 
小间距LED显示屏的高清显示、高刷新频率、无缝拼接、良好的散热系统、拆装方便灵活等特点已经被广大的行业用户熟知，但是，再进一步，说到小间距LED屏具体的工艺技术，普通大众则很少知晓，“只知其一不知其二”，专业知识的匮乏，直接导致了选购盲点的出现。
2023-06-14 15:48:43345 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
。此外，提前布局功率器件最先进的技术领域，开展对SiC等宽禁带半导体功率器件的研究探索，提升公司核心产品竞争力。
上海贝岭功率器件产品
广大客户现可通过华秋商城购买上海贝岭系列产品！作为本土“元器件电商
2023-06-09 14:52:24
印制电路板是电子产品的关键电子互联件，被誉为“电子产品之母”。随着电子产品相关技术应用更快发展、迭代、融合，PCB作为承载电子元器件并连接电路的桥梁，为满足电子信息领域的新技术、新应用的需求，行业将
2023-06-09 14:08:34
功率模组封装代工 功率模块封装是指其中在一个基板上集成有一个或多个开关元件的功率半导体产品，所述开关元件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管
2023-05-31 09:32:31287 UMW)，隶属于友台半导体有限公司，于2013 年成立于香港，总部和销售中心坐落于广东深圳，是一家集成电路及分立器件芯片研发设计、封装制造、产品销售为一体的高新技术企业。产品一直坚持定位高端品质，在国内外
2023-05-26 14:24:29
、智能家居等领域，但是不同领域应用的功率器件特点迥异，需要根据相应需求和产品特性选择合适的半导体封装技术，以提升器件性能和可靠性，降低成本，满足日益增长的市场需求。 据芯谋研究不久前发布的报告显示，2022年全球功率分立器件
2023-05-25 17:16:42357 电子电路表面组装技术（SMT：Surface Mount Technology）是现代电子产品先进制造 技术的重要组成部分。
2023-05-25 09:48:121121 年 3 月,注册资本 50.76 亿元人民币，总部位于浙江绍兴，是一家专注于功率、传感和射频前端的晶圆代工企业，为客户提供一站式芯片及模组代工制造服务。 2018 年 5月公司开始建设8英寸特色工艺集成电路制造生产线和一条模组封装测试生产线， 于 2019 年 12 月开始量产。 公司无
2023-05-25 08:38:40942 
新微半导体40V氮化镓功率器件工艺平台拥有较大的工艺窗口，并具有良好的一致性和稳定性的工艺保障。其采用的无金工艺，RC<0.4 Ω·mm；栅极采用自对准工艺，使得栅极形貌良好，且最小线宽低至0.5µm。
2023-05-24 16:24:051698 
在半导体晶圆代工行业内，特色工艺是指以拓展摩尔定律为指导，不完全依赖缩小晶体管特征尺寸（以下简称“线宽”），通过聚焦新材料、新结构、新器件的研发创新与运用，并强调特色IP定制能力和技术品类多元性的半导体晶圆制造工艺。
2023-05-17 15:49:56245 
随着半导体封装尺寸日益变小，普遍应用于大功率器件上的粗铝线键合技术不再是可行的选择。
2023-05-08 11:35:12417 
，包括最新的 N3E 和 N2 工艺技术。这一新的生成式设计迁移流程由 Cadence 和台积电共同开发，旨在实现定制和模拟 IC 设计在台积电工艺技术之间的自动迁移。与人工迁移相比，已使用该流程的客户成功地将迁移时间缩短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 目前，FC-BGA 都是在C4 的设计基础上，再进行封装与工艺技术的设计与研发的。
2023-04-28 15:09:20755 
4月26日，长电科技举办2023年第二期线上技术论坛，主题聚焦功率器件封装及应用，与业界交流长电科技在这一领域的技术经验与创新。
2023-04-27 09:20:01638 使其更容易受到损坏。即使焊点坚固， 但也容易受到损伤。在组装过程从一道工序转移到另一道工序，PCB 板的柔软性也会对焊点施加应力。PCB 布局设计时，应将 BGA 器件的贴装位置偏离 PCB 边沿与高应力区域。
原作者：丛 飞 现代电子装联工艺技术交流平台
2023-04-25 18:13:15
设计技术，和将IC、MOS、电阻电容、二极管等多个不同功能的主被动芯片整合成系统的先进封装技术等。广大客户现可通过华秋商城购买晶导微系列产品！作为本土“元器件电商”的“探索者”之一，华秋商城致力为全球电子
2023-04-14 16:00:28
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2023-04-14 13:46:39
； 八、组合检测工艺方案 1、每种检测技术都有各自的长处和短处。 选择合适的组合检测方案是对时间－市场，时间－产量以及时间－利润等诸多因素的综合考虑，在产品的不同生产周期要求有不同的检测工艺方案
2023-04-07 14:41:37
DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 中芯集成是国内领先的特色工艺晶圆代工企业，主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案；而且中芯集成也是目前国内少数可以提供车规级IGBT芯片的晶圆代工
2023-04-06 11:29:281557 KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工艺技术的页面闪存
2023-03-25 03:30:11
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