存储性能百倍提升 - 存储百倍提升! IBM纳米技术1比特12原子

存储性能百倍提升

　　利用纳米技术还可以操纵单个原子，形成所谓的反铁磁性(antiferromagnetism)，能让人们在同样的空间内塞下100多倍的信息。也就是说，利用原子磁矩存储技术，现如今的1TB硬盘，能够提升到100T的容量。>>

　　在集成电路的晶体管数目的规律上，业界有一个著名的摩尔定律。摩尔定律指出，当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。该定律是由英特尔创始人之一摩尔提出，这些年来一直与芯片的发展相符。

　　

 

　　硅晶元

　　然而随着集成电路上的晶体管密度越来越大，其在密度上得增加就越来越困难。摩尔定律势必将晶体管的大小带到了一个物理上的极限。

　　

 

　　intel纳米技术发展

　　作为集成电路的代表CPU芯片，其制程由早先的130nm、到65nm、45nm、22nm以及之后的14nm，硅晶体管的尺寸越来越接近物理的极限。

　　为了进一步提升CPU、内存等芯片的性能，科学家们想到了结构和技术上的方法。在芯片结构上，3D芯片成为众多企业追逐的领域。而在技术上，碳纳米管、PCM相变存储以及现如今的原子磁矩存储技术，也为芯片性能的提升展示一个美好的前景。

　　

 

　　芯片“摩天大楼”

　　2011年10月中旬，相关媒体报导，IBM与3M公司推出摩天大楼的处理器芯片，通过一种特殊的硅胶粘合剂将芯片组合在一起，成为芯片“摩天大楼”。IBM和3M宣称，这种摩天大楼的微处理器能比普通的处理器性能提升1000倍。

　　

 

　　Hybrid Memory Cube(HMC)

　　不仅是CPU追求3D，内存也是一样，IBM和美光公司Hybrid Memory Cube(HMC)项目就是很好的例子。两家公司表示新型3D芯片的内存所需能源和空间较少，并且每秒能传输128G左右的数据，这一速度比目前的内存芯片快十倍左右。这种3D芯片的内存产品预计于2012年下半年出货。>>

　　新型的存储技术也是各厂商提高芯片性能所追逐的领域，在HMC项目上同样与美光公司有合作的三星，在新型PCM相变存储领域的研究也试图和IBM一较高下，PCM作为下一代存储的热门领域，有望取代目前普遍应用的闪存。去年7月份IBM展示的90nm制程工艺的PCM芯片，比闪存快约100倍。而近日三星宣布将在明年发布的8G相变存储芯片，制程工艺则更进一步达到20nm。