碳化硅等第三代半导体迎来政策东风 中国拟全面支持半导体产业

　　（综合自金融界 环球时报 彭博社 半导体风向标）

　　今天政策层面有一个大消息，特大消息，那就是我国拟全面支持半导体产业，第三代半导体产业将写入十四五规划，利好刺激下半导体、MINILED等科技股全天持续大涨，乾照光电、长方集团、晓程科技、聚灿光电等多股均涨20%；消费概念全天回调，白酒股集体下挫，金徽酒一度逼近跌停，食品股龙头海天味业大跌逾7%，煌上煌跌约8%；机场航运板块午后拉升，吉祥航空涨7%；油气采掘概念部分走高，恒泰艾普大涨20%。

　　美国不断利用其在全球芯片产业的优势地位对中国进行封堵，而以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料结构稳定，成本低廉，可广泛应用于现代电子设备中，大力支持发展第三代半导体行业，以期实现产业独立自主就变得顺理成章。

　　消息称，中国正在规划制定一套全面的新政策，以发展本国的半导体产业，应对美国政府的限制。

　　报道援引不具名的知情人士消息称，北京正准备在到 2025 年的 5 年之内，对“第三代半导体”提供广泛支持。相对于传统的硅材料，第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

　　报报道，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021- 2025 年期间，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主，不再受制于人。

　　第三代半导体产业概况

　　1.全球SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局，其中美国一家独大。随着中美贸易战的不断升级，半导体芯片领域成为了中美必争之地，伴随着华为再次被美制裁，高端装备等领域的国产化势在必行。此外，SiC材料和器件在军工国防领域的重要作用，也越来越突出。SiC外延设备在推动产业链国产化进程中，意义尤为重大。

　　2.器件发展，材料先行，IDM模式将继续成为行业主流。SiC将会取代Si作为大部分功率器件的材料，但不会完全替代，因为数字芯片并不适合采用SiC对Si进行替代，因此SiC预计占整个半导体行业10％左右。SiC主要应用在功率半导体上，因此IDM模式能够确保产品良率、控制成本。

　　3.国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点，Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si，国产厂商对SiC研究起步时间与国外厂商相差不多，因此国产厂商有希望追上国外厂商，完成国产替代。

　　企业加速跟进

　　比如第三代半导体材料中的碳化硅，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。

　　根据公开的消息我们可以看到，乾照光电作为深圳第三代半导体研究院共建单位之一，致力于MicroLED等半导体前沿技术的研发和产业化。三安光电在长沙设第三代半导体研发及产业化项目，正在建设阶段。露笑科技投资100亿元建设第三代功率半导体产业园。

　　比如，扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。

　　公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
 

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