三星或上市更小、更快的64GB高性能存储芯片

　　目前，移动手持设备市场的存储配置多种多样，从4GB到64GB版本，一应俱全。但绝大多数智能手机都标配16GB存储。在这种情况下，三星或推出尺寸更小、更薄，但性能却更加强劲的64GB平板和智能手机专属存储芯片，引领手持设备存储的发展趋势。

　　据悉，三星推出的新一代4GB的高性能存储芯片，采用用10nm制程工艺，总体性能在上一代存储芯片的基础上提升了30%。并且专门针对平板和智能手机等手持设备进行优化，尺寸相比传统NAND存储芯片缩小了近20%，能够为机身其他硬件让出更大的空间，并给厂商在硬件工业设计师提供更大的想象空间。具体性能方面，全新的处理器随机写入速度为2000IOPS，随机写入速度则搞到5000IOPS。另外，该芯片的连续读写速度分别为200MB/S和 50MB/S。

　　三星内存市场营销部门高级副总MyunghoKim强调，“这款高性能、小体积的eMMC芯片加强三星在内存解决方案市场的技术竞争力，我们期待利用全新的芯片设计来扩充三星在嵌入式内存解决方案市场的产品阵容，进而达到和应用处理器一样的采取率，并和其它核心部件组成主流移动操作平台基础性配置，这将会让新一代处理器上市时更好的迎合市场消费需求，引导下一代应用程序开发者设计出更为便利的功能特征。”

　　按照计划，三星将会于明年将这款设计方案提交至行业标准组织联合电子工程委员会，进而申请一项全新的工业标准。