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电子发烧友网>制造/封装>电子技术>可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

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场效应晶体管相关资料下载

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)场效应是利用多数载流子导电,所以称之为单极器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极器件。(3)有些场效应的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
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)场效应是利用多数载流子导电,所以称之为单极器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极器件。(4)场效应能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应集成在一块硅片上,因此场效应
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2019-03-21 16:48:50

数字晶体管的原理

的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有
2019-04-09 21:49:36

数字晶体管的原理

选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52

概述晶体管

晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合FET和MOS
2019-05-05 01:31:57

氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管对分分析哪个好?

,LLC初级侧电流ILr由次级侧电流除以变压器匝数比n和磁化电流ILm的叠加组成。磁化电流不会传递到输出端,而是需要对晶体管的寄生输出电容以及变压器绕组内和绕组电容的组合放电,从而实现晶体管导通的零
2023-02-27 09:37:29

求高手解答晶体管功放电路

我想做一个晶体管功放电路,但是不知道怎么选晶体管,然后有有些型号multisim里面又没有,怎么仿真?求高手解答
2013-12-18 12:36:20

电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响

特性,我们将首先从GaN器件驱动电路设计开始介绍。  正确设计驱动电路  诸如英飞凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之类的GaN晶体管采用了栅极p掺杂工艺,这会将器件的栅极阈值电压转换
2021-01-19 16:48:15

程控单结晶体管的原理及特性

不导通。当UA>UG时,P1N1结正偏将发生空穴注入,P1N1P2N2结构开通,A-K导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似,区别仅在于:单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间,而
2018-01-22 15:23:21

纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别

2000一5000(α=0.995-0.9998)。  是以P衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00

绝缘栅双极晶体管检测方法

绝缘栅双极晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39

绝缘栅极双极性晶体管经济高效解决方案

绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21

讲解一下N沟道增强MOS场效应

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极晶体管,它主要分场效应(Junction FET
2023-02-10 15:58:00

请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP晶体管呢?

请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP晶体管呢?
2023-03-31 11:56:49

请问GTR的双晶体管模型是什么样的?

没事看看了电力电子,看到这个原理图,有点迷糊了,按图所示,如果集电极C处为N半导体,按照图中来C极应该接负极才对呀?为什么还接正极?这样如何导通?有没有大神指导下GTR的双晶体管模型是什么样的?
2020-06-11 09:03:42

请问有没有Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外更多晶体管模型下載?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑 請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56

防止开关晶体管损坏的措施

保护的二极必须选用快速恢复二极,以保证二极能够迅速反应得以保护晶体管。对于二极的耐压要求,一般其截止电压为开关晶体管C-E电压的2倍。  2、RC阻尼电路    图二  图二中,在晶体管关断
2020-11-26 17:26:39

隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍

是沟道区,n+区是漏区。对于pTFET来说,p+区是漏区,i区是沟道区,n+区是源区。漏极电压用Vd表示,栅极电压用Vs表示,栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33

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