N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的电子发烧友体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中
2016-10-14 15:11:56
N型半导体和P型半导体通过工艺做成PN结就是二级管。二极管只有一个PN结,为什么二极管型号要分N型二极管和P型二极管?二者有什么区别?谢谢![此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]
2009-03-08 17:01:37
第一部分 晶体管的工作原理 N型场效应管(N-Channel Field Effect Transistor,FET)是一种电极介质驱动的晶体管,通常用来将微弱的输入信号增强到数千或数万次。其
2023-03-08 14:21:22
的选择选型之前我们要清楚MOS管的原理:MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,因此,在确定选择哪种产品前,首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
压,则会在氧化层下方形成空穴通道。增强模式 N 通道N 通道耗尽和增强类型的符号加工n沟道MOSFET的工作原理是假设大多数载流子是电子。电子在通道中的运动负责晶体管中的电流。栅极端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 编辑
如题所示,我设计了一个用P型,N型mosfet管来控制电机的的电路,但是在我实际所搭的电路中,N型MOSFET管控制正常,G端高电平
2019-02-02 16:24:33
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
。需要说明的是,晶体管有很多种类型,每种类型又分为N型和P型,下面图中的电路符号就是一个N型晶体管。 晶体管电路有导通和截止两种状态,这两种状态就可以作为“二进制”的基础。从模电角度来说晶体管还有
2021-01-13 16:23:43
场效应晶体管,英语名称为Field Effect Transistor,简称为场效应管,是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道
2016-06-29 18:04:43
1.反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R×1k档, NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
双极性晶体管是利用两种离子导电,空穴和自由电子,但是对于一个实际存在的系统,其整体上是呈现电中性的,当其中的电子或者空穴移动形成电流时,与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动?
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述;然后利用可在微机上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《晶体管电路设计与制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
与漏极间流过电流,而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流,也就是与双极晶体管相同。因此,具有MOSFET的栅极相关的参数,以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。基本工作特性比较这三种晶体管
2018-11-28 14:29:28
给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET(以Nch为例)是相同N型的源极与漏极间流过电流,而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流,也就是与双极晶体管相同。因此,具有MOSFET的栅极
2020-06-09 07:34:33
间电压 (VBE) 成比例的电流 (IB) 的hFE※1 倍的电流 (IC) 流经集电极。这一集电极电流IC流经电阻RL,从而IC×RL的电压反映在电阻RL两端。最终,输入电压e被转换(增幅)成ICRL电压反映在输出。※1:hFE晶体管的直流电流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
之间)和发射结(B、E极之间),发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同,晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管,可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性,还要考虑被选晶体管的耗散
2012-01-28 11:27:38
能使晶体管的Ic随之增大时(即(Vce-Ic*Rc)-Vb=常数时),我们就称此晶体管“进入深饱和状态”。此时,晶体管的基极电位为最高(此现象,对N-P-N晶体管而言。如果是P-N-P型晶体管,则只要
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型晶体管简称为晶体管,而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件,它由掺杂类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
很相似,两者的区别主要是基区引出电极的区别(基极与源极和漏极)。晶体管把中间的一层(N区)当成一个电极引出称为基极,其余上下两层(P-P区)分别当发射极和集电极引出;而场效应管则是把基区当成一个导电
2012-05-22 09:38:48
P,N型晶体管H桥上桥发热问题怎么解决
2013-05-12 22:59:18
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-03-27 06:20:04
,使指针对准300 hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数 值.N型晶体管应插入N型管孔内,P型晶体管应
2017-08-23 13:57:15
的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件,根据场效应管的结构分为结型场效应(简称JFET)和绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类。按沟道材料:结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式:耗尽型
2021-12-28 17:08:46
的分类还没结束,每种类型的管子又可分为N型管和P型管,所以说场效应晶体管下面可以分为6种类型的管子,分别是N沟道结型场效应晶体管、P沟道结型场效应晶体管、N沟道增强型场效应晶体管、P沟道增强型
2019-04-15 12:04:44
用NPN型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源
2008-11-12 14:50:56
NPN晶体管的b处没有电压输入时,c和e之间没有电流流动,三极管处于截止状态。在图(b)中,当正电压输入到NPN晶体管的b时,e的N区的负电子被b中P区的正电子吸引。 由于发电厂的作用,它们冲向(扩散
2023-02-15 18:13:01
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常,NPN晶体管将一块P型硅(基极)夹在两块N型(集电极和发射极)之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作?以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管(BJT)。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中,两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转,使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又称为半导体三极管,它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
路,包括矩形波振荡器,射极跟随器,宽带放大器,电子电位器,OP放大器,带自举电路的射极跟随器,Sallen-Key型低通滤波器,带隙型稳压电路,三角波→正弦波变换器,低失真系数振荡器,移相器,串联调节器,斩波放大器等。 点击链接进入旧版 :晶体管电路设计与制作
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王栋春 于 2021-1-5 22:40 编辑
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述;然后利用可在微机
2021-01-05 22:38:36
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。(2)夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件,研制人员在为这种器件命名时,想到它的电阻变换特性,于是取名为trans-resister(转换电阻),后来缩写为transistor,中文译名就是
2019-12-16 13:33:31
及其应用。
什么是晶体管
晶体管是电子设备。它是通过p型和n型半导体制成的。当半导体放置在相同类型半导体之间的中心时,这种排列称为晶体管。我们可以说晶体管是两个二极管的组合,它是背靠背连接的。晶体管是一种
2023-08-02 12:26:53
有一个图表代表一个电路,其目的是根据微控制器中编程的逻辑启用/禁用两个LED。在下面的电路中,据我所知,有两个n型晶体管,它们分别有一个电阻连接它们的栅极和它们的源极。我的问题是:为什么需要标记电阻?(红圈)
2018-08-21 10:35:11
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。晶体管大多是指晶体三极管。晶体管分为两大类:双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管的结构晶体管有三极:双极晶体管的三极分别由N型和P型组成
2023-02-03 09:36:05
编辑-ZMOS管7N60一般为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或金属-绝缘体-半导体。MOS管7N60的源极(source)和漏极(drain)是可以对调的,都是形成在P型背栅中的N型区。大多数
2021-12-01 16:39:41
二极管的管压降0.5v左右,同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P型?2. MOS管驱动电路分析下面是常见的MOS管驱动电路(1)二极管D1的作用是什么?二极管D1在驱动信号是低电平时起到快速关断的作用。一般在H桥驱动电路中需要加此二极管起到“慢开快关
2021-12-31 06:20:08
的区别。什么是PNP和NPN晶体管?晶体管是通过混合两种不同类型的半导体而创建的:n型和p型。电子给体原子由n型半导体携带。而电子受体原子由p型半导体(空穴)携带。NPN 晶体管NPN型晶体管由具有低
2023-02-03 09:50:59
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定(对输入电流电平的变化较不敏感)的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
的规则,则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管,基极用作公共连接。PNP 结点如何工作?PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
导电,故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示,它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
“步”。有两种类型的步进电机,单极型和双极型晶体管,而且知道你正在使用哪种类型是非常重要的。每种电机,都有一个不同的电路。示例代码将控制两种电机。看看单极性和双极性电机的原理图,和关于如何连接你的电...
2021-07-08 09:14:42
单结晶体管有一个PN结和三个电极,一个发射极和两个基极,所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构;b、等效电路;c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
,是另一种固态三端设备,可用于栅极脉冲、定时电路和触发发生器,用于交流功率控制型应用中开关和控制晶闸管和 triac。像二极管一样,单结晶体管是由单独的 p 型和 n 型半导体材料构成的,在器件的主导 n
2022-04-26 14:43:33
双极型晶体管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
放大,似于多路比较器的输出,NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端,集电极共用一路上拉电阻连接至电源,如果多路比较器有一路导通,则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低,电平为低电平。
不知是否是我理解的这样?
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于电压控制性半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,没有
2012-08-03 21:44:34
的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种
2011-12-19 16:30:31
运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽
2019-05-08 09:26:37
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路,可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路,可选
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2
2012-07-11 11:36:52
场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
2009-04-25 15:38:10
。对于NPN,它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管,因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中,一个小输入双极结型晶体管(BJT)晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
。场效应晶体管是防护电压的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中,N场效应晶体管居多。N沟道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
结型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型:NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型(正极)和N型(负极)半导体材料
2023-02-17 18:07:22
明原先假定是正确的。再次测量的阻值均很小,说明是正向电阻,属于P沟道场效应管,黑表笔所接触的也是栅极G。若不出现上述情况,可以互换红黑表笔,按上述方法进测试,直至判别栅极爲止。普通结型效应晶体管的源极
2019-03-21 16:48:50
的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B间的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有
2019-04-09 21:49:36
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B间的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
,LLC初级侧电流ILr由次级侧电流除以变压器匝数比n和磁化电流ILm的叠加组成。磁化电流不会传递到输出端,而是需要对晶体管的寄生输出电容以及变压器绕组内和绕组间电容的组合放电,从而实现晶体管导通的零
2023-02-27 09:37:29
我想做一个晶体管功放电路,但是不知道怎么选晶体管型,然后有有些型号multisim里面又没有,怎么仿真?求高手解答
2013-12-18 12:36:20
特性,我们将首先从GaN器件驱动电路设计开始介绍。 正确设计驱动电路 诸如英飞凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之类的GaN晶体管采用了栅极p型掺杂工艺,这会将器件的栅极阈值电压转换
2021-01-19 16:48:15
不导通。当UA>UG时,P1N1结正偏将发生空穴注入,P1N1P2N2结构开通,A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似,区别仅在于:单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间,而
2018-01-22 15:23:21
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET
2023-02-10 15:58:00
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢?
2023-03-31 11:56:49
没事看看了电力电子,看到这个原理图,有点迷糊了,按图所示,如果集电极C处为N型半导体,按照图中来C极应该接负极才对呀?为什么还接正极?这样如何导通?有没有大神指导下GTR的双晶体管模型是什么样的?
2020-06-11 09:03:42
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保护的二极管必须选用快速恢复型二极管,以保证二极管能够迅速反应得以保护晶体管。对于二极管的耐压要求,一般其截止电压为开关晶体管C-E间电压的2倍。 2、RC阻尼电路 图二 图二中,在晶体管关断
2020-11-26 17:26:39
是沟道区,n+区是漏区。对于p型TFET来说,p+区是漏区,i区是沟道区,n+区是源区。漏极电压用Vd表示,栅极电压用Vs表示,栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
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