安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模块，可为电动汽车直流超快速充电桩提供双向充电功能。
2024-03-21 09:59:25
276 安森美公司近日发布了全新EliteSiC功率集成模块，这款创新产品为电动汽车直流超快速充电桩赋予了双向充电的先进功能。相较于传统的硅基IGBT解决方案，EliteSiC在尺寸上实现了最多40%的缩减
2024-03-21 09:34:5280 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具，适用于软/硬开关应用，使工程师在开发周期的早期阶段，
2024-03-20 09:58:3883 安森美（onsemi）近日宣布成立全新的模拟与混合信号事业部（AMG），以进一步加强其在电源管理和传感器接口领域的市场地位，并瞄准价值193亿美元的新增市场。该事业部由新任命的总裁Sudhir Gopalswamy领导，他将带领团队专注于扩大安森美的产品组合，并加速公司在汽车、工业和云端市场的增长。
2024-03-15 09:53:21103 2023年，东芝半导体的功率器件销售额估计约为1000亿日元，其中35%用于汽车市场，20%用于工业市场。
2024-03-04 18:10:33301 天宜微宣布，双方将在下一代AR/VR OLED微型显示器的开发领域展开战略合作，以满足中国和全球市场对先进AR/VR解决方案日益增长的需求。
2024-03-04 10:54:17401 安森美，智能电源和智能感知技术的领军企业，今日宣布推出SPM31智能功率模块（IPM），该模块采用了创新的场截止第7代（FS7）绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，显著降低了总体系统成本，为行业树立了新的标杆。
2024-03-01 09:53:53163 ）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:001843 来源：安森美 SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能 2月27日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，宣布推出采用了新的场截止
2024-02-27 15:42:11121 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 三星电子近日宣布，已在美国硅谷开设一个新的研发（R&D）实验室，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。这一新实验室将由三星的Device Solutions America（DSA）运营，并负责监督公司在美国的半导体生产活动。
2024-01-29 11:29:25432 前不久，我们分享了安森美(onsemi)2023年度精选汽车方案。在2023年，安森美还发布了多项全新工业产品和解决方案，使我们能够不断将创新和愿景付诸实践。我们的持续创新也获得了电力电子行业的认可。今天将为大家盘点安森美2023年在工业领域所取得成就中的一些亮点。
2024-01-12 09:39:01253 半导体产业网讯：2024 年1月 9日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)，宣布和豪华智能电动车品牌理想汽车(Li Auto)续签长期供货协议。
2024-01-10 09:23:11577 晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 安森美，一家在智能电源和智能感知技术领域领先的企业，近日宣布与豪华智能电动车品牌理想汽车续签长期供货协议。这一合作标志着两家公司在推动汽车电动化和智能化方面迈出了重要的一步。
2024-01-09 14:38:46557 MIPI A-PHY标准的芯片组,以满足市场对这一创新连接解决方案的强劲需求。双方合作的起点是通过英特尔的领先技术在汽车行业开发下一代A-PHY产品,本次合作进一步加强了Valens和英特尔之间的战略
2024-01-09 11:38:23390 安森美成熟的800万像素图像传感器。此协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并继续在其未来车型中集成安森美800万像素高性能图像传感器。两家公司的合作将加快汽车电动化进程和提升行车安全性。
2024-01-09 11:08:52375 2024年1月8日--领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。
2024-01-08 18:04:37464 由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战，GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是，随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良，宇航电源将会得到更大助推。
结合高集成度电源设计，以及优化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
近日，安森美2023 China EPS Training Certification会议现场， 安富利安森美团队荣获由安森美授予的“Emerging Power and Sensing
2023-12-27 17:10:02168 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化镓（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 安森美的核心制胜主要推动力，一个是智能感知方面的图像传感器技术；在智能感知方面，安森美的图像传感器在全球汽车和工业市场排名全球前列。
2023-12-18 10:28:45193 
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11462 我们正在进行一项关于下一代开发者体验的研究，旨在深入了解和优化未来的开发工作流程和工具。在全部数据回收后， 将抽取一定比例的开发者获得50元京东卡 ，请您在问卷最后准确留下您的联系方式，以便兑奖
2023-12-15 15:50:02159 GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 进的SiC制造工厂之一。该工厂全负荷生产时，每年可生产超过一百万片200mm SiC晶圆，能够满足市场对碳化硅器件的迅速增长需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 亿美元的稳健业绩，接近其上季度的指导范围上限。 全年碳化硅营收预计将创新高。 对于2024年的预期，
2023-12-07 10:25:02231 作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52776 
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03350 
点击蓝字 关注我们 三城巡回圆满落幕，继可再生能源大会金句集锦之后，小编再为大家带来电动汽车应用技术大会的演讲精华，这些看点不可错过：安森美功率产品在主驱、车载充电机（OBC）、电动
2023-11-30 19:50:01269 适用于下一代大功率应用的XHP™2封装
2023-11-29 17:04:50265 
点击蓝字 关注我们 安森美（onsemi） 可再生能源大会圆满收官 来自 古瑞瓦特、 蔚来、 中认国创检测技术 的嘉宾以及 安森美专家天团 金句频出，带来 可再生能源高速增长下SiC等功率器件
2023-11-28 19:10:02369 解锁高速高精度工业应用，安森美电感式位置传感器了解一下？
2023-11-24 17:33:39337 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163 
/电动汽车 (xEV) 和能源基础设施 (EI) 电源转换系统方案的迭代和创新。这先进的系统应用实验室提供专用设备，并与汽车主机厂(OEM)、一级供应商和 EI 供应商合作，开发和测试下一代硅 (Si
2023-11-21 10:45:02166 
保证了HEMT器件产品在0-850V的电压区间上的安全稳定工作，在国内市场中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可开发出650V、900V、以及1200V HEMT产品，推动氮化镓向更高压、更高功率应用领域迈进。
2023-11-16 11:56:22590 
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
2023-11-14 10:32:08383 
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
瑞萨高性能计算、模拟和电源方案事业群功能部门和业务开发主管 Takeshi Fuse 表示：“安森美是汽车图像传感器技术的市场领导者和创新者，我们与安森美携手将为客户提供超高系统性能、功能安全和网络安全，是明智的选择。
2023-11-01 17:21:17537 安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长，安森美美计划在未来三年内雇用
2023-10-26 17:26:58742 产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达 1,000 名当地员工来填补大部分高技术职位；相比目前的约 2,300 名员工，人数将增加 40% 以上。 碳化硅器件是电动汽车 (EV)、能源基础设施和大功率 EV 充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长，使得 对Si
2023-10-24 15:55:22779 CAT5113VI-10-GT3,ON/安森美,100抽头数字可编程电位计CAT5113VI-10-GT3,ON/安森美,100抽头数字可编程电位计CAT5113VI-10-GT3,说明
2023-10-24 15:09:48
使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40707 
点击蓝字 关注我们 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中， 安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展
2023-10-20 01:55:01180 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11291 
机构Yole数据显示，2022年GaN功率器件在总功率半导体（功率芯片、功率分立器件和模块）市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高（59%），Yole预计到2027
2023-09-21 17:39:211626 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25657 
桩套件 涵盖光伏低、中、高功率范围的功率集成模块 NCS32100旋转位置传感器 超高密度（UHD）方案 ...... 此外，安森美专家天团已高能集结，欢迎来
2023-08-31 11:40:01386 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
近日，阿卜杜拉国王科技大学（King Abdullah University，KAUST）了一项研究成果，该成果可能有助于改进下一代电池的阳极材料。
2023-08-08 14:44:28178 2023年6月13日，力源信息与安森美（onsemi）应用联合实验室揭牌成立。力源信息董事长兼总经理赵马克先生、力源信息副总经理兼销售及市场总监陈福鸿先生、安森美全球销售执行副总裁MikeBalow
2023-07-31 18:02:58736 
Agreement, LTSA)，为多家领先的光伏逆变器制造商提供智能电源技术，进一步巩固了安森美在这一快速增长领域的头部功率半导体供应商地位。 安森美提供卓越的裸片技术、优化和定制的模块设计及封装，助力光伏逆变器供应商能够在产品上市时间、产品开发、供应弹性和稳健的质量保证方面具
2023-07-27 11:35:02269 来源：安森美 博格华纳将集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模块中，用于主驱逆变器解决方案，以提高电动汽车的性能 Viper 800V碳化硅逆变器 近日
2023-07-20 18:01:24663 
证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方
2023-07-19 11:15:03421 
据麦姆斯咨询报道，Skylark Lasers近日宣布获得“创新英国（Innovate UK）”项目234万英镑资金，以助其开发下一代量子导航和计时系统。
2023-07-18 09:01:35430 点击蓝字 关注我们 上海机器视觉展DAY 2精彩继续 5.1号馆 D204 安森美展台有哪些精彩呈现？ 通过30s快闪视频一睹为快 安森美展示了系列图像传感器，多种热门应用场景轻松拿捏。这些明星产品
2023-07-12 14:35:03183 
; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
数据速率，而 6G 预计从 2030 年起将以 100Gbit/s 的速度运行。除了应对更多数据和连接之外，研究人员还研究下一代无线通信如何支持自动驾驶和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00:10339 
中的应用也越来越广泛。 安森美(onsemi)工业电源方案产品营销总监Ajay Sattu 近日接受探索科技采访，就工业功率器件的相关问题阐述了精彩观点，一起来看看吧~ Ajay Sattu 安森美工业电源方案产品营销总监 Q1 工业用功率器件相较于其它行业的功率器件，
2023-07-05 19:20:02198 
安森美 准谐振反激控制器 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在简化高性能脱机功率变换器的设计。NCP1342控
2023-07-05 15:44:15
安森美65W氮化镓PD充电器芯片 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在简化高性能脱机功率变换器的设计。NCP13
2023-07-05 15:24:23
安森美 NCV8415自保护低侧MOSFET驱动器是三端保护的智能分立FET，适用于严苛的汽车环境。NCV8415元件具有各种保护特性，包括用于Delta热关断、过电流、过温、ESD和用于过压保护的集成漏极-栅极钳位。该器件还通过栅极引脚提供故障指示。下面AMEYA360电子元器件采购网详细介绍。
2023-07-04 16:24:15266 
继第一代和第二代半导体技术之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料和器件，是发展大功率、高频高温、抗强辐射和蓝光激光器等技术的关键核心。因为第三代半导体的优良特性，该半导体技术逐渐成为了近年来半导体研究
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位
2023-06-16 14:40:01389 
之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供
2023-06-16 14:39:39538 
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551643 
点击蓝字 关注我们 智能电源和智能感知技术的领先企业 安森美 （ onsemi ，美国纳斯达克上市代号：ON），将于美国时间2023年6月20日星期二开市前被纳入 纳斯达克100指数 。安森美已连续
2023-06-13 10:35:02262 
电子发烧友网报道（文/李弯弯）日前，工业富联举行2022年度股东大会，工业富联董事周泰裕在会上表示，工业富联已着手开发下一代AI服务器，并将和客户合作进行AI Cloud data center
2023-06-09 11:59:331418 MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的动力总成能效推出Hyperlux图像传感器系列，这是开发先进驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶（AD）解决方案的一项关键赋能技术
2023-05-30 15:27:06453 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
2023-05-25 10:39:07281 MOSFET 和 二极管 ，用于可扩展的电动汽车（EV）充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术，开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于 有源
2023-05-17 12:15:02249 
“安森美帮助我们解决了最具挑战性的技术问题，如系统设计、仿真、热分析和控制算法等。我们采用安森美高能效的EliteSiC产品，能够根据客户的特定需求开发并实施尖端前沿的可再生能源方案。此外，安森美的端到端SiC供应链为我们的长期发展提供了供货保证。”
2023-05-16 15:24:45724 ）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。 极氪将采用安森美的 M3E 1200V EliteSiC MOSFET ，以配合其不断扩大的高性能纯电车型产品阵容，实现更强的电气和机械性能及可靠性。这
2023-05-11 20:16:29276 
2023 年 5 月 11日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出Hyperlux™汽车图像传感器系列，该系列产品拥有2.1 µm像素尺寸、领先业界
2023-05-11 16:58:03941 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统
2023-05-10 16:54:10656 近日，安森美宣布已向海拉（HELLA）交付第10亿颗感应传感器接口集成电路（IC）。这颗由安森美设计的IC被用于海拉的汽车线控系统非接触型感应位置传感器（CIPOS）技术。 CIPOS是一种感应技术
2023-05-08 10:42:35240 佛瑞亚(FORVIA)集团旗下公司。这颗由安森美设计的IC被用于海拉的汽车线控系统非接触型感应位置传感器(CIPOS)技术。在长达25年的合作中，两家公司开发的创新设计缩小了海拉模块和安森美IC的尺寸，以更好地适配对模块外形尺寸有着高要求的应用。
2023-05-06 15:12:54661 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330 
氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。
2023-04-14 15:42:06363 由于对SiC功率半导体的强劲需求和对GaN功率半导体的强劲需求，2022年下一代功率半导体将比上年增长2.2倍。预计未来市场将继续高速扩张，2023年达到2354亿日元（约合人民币121亿元），比2022年增长34.5%，2035年扩大到54485亿日元（约合人民币2807亿元），增长31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 以下文章来源于安森美，作者安森美领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能
2023-04-06 16:07:10367 安森美（Emerson）是一家跨国工业制造和技术公司，其产品线涵盖了控制、自动化、机电设备、独立气动产品以及流量、压力、温度、液位等传感器等领域。
2023-03-30 17:55:07549 安森美收购了哪些公司 安森美产品线优势有哪些 安森美On Semiconductor Corporation于1999年根据特拉华州法律注册成立。该公司及其子公司从事节能电子驱动创新业务。公司
2023-03-29 17:54:283054 
安森美公司介绍 安森美官网 安森美公司是1999年从摩托罗拉半导体部门分拆出来的，后来安森美半导体ON Semiconductor，在美国纳斯达克上市；代号：ON；安森美半导体在北美、欧洲和亚太地区
2023-03-29 16:21:523015 ，从而使音响器件发出更好的音质和更出色的表现效果。 安森美功放管怎么样 安森美作为美国大牌它生产的功率管非常优质，属于高档功放的配件，清晰度和解析度都很好。 比如NJW0281G/NJW0302G是安森美专门为音频功率放大器专门开发的
2023-03-29 16:09:5815076 安森美半导体怎么样？安森美是哪国的？ 有人问小编安森美半导体怎么样？安森美是哪国的？其实行业内人士都知道美国公司安森美半导体实力很强悍，安森美是美国公司；并且在纳斯达克上市。 安森美是哪国
2023-03-28 18:37:265891 安森美功放管怎么样 安森美对管是美国的名牌优质大功率管。 安森美管是一种功率放大器，用来放大电流和电压，从而增强信号的强度。它可以加强输出电流和电压，使信号发出更加强大的功率，从而使音响器件发出更好
2023-03-27 14:21:344011 安森美是哪国的 于1999年从摩托罗拉拆分独立，于2016年收购Fairchild仙童半导体公司，全球领先的半导体制造商，提供8万多款不同的器件和全球供应链 安森美半导体
2023-03-27 14:19:50755
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