Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会
2019-12-13 10:46:07
11441 资料来源：Kioxia Kioxia（原为东芝存储）有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:214222 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23988 据业内人士称，由于高端智能手机的销量疲软，导致第三季度对NAND闪存的需求可能会弱于预期。 7月份NAND的价格下降了5%左右，并可能在8到9月份继续下降。
2013-07-30 10:37:56965 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者
2022-04-25 18:26:212196 
本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
重大突破，可能会推动氧基电池技术的重大发展。锂空气电池，被认为是锂离子电池的终极形态，而这个新型锂氧电池更是锂空气电池的升级版，更加强大、更加方便、还更加安全。希望这项技术能够快点成熟，走上市场！突破七
2016-12-30 19:16:12
3月25日，科技之巅·麻省理工科技评论全球十大突破性技术峰会在北京召开，该峰会是全球最为著名的技术榜单之一，峰会围绕十大突破性技术在中国落地性最强，并对目前最受关注的领域进行深入解读。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技术，2018-12-28 08:11:39盘点这一年的核心技术：22纳米光刻机、450公斤人造蓝宝石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾构机“弃壳返回”、远距离虹膜识别
2021-07-28 09:17:55
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
IBM Aspera采用了一种不同的方法来应对全球广域网上大数据移动的挑战。Aspera没有优化或加速数据传输，而是使用突破性的传输技术消除了潜在的瓶颈，充分利用可用的网络带宽来最大限度地提高速度，并在没有理论限制的情况下快速扩展。
2023-08-11 06:51:46
POWER架构已经发展了27年，而从第一颗POWER处理器的诞生到现在也已经过了18年。现在，我们来简单地回顾一下从1997年开始到现在IBM所采用的十大新技术。1.铜芯片(Copper)，1997
2019-06-24 08:28:32
质量较高，CCD技术主宰着传感器市场。而与CCD技术相比，CMOS技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等对客户来说极其重要的优势。特别是，IBM的制造技术路线图能够生产其尺寸和性能规格接近当今CCD的CMOS图像传感器。 :
2018-11-19 17:04:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
速度。现在，FPGA已经从最初主要应用于原型设计逐渐延伸到最终产品的整个生命周期。业界共识：可编程技术势在必行。FPGA的下一个技术突破点是什么？
2019-08-13 07:48:48
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系统的架构怎样去选择？LED驱动技术是怎样降低电视机的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
皇家飞利浦电子公司宣布在超薄无铅封装技术领域取得重大突破，推出针对逻辑和 RF 应用的两款新封装：MicroPak?II 和 SOD882T。MicroPakII 是世界上最小的无铅逻辑封装，仅 1.0mm2，管脚间距为 0.35mm。
2019-10-16 06:23:44
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
什么是SOI技术？在实现CAN收发器EMC优化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7%。技术方面，内存密度因采用 25nm 及以下制程技术，让制造商能进一步扩大优势。领先的 NAND 闪存制造商开始用 20-30nm 范围
2014-04-22 16:29:09
我们正处在汽车技术巨变的大门口。这次不是自动化变革，虽然自动化变革旋即到来。但这次变革是由现有的且快速发展的自动化底层技术推动。即高级驾驶员辅助系统（简称 ADAS）实现的防碰撞技术。
2020-05-01 06:45:20
在半导体技术中，与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同，模拟技术的进步显得缓慢，其中电源半导体技术尤其波澜不惊，在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下，似乎关键指标难以有大的突破，永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声，少有见到一些突破性的新技术面市。
2019-07-16 06:06:05
`华尔街日报发布文章称，科技产品下一个重大突破将在芯片堆叠领域出现。Apple Watch采用了先进的的3D芯片堆叠封装技术作为几乎所有日常电子产品最基础的一个组件，微芯片正出现一种很有意思的现象
2017-11-23 08:51:12
蓝牙低能耗无线技术利用许多智能手段最大限度地降低功耗。蓝牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“标准蓝牙技术”)与蓝牙低能耗(BLE)技术有许多共同点：它们都是低成本、短距离、可互操作的鲁棒性无线技术，工作在免许可的2.4GHz ISM射频频段。
2020-03-10 07:00:39
蓝牙低能耗无线技术利用许多智能手段最大限度地降低功耗。蓝牙2.1+EDR/3.0+HS版本(通常指“标准蓝牙技术”)与蓝牙低能耗(BLE)技术有许多共同点：它们都是低成本、短距离、可互操作的鲁棒性无线技术，工作在免许可的2.4GHz ISM射频频段。
2020-03-09 07:11:38
视频监控技术在火灾报警领域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 技术领先领先别无所求：Intel NAND闪存新战略纵览
在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，
2010-02-09 10:50:09497 天合光能在开发单结晶矽电池技术方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在开发单结晶矽电池技术方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33765 IBM宣布芯片实现重大突破 可建百万万亿次电脑
网易科技讯 北京时间3月4日消息 据《自然》杂志报道，IBM的科学家当日宣布，他们用微型硅电路取代铜线实现了芯片间
2010-03-04 08:50:13463 IBM芯片技术获突破 光信号超级PC将成现实
IBM科学家周三表示，已经研发出一种使用光的设备，而非使用铜线，它可以使电脑芯片进行通信。该研发可以结束电脑芯片电
2010-03-05 11:48:12548 IBM宣布半导体技术重大突破 耗能少传输快
IBM研究人员宣布，在半导体传输技术上有了重大突破，可大幅提高传输速度，并同时减少能源损耗。
此项技术目
2010-03-08 09:34:36556 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
2010-05-30 11:08:09632 存储行业面临的最大挑战将是技术开发，尤其是NAND闪存的技术开发。
2011-01-12 10:12:55407 “第三代”光伏发电技术，也就是绿色光伏发电技术，特点是绿色、高效、价廉和寿命长。中国第三代光伏发电技术又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38977 介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法
2011-12-15 17:11:3151 美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%， 营业收入增长，使得排名第三的美光缩小与第二名东芝之间的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
据国外媒体报道，IBM推出全Flash闪存产品线FlashSystem，之前早在去年10月收购了Flash闪存厂商Texas Memory Systems（TMS），历经约半年时间完成产品技术整合
2013-05-16 15:48:19930 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 东芝日前发布世界首个基于QLC（四比特单元） BiCS架构的3D NAND闪存芯片。对于闪存技术的未来发展而言，这可谓是相当重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
引言 NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理（ PDA）、掌上电脑、MP3播放器等手持设备
2017-10-19 11:32:527 今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
2018-06-30 14:34:00362 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）昨日公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 10 月 29 日，云从科技宣布在语音识别技术上取得重大突破，该技术在全球最大的开源语音识别数据集 Librispeech 上刷新了世界纪录，错词率低至 2.97%，指标提升了 25%，超过微软、谷歌、阿里、约翰霍普金斯大学等企业及高校 。
2018-11-01 15:13:403604 据悉，近日，汉能砷化镓（GaAs）技术再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）认证，汉能阿尔塔砷化镓薄膜单结电池转换效率达到29.1%，再次刷新世界纪录。
2018-11-19 15:31:477041 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 有关国产闪存技术的发展与突破，相信很多人都在翘首期待，希望我们能够拥有自己的先进闪存产品，而当长江存储成功发展出来3D NAND存储Xtacking架构技术的时候，我们知道，真正的国产存储即将出现了！
2019-10-31 11:37:07882 四级单元（QLC）NAND正在进入企业领域，它可帮助降低价格，低于目前领先的三级单元（TLC）NAND。四级单元应该会让NAND闪存在未来几年保持主流地位，尽管有人预测，存储级内存（SCM）和持久内存技术最终将取代NAND。SCM和持久内存可弥合NAND与更快更昂贵的DRAM之间的价格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003353 12月18日，IBM在其官网上了宣布了一项技术突破。IBM研发部门在历史悠久的材料科学创新基础上，成功开发出了新的电池技术。
2019-12-19 16:38:563781 追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:031730 
无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 IBM Research在其纽约奥尔巴尼技术中心宣布其突破性的2nm技术的消息。 据IBM官方表示，核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管
2021-05-19 17:38:153689 
美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 提升。美光全新的176层工艺与先进架构共同促成了此项突破，使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益，实现性能上的大幅提升。 美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：美光的176层NAND树立了闪存行业的新标杆，与最接近的竞争对手同类产品相比，堆叠层
2020-11-13 17:42:261872 日前，TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲，详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:182910 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755 本周在IEEE国际电子元件会议上，IBM研究院（IBM Research）公布了在“计算内存架构”方面所取得的一项突破性成果，该架构可以为混合云平台中的人工智能计算工作负载实现卓越的性能水平。
2020-12-18 16:06:201762 eMMC模块因为是以NAND闪存技术为基础而具有预定的使用寿命。它们具备有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照这些规范进行设计，他们也必须预见到同一系统随着时间的推移必须应对不断增加的工作负载挑战。
2021-01-18 16:21:041831 在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，IBM和三星联合宣布，他们在半导体设计方面取得一项重大突破。
2022-03-16 09:56:02338 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
IBM提出了一种称为纳米片的技术，可以像堆叠闪存cell一样堆叠晶体管。
2022-07-01 14:48:05647 在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 
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