若采用完全耗尽型SOI（FDSOI）技术，无需使晶体管立体化便可继续推进SoC微细化至10nm工艺左右。由于可以沿用原有半导体制造技术和设计技术，因此无需很多成本即可继续推进微细化（
2012-12-24 08:30:26
2380 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56673 该成果利用具有优异液相分散性的石墨烯纳米带，实现了超净单电子晶体管的制备，为进一步研究液相石墨烯纳米带的自旋态和拓扑态提供了可能。
2023-02-16 12:03:11403 其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
很多晶体管组成的。芯片制程是指在芯片中，晶体管的栅极宽度。因为在整个芯片中，晶体管的栅极是整个电路中最窄的线条。如果栅极宽度为10nm，则称其为10nm制程。纳米数越小，比如从10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
（实际上有数nA~数10nA的漏电流），并认为OFF期间的功耗为零。合计以上各区间计算的积分值，除以1周期的长度400µs，为平均功耗，即而且，这里对双极晶体管2SD2673例子的集电极电流IC
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34:33
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
300V，一般可选用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型号的晶体管。 3．行推动管的选用彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等于10
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
碳纳米纤维是指具有纳米尺度的碳纤维，依其结构特性可分为纳米碳管即空心碳纳米纤维和实心碳纳米纤维。
2019-09-20 09:02:43
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
与销售集团总裁Stacy Smith英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小
2017-09-22 11:08:53
。这场战役两家大厂互有消长，首先是三星的14nm较台积电的16nm抢先半年投入量产，因两家大厂的鳍式晶体管(FinFET)设计也确有雷同之处，后续又衍生了竞业禁止官司诉讼等故事，无论如何，最终台积电还是
2018-06-14 14:25:19
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
显示器和透明太阳能电池板产品的出现。 在许多透明电子系统中，晶体管都是至关重要的部件。如今，这种器件通常是薄膜晶体管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明导电氧化物材料制成。 不过，薄膜晶体管
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
MOSFET显示出令人反感的短通道效应。 将栅极长度（Lg）缩小到90 nm以下会产生明显的漏电流，而在28 nm以下，漏电流过大，使晶体管失效。因此，随着栅极长度的缩小，抑制关断状态泄漏至关重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10进行数据采集？如何用LabVIEW显示单结晶体管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
小弟想问，有谁可以告诉我。晶体管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 还是PNP。如果找不到同一样的晶体管(transistor)那我该买什么晶体管(transistor)来替换。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
判断为不合格。正确观点A：首先为了启动数字晶体管，加入足够的输入电压Vin(如10V)B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。因仍保持ON状态，故该产品为合格。C：如果继续降低基极电压，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
：首先为了启动数字晶体管，加入足够的输入电压Vin(如10V)B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。因仍保持ON状态，故该产品为合格。C：如果继续降低基极电压，不能完全保持ON状态，而向OFF状态
2019-04-22 05:39:52
急需一种流动性更强的新材料来替代硅。三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一，普渡大学通过这种材料做出了全球首款3D环绕闸极(gate-all-around)晶体管。此外，三五族合金纳米管将把闸极长度
2011-12-08 00:01:44
和二硫化钼（MoS2）制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要
2016-10-08 09:25:15
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
一、电子管和晶体管及集成电路的发明1.电子管的发明1877年，爱迪生发明碳丝电灯，应用不久即出现了寿命太短的问题，这是因为碳丝难耐高温，使用不久即告“蒸发”，灯泡的寿命也就完结了。爱迪生设法改进这种
2021-07-23 08:40:38
，越往下线宽越窄，越靠近器件层。 这是CPU的截面视图，可以清晰的看到层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，这个CPU大概是有10层。其中最下层为器件层，即是MOSFET晶体管
2020-07-07 11:36:10
近日，SIA发了个耸人听闻的新闻，说intel放弃了10nm工艺的研发，当然这肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟谣。不过相信很多人也会觉得奇怪，那边TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
`如图所示，使用STM32输出通过光耦驱动晶体管阵列MC1413(同ULN2003)，但是输出端测不到，求指教电路是否合适，谢谢。顺便贴上MC1413的电气特性。`
2019-03-18 09:56:56
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58:43
英飞凌科技公司（Infineon），设在慕尼黑的实验室最近取得了新的突破——这里的研究人员成功开发出全球最小的纳米晶体管，其沟槽长度仅为18纳米，几乎是当前最先进的晶
2006-03-11 22:10:39993 来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管
2012-02-04 09:45:29843 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27680 据报道，三星超车台积电，高通8日宣布全球首颗10nm服务器芯片已送客户，抢攻长期由英特尔独霸市场；高通10nm手机芯片也委由三星代工，但7nm订单重返台积电，台积电仍是大赢家。
2016-12-09 10:38:52337 台积电为了赶进度已在当前试产10nm工艺，不过台媒指其10nm工艺存在较严重的良率问题，这意味着其10nm工艺产能将相当有限，在它优先将该工艺产能供给苹果的情况下，对另一大客户联发科显然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28555 在CES2017上高通是唯一一家展示10nm半导体工艺的厂家，在联发科以及海思即将推出10nm芯片的当下高通犀利指出，联发科、海思的10纳米芯片和高通的骁龙835完全不在同一个水平上，谈不上是竞争对手，凸显了高通对于这款处理器的强大自信。
2017-01-10 09:22:57873 虽然摩尔定律即将走向终结，但半导体制程工艺推进的脚步却一直没有停下过。台积电和三星作为ARM芯片代工阵营的领军企业，双方你追我赶大打制程战，已将制程工艺推进至10nm，而高通联发科等我们所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113863 
英特尔此前已经谈论过多次 10 纳米的 Cannon Lake 芯片了，超级10nm领先一切对手,性能升25%功耗降45%,英特尔已经有能力在1平方毫米中塞下1亿个晶体管，绝对是行业历史上史无前例的。
2017-04-05 18:01:142082 IBM宣布在晶体管的制造上获得了巨大的突破，运用最新工艺研制出了300亿个5纳米晶体管。和10nm芯片对比同等效率下，5纳米芯片可以节省74%电能。
2017-12-27 12:39:19995 作为科技行业著名的“牙膏厂”，英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久，每当一款新的处理器发布，众人翘首以待10nm的到来，可英特尔还是给用户泼冷水，继续跳票10nm工艺。
2018-06-15 15:53:005069 由于晶体管制造的复杂性，每代晶体管制程针对不同用途的制造技术版本，不同厂商的代次间统计算法也完全不同，单纯用代次来比较并不准确。根据目前业界常用晶体管密度来衡量制程水平，英特尔最新10nm制程的晶体管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:003921 
Cannonlake架构的Core i3-8121处理器，通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，是14nm节点的2.7倍，而且英特尔首次使用了贵金属钌。
2018-06-14 11:08:005919 无疑这收获了业界潮水般的质疑，为何其10nm一直难以出师？有分析称，10nm工艺之难产的一个关键是最初指标定的太高。相比14nm工艺，10nm工艺的晶体管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的缩放
2018-12-18 10:37:332586 5月28日，台北电脑展，Intel终于发布了万众期待多年的首个10nm工艺产品家族，代号Ice Lake的第十代酷睿移动笔记本处理器，包括酷睿i7、酷睿i5、酷睿i3三大序列和锐炬Iris Plus核芯显卡，而且都更换了新的LOGO标识。
2019-05-28 15:03:53884 CPU使用数十亿个微型晶体管，电子门打开和关闭以执行计算。晶体管越小，所需的功率就会越小。7nm和10nm是这些晶体管尺寸的测量尺寸。nm是纳米和微小长度的缩写，以此来判断特定CPU有多强大的有用指标。
2019-08-18 10:02:176421 晶体管是电子计算行业的基础，目前我们使用的多是硅基晶体管，但是随着摩尔定律逐渐失效，硅基半导体在10nm以下正面临各种困难。在新一代晶体管技术中，碳纳米管被视为理想的材料，日前美国麻省理工的科学家用14000个晶体管成功制作了16位处理器，并运行了一段程序。
2019-08-29 17:23:083445 据Digitimes报道称，Intel正在加速独显的发布速度，旗下首个10nm独立显卡“Xe”预计将于2020年年中推出。
2019-10-21 14:59:28596 Intel的10nm处理器迟迟没有高性能桌面版，估计跟10nm的性能上限不如14nm有关，毕竟后者实现了5．3GHz的加速频率，这一点10nm工艺做不到。
2020-04-10 17:07:473642 Intel正在各个领域实现从14nm向10nm的过渡：轻薄本上代还是14/10nm混合，现在已经完全是10nm；游戏本、服务器马上就都会首次尝鲜10nm；桌面则要等到明年底的12代最终实现交接。
2020-12-07 10:00:071764 随着Tiger Lake处理器的量产，Intel的10nm工艺已经解决了产能、性能等问题，现在使用的是10nm SuperFin（以下简称10nm SF）工艺，下半年则会有更新的增强版10nm SF工艺，12代酷睿会首发。
2021-01-14 09:48:283121 
过时。IBM 在 2021 年就证明了这一点，其突破性的 2 纳米芯片技术颠覆了市场。这个新的制造时代得益于减少芯片纳米的竞赛。 今天，晶体管的标准长度是10纳米，而且随着最新研究，顶级公司已经生产了5纳米或7纳米的芯片。从历史
2022-01-07 10:12:35436 在2021年5月份，IBM发布全球首个2nm制程芯片制造技术，全球首颗2nm芯片正式问世。近期，台积电正式宣布用于生产纳米片晶体管架构的2nm芯片，预计在2025年量产，三星电子也已经开始大规模生产3nm芯片，2nm将于2025年量产。
2022-06-29 09:38:042826 现在的芯片技术越来越先进，人们常常能够听到某某公司又研发出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研发出的最先进的芯片是IBM公司的2nm芯片，我们都知道芯片内部有很多晶体管，那么2nm芯片的晶体管
2022-07-04 09:15:363936 的NMN910 5G SoC 芯片，也被称为麒麟9000。 这款芯片集成了49亿个晶体管，尺寸为 5 纳米，成为了全球首个量产的5nm 5G SoC芯片。这是一个重要的里程碑，它意味着华为已经成为了第一个推出5nm工艺技术的芯片制造商，并且在性能方面达到了全球领先的水平。 首先我们
2023-09-01 16:47:357031
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