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电子发烧友网>制造/封装>电子技术>首款32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM

首款32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM

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2021-12-11 14:46:17579

伟凌创芯异步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。   伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit异步快速SRAM芯片,位宽为256K*16K字。它使用16条公共输入和输出
2021-12-21 15:49:531080

国产存储16M异步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速异步SRAM,存取时间为35ns(或更短)的异步SRAM可被归类为“快速异步SRAM。 国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器
2022-01-07 16:43:331660

高性能异步SRAM技术角度

当前有两个不同系列的异步SRAM快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来,这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中,通...
2022-02-07 12:37:562

非易失性闪存内存模块VDRF64M16xS54xx1V90用户手册

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同时读/写非易失性闪存内存模块组织为4M×16位。
2022-06-08 10:57:401

VDEE8M32xS64xx8V250用户手册

VDEE8M32XS64XX8V250是一种256K×32位电可擦除可编程CMOS ROM组织为两组4Mbit(128k×32)。每个银行都有32位接口,并通过特定的#欧洲标准化委员会。所有其他信号
2022-06-07 15:51:251

SBC 85 1Mbit内存板开源设计

电子发烧友网站提供《SBC 85 1Mbit内存板开源设计.zip》资料免费下载
2022-08-11 11:30:302

具有快速数据传输功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 108MHz 的工作频率下实现每秒 54MByte 的数据传输率,并具有四个 I/O 引脚的 Quad SPI 接口(图1)。
2022-08-26 15:35:44445

英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货

【 2022 年 11 月 22 日,德国慕尼黑讯】 近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON
2022-11-23 13:57:42336

1Mbit存储MRAM芯片MR0A16A

Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片,组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序,续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403

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