电子发烧友网报道（文/刘静）7月12日，北京通美晶体技术股份有限公司（以下简称：北京通美）科创板IPO成功过会。北京通美作为磷化铟衬底行业的巨头之一，其2020年磷化铟衬底产品市场占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本内容主要介绍了硅衬底LED芯片主要制造工艺，介绍了什么是led衬底，led衬底材料等方面的制作工艺知识
2011-11-03 17:45:134626 
松下与比利时微电子研究中心（IMEC）共同开发出了全自动小型基因检测芯片。利用该芯片，1小时即可完成基因检测。
2013-02-20 10:14:541112 蓝碧石科技面向可穿戴设备，开发出可高达1W的无线供电芯片组“ML7661”（发射端）和“ML7660”（接收端）。
2021-11-25 10:45:594956 
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
，通常将光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输线更好等特点，因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底，所有能集成更多的光器件；在光模块里面，光芯片的成本非常高，但随着传输速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18:42
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片，效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效
2014-01-24 16:08:55
【作者】：李杨超;张铭;赵学平;董国波;严辉;【来源】：《纳米科技》2010年01期【摘要】：采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能
2010-04-24 09:00:59
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N衬底？这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。P型
2012-05-22 09:38:48
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的样片开发，开发板主MCU芯片型号N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
三星电子近日宣布成功开发出高质量的CMOS图像传感器（CIS）芯片和照相机模组。该照相机模组有1/3英寸SXGA（130万像素）、1/5.8英寸VGA（33万像素）两种规格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别？
2019-07-31 07:54:41
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
使用cube开发工具进行开发出现中断没配置是为什么？
2021-11-16 09:00:53
晶体管连在一起。IMEC的方法则将SRAM单元的电源线埋在硅衬底内，然后利用节省出来的空间使关键的互连线更宽，从而降低导线电阻。在仿真中采用这种方法的SRAM存储单元的读取速度比采用传统方法的SRAM
2020-05-11 15:40:48
日光灯管 T5/T8/T10…LED 球泡灯/玉米灯/蜡烛灯…其它小功率的 LED 照明[/tr][tr][/td][td]特点外围电路简单，无需磁性元件支持可控硅调光应用多芯片串联或并联应用芯片可
2020-05-08 10:39:14
` 未来医疗电子的发展，势必会需要具备能够弯曲自如表面的新材料。为此，IMEC声称，已经开发出一种能如皮肤般弯曲和伸展的电子电路。 IMEC位在根特大学(University of Ghent
2012-12-20 14:22:00
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
`常见LED芯片的特点分析: 一、MB 芯片 定义：Metal BONding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品。 特点： 1：采用高散热系数的材料---Si 作为衬底
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路
2012-01-12 10:47:00
各位大佬，有没有硅唛阵列，或者硅唛降噪的芯片不?就是有个芯片，或者方案，做了可以支持两个MIC或者有算法在里面的
2021-04-23 10:21:47
IC尺寸微缩仍面临挑战。为了使芯片微缩，总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm设计中，采用硅衬底
2014-01-04 09:52:44
的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗：传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失，GaN 晶体管（取代旧的硅技术）的开发已引起电力电子行业的关注
2023-08-21 17:06:18
, EEG)耳机是由IMEC、松下(Panasonic)以及荷兰Holst Centre共同开发。该耳机可连续记录多达8个EEG讯号。另外，IMEC也宣佈，该机构正与东京电子公司(Tokyo
2013-01-07 16:38:11
LOC（芯片级实验室）整合了多种化学处理和分析技术，用硅、玻璃、多晶硅材料加工制作，由于玻璃的性能比较稳定，一般倾向于使用玻璃衬底，要解决的技术是廉价光源、检测阵列和集成电子电路。微流体技术则指
2019-06-19 08:27:12
硅衬底和砷化镓衬底金金键合后，晶圆粉碎是什么原因，偶发性异常，找不出规律，有大佬清楚吗，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
`供应蓝宝石衬底！深圳永创达科技有限公司 联系电话***齐先生 网址www.yochda.com适用于外延片生产商与PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
美国Sandia国家实验室开发的5层多晶硅表面硅MEMS集成工艺代表了这一方向的最高水平，它主要为军方的项目提供表面加工服务。与CMOS集成的机电一体化技术发展：相对体硅工艺，表面工艺由于保持了衬底
2018-11-05 15:42:42
下面由佑泽小编带你了解：1.MB芯片定义与特点定义：MetalBonding(金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。特点：1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal
2017-12-22 09:43:34
请教，衬底的缺陷密度对结深有什么影响
2019-04-26 07:50:15
微信可以开发出鸿蒙版吗？eTS？
2022-05-05 10:27:56
适合5G应用的高频衬底材料
2021-01-25 06:49:51
，N欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小;第四步，将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。 3蓝宝石衬底过渡法： 按照传统
2018-08-31 20:15:12
成功地在100G云数据中心内部署，可以与传统的“芯片和线缆”分离解决方案竞争。预计硅光子将随着云提供商过渡到下一个400G比特率时获得市场份额。集成的硅光子平台解决方案在波特率不断提高的情况下，具有优于
2020-12-05 10:33:44
IMEC推动软件定义无线电技术进程，开发人员首次演示高速通用平台
IMEC宣布一款可处理用于各类广域网和局域网的一系列先进的前向纠错技术的芯片。该欧洲研发小组意在推
2008-10-22 08:28:00545 索尼开发出无水银纽扣式电池
索尼公司发表的消息说，该公司最近开发出世界第一枚超小型钮扣
2009-10-23 09:16:301016 Edison开发出天井灯模块，应用范围广泛
Edison Opto公司近日开发出天井灯模块，可广泛应用于工业照明、广场照明与卖场仓储等。
采用艾笛森光电专有的LED照
2009-12-30 08:37:48571 镁光南亚合作开发出42nm制程2Gb DDR3内存芯片
镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别
2010-02-10 09:40:501091 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布，继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品，并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 芯海科技开发出低功耗SoC衡器计量芯片
深圳芯海科技公司近日宣布推出低功耗SoC衡器计量芯片CSU11xx系列，包括CSU1182、CSU1181、及CSU1100三款产品。可降低电子
2010-02-22 10:10:261059 IMEC、瑞萨、M4S推出可重配置多标准无线收发器
IMEC、株式会社瑞萨科技（以下简称瑞萨）、M4S联手推出了利用40nm低功耗CMOS工艺制造而成、带有RF、基带和数据转换器电
2010-03-01 11:14:01860 日本开发出氟类电解液
作为日本NEDO（新能源产业技术综合开发机构）新一代车用蓄电池开发项目的一环，大金工业与关西大学
2010-04-02 11:55:00997 LED衬底材料有哪些种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要
2011-01-05 09:10:254039 欧洲微电子研究机构IMEC（比利时鲁汶）日前宣布，已发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件（PDK），这是业界第一款用以解决14纳米节点逻辑工艺的开发工具包，IMEC表示。
2012-03-09 08:54:16895 北京时间5月21日消息，三星电子成功开发出可生产比原有半导体芯片速度快百倍以上的芯片的新型基础元件。
2012-05-22 14:19:364265 据物理学家组织网报道，美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能，并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合，让人们离超低功耗光
2012-07-19 09:25:352490 比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
2013-06-26 09:37:041010 传感器芯片。根据在布鲁塞尔举行的年度IMEC技术论坛（ITF Brussels 2016）上公布的协议，英飞凌与IMEC将携手开发针对汽车雷达应用的高度集成型CMOS工艺79 GHz传感器芯片。
2016-06-01 10:41:07693 芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。 基于氮化镓的蓝/白光LED的芯片结构强烈依赖于所用的衬底材料。目前大部分厂商采用蓝宝石作为衬底材料
2016-11-05 08:19:156265 芯片图解 为了避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率，芯片研发人员设计了倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出（衬底最终被剥去，芯片材料是透明的），同时，针对倒装设计出方便LED封装厂焊线的结构
2017-09-29 17:18:43
72 美国北达卡他州立大学（NDSU）的研究人员已经开发出一种嵌入超薄无源RFID芯片在纸或其他柔性基板的方法。该方法可以生产出具备RFID功能的纸张，比传统的打印标签或其它任何形式的RFID标签都更节省
2017-12-07 14:32:01187 IMEC和ADI的目标为开发具全新感测功能，或感测功能大幅提升的低功耗设备。双方长期以来已合作开发高性能、低功耗、高成本效益的电路和系统，目前则在共同进行两项研发计划。
2017-12-12 15:44:326296 据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。Dowa表示，该新型芯片尺寸是之前型号的3.5倍，其输出功率为6.8 mW。据称，Dowa已经开始为该新型芯片提供样品。
2018-09-10 11:20:004637 欧洲微电子中心IMEC与硬蛋科技近日签订了战略合作协议，将在深圳成立IMEC硬蛋微电子创新中心。
2018-05-11 14:47:554225 
地球上除了IBM、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外，比利时微电子中心IMEC也是全球知名的半导体研发中心，国内的14nm FinFET工艺就是跟他们合作的。
2018-05-29 15:10:002075 
从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜（P欧姆电极）、GaN外延层、粗化表面和Au电极。这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。
2018-08-17 15:11:393864 据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。
2018-09-14 16:06:174907 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251 厌倦了在小智能手表屏幕上点击图标？有朝一日，得益于IMEC在其比利时研发中心开发的手势识别技术和小型化雷达技术，你将可以直接在空中滑动就完成指令。
2019-06-05 16:49:093556 MIT的研究人员开发出一种新型 “光子” 芯片，它使用光而不是电，并且在此过程中消耗相对较少的功率。
2019-06-12 09:23:463525 LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 比利时鲁汶（ChipWire） - 消费电子和半导体巨头皇家飞利浦电子公司研究机构飞利浦研究院将开放位于这里的独立微电子研究与开发中心Interuniversity Microelectronics
2019-08-12 17:56:103156 Mattson Technology Inc.表示，它正与欧洲IMEC合作位于比利时鲁汶的微电子研发中心共同开发新的光刻胶和残留物去除工艺。
2019-08-13 10:15:107843 IMEC提出了一种扇形晶圆级封装的新方法，可满足更高密度，更高带宽的芯片到芯片连接的需求。 IMEC的高级研发工程师Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系统集成计划的项目总监Eric Beyne介绍了该技术，讨论了主要的挑战和价值，并列出了潜在的应用。
2019-08-16 07:36:003835 
看好在智能型手机全屏幕化趋势下，晶电开发出能让混光区域趋近于零的芯片，能更省电、光效也更好，差异化产品让晶电打进多家手机大厂，其中，又以陆系品牌厂贡献量最大；手机订单提升，晶电来自手机营收占比从不到5％，提升到近一成。
2019-10-01 16:50:001964 本周，ARM和台积电宣布，基于台积电最先进的CoWoS晶圆级封装技术，开发出7nm验证芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:022862 红外探测器应用非常广泛，而imec的新技术将极大地扩展其应用可能，包括安防监视、生物识别、虚拟/增强现实（VR/AR）、机器视觉以及工业自动化等。
2019-11-09 10:05:50968 2月28日，美国泛林公司宣布与ASML阿斯麦、IMEC比利时微电子中心合作开发了新的EUV光刻技术，不仅提高了EUV光刻的良率、分辨率及产能，还将光刻胶的用量最多降至原来的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 比利时的独立半导体高科技研究机构imec每年都会在东京举办该公司的年度研究介绍活动“ imec技术论坛（日本）”，由于疫情原因，今年以在线形式于举行。
2020-11-29 09:46:331848 据报道，武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法，提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓（InGaN/GaN）倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 在去年六月举办的IEEE Symposium on VLSI Technology会议上，IMEC展示了基于N14工艺开发的单片集成CFET器件，由于N/P之间更加紧凑，相比较“顺序法”制备
2021-01-08 09:32:564000 日本关西学院大学和丰田通商于3月1日宣布，他们已开发出“动态AGE-ing”技术，这是一种表面纳米控制工艺技术，可以消除使SiC衬底上的半导体性能变差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 目前，IBM已开发出全球首个2nm芯片，这种新型2nm芯片所体现的IBM创新对整个半导体和IT行业至关重要，能够在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管，在半导体设计上实现了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 IBM宣布已开发出全球首个2nm工艺的半导体芯片,采用三层GAA环绕栅极晶体管技术，首次使用底介电隔离通道，其潜在性能和电池续航能力都将得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 适合大功率半导体器件的理想衬底之一，由于其机械断裂强度一般，应用时需要合金属底板配合使用。三、氧化铍（BeO）
2022-11-18 12:01:381279 在其扩展路线图中，imec 为芯片技术的未来提出了一条替代路径，在架构、材料、晶体管的新基本结构以及……范式转变方面进行了根本性的改变。到 2036 年，imec 路线图将使我们从 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ångström，保持两到两年半的介绍速度。
2023-02-06 16:01:52585 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:081130 imec指出，IC制造衍生的二氧化碳排放量预计在未来10年增长4倍，一来是先进制程技术渐趋复杂，二来晶圆总产量增加; 为逆转未来局势，领先业界的半导体大厂已承诺在2030至2050年前达到碳中和或净零。
2023-03-20 09:58:31560 IMEC IMEC总部设在比利时鲁汶（Leuven, Belgium）,雇员超过一千七百名，包括超过三百五十名常驻研究员及客座研究员。IMEC有一条0.13微米8寸试生产线并已通过ISO9001认证。
2023-05-22 16:19:16849 
松下与比利时微电子研究中心(IMEC)共同开发出了1小时即可完成检测的全自动小型基因检测芯片。该芯片可利用数μL血液来检测SNP(Single Nucleotide Polymorphism，单核苷酸多性态)等基因信息。
2023-08-01 21:29:03611 Imec表示，虽然升级单片设计是一个漫长的过程，但更换或添加小芯片应该像将黄色乐高积木换成蓝色乐高积木一样简单。它可能发生在车辆的使用寿命期间。这使OEM有机会构建可靠而灵活的电子架构，该架构具有基本功能小芯片，并在同一封装中通过特定工作负载的小芯片进行了增强。
2023-09-08 16:51:42387 SOI是Silicon-On-Insulator的缩写。直译为在绝缘层上的硅。实际的结构是，硅片上有一层超薄的绝缘层，如SiO2。在绝缘层上又有一层薄薄的硅层，这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。而在传统的硅制程中，芯片直接在硅衬底上形成，没有使用绝缘体层。
2023-10-10 18:14:031123 
据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬底与外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 来源：《半导体芯科技》 纳米电子和数字技术研究和创新中心imec已经推出了公众可以免费访问的imec.netzero虚拟工厂版本。该工具提供了IC制造对环境影响的量化视图，为学者、政策制定者和设计人
2024-02-26 12:15:3875
电子发烧友App
工商网监
评论