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电子发烧友网>制造/封装>电子技术>英研发新型存储器 速度比闪存快百倍

英研发新型存储器 速度比闪存快百倍

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2020-01-17 15:00:24603

新型存储器与传统存储器介质特性对比

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM),其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584

富士通FRAM存储器的详细介绍

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

IEDM 2022上的新型存储器简介

在笔者看来,市场对新兴存储器并不友善,尽管人们仍然希望存内计算(copute in memory)能够重振基于电阻、相变和其他特性的新型存储器
2023-02-14 11:33:401484

一文了解新型存储器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548

铁电存储器FRAM与其他内存的比较

FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度
2021-07-15 16:46:56696

三星正在研发新型LLW DRAM存储器

近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282

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