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电子发烧友网>市场分析>电子财经>手机与触控成IC设计增长催化剂

手机与触控成IC设计增长催化剂

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Adv Mater综述:非贵金属单原子/双原子在光合成的应用

目前单原子催化剂和双原子催化剂作为新型助催化材料受到广泛的关注,能够最大效率的利用原子,而且具有独特的光催化活性,由于非贵金属的丰富储量、价格优势,能够进行大规模应用。
2023-05-15 10:54:08515

介绍一种微调催化性能的有效方法

近十年来,电催化科学的进步促进了许多相关研究领域的发展,包括H2/O2演化、CO2还原、燃料电池和反应膜。
2023-05-06 09:34:35396

8位控MCU和通用MCU

(UART/SPI/IIC) PWM: 12bit,8ch,带死区互补功能 LCD/LED驱动:824/626/527/428 比较器:4路输入,比较电压16级可选 高性能控: 1)最多31路高灵敏度
2023-05-02 14:59:59

半导体ic设计是什么 ic设计是芯片设计吗 IC设计流程介绍

就是设计和开发这样的芯片。IC设计广泛应用于各种电子设备和系统中,如手机、电视、摄像头、计算机、军事设备、医疗器械等。
2023-04-26 05:30:003369

通过调控电子传递路径解决银系光催化剂光腐蚀问题

在众多新兴的处理水中微污染物的先进氧化工艺中,光催化技术因其独特的催化原理和广阔的应用前景脱颖而出。
2023-04-23 17:43:431454

自动化微流控平台用于硝基苯加氢效率优化

反应器和催化剂之间的相互依赖关系对于实验室研究和化工制药工业具有重要意义,但在现代催化中却很容易被忽视。
2023-04-20 11:51:53871

ic设计和fpga设计有什么不同 ic设计和ic验证哪个好

IC设计和IC验证都是非常重要的环节,一个好的IC产品需要二者的配合。IC设计是在满足产品规格书的前提下,实现电路性能、功耗、面积等方面的优化,从而满足设计需求的过程。而IC验证是在设计完成后,必须对所设计的芯片进行正确性、可靠性、功耗等方面的验证。
2023-04-13 17:50:504528

有机硅导热胶,具有粘接性能的导热材料

有机硅导热胶是由有机硅聚合物、高导热填料和催化剂等材料组合而成的,即能导热也可粘接,因此能够满足有粘接和散热需求的相关电子设备
2023-04-13 17:42:27638

ic设计和fpga设计有什么不同 ic设计和ic验证哪个好

IC设计和IC验证都是非常重要的环节,一个好的IC产品需要二者的配合。IC设计是在满足产品规格书的前提下,实现电路性能、功耗、面积等方面的优化,从而满足设计需求的过程。而IC验证是在设计完成后,必须对所设计的芯片进行正确性、可靠性、功耗等方面的验证。
2023-04-12 14:01:332603

SPI IC闪烁问题如何解决?

我们正在观察来自不同供应商的两个 SPI IC 之间的这种行为变化。旧 IC - Macronix“MX25R4035FM1IL0”新 IC - Renesas“AT25XE041D-SSHN-T
2023-04-12 06:47:28

原子级分散钌氧化物实现晶格氧参与高效稳定酸性氧析出

开发酸性介质下稳定、高活性、高性价比的析氧反应电催化剂是实现质子交换膜水电解槽(PEMWEs)的前提,但仍面临巨大挑战。
2023-04-11 09:25:052059

南京大展热重分析仪在化工行业的应用

热重分析仪应用在哪些方面?其广泛应用于塑料橡胶涂料药品催化剂无机材料金属、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。 本次调试的客户是从事化工行业
2023-03-31 14:27:0193

纳米波纹石墨烯成为强大的催化剂

曼彻斯特团队与来自中国和美国的研究人员合作进行了一系列的实验,以证明石墨烯的非平坦性使其成为一种强大的催化剂。首先,利用超灵敏的气流测量和拉曼光谱,他们证明了石墨烯的纳米级波纹与它与分子氢(H2)的化学反应性有关,并且它解离成原子氢(H)的活化能相对较小。
2023-03-31 11:05:421216

零售数据分析复盘|怎么知道哪些品类增长有望,哪些门店需关停?

在零售数据分析的年终复盘中,就需要透过销售增长情况去看看哪些品类在下一年里有望提高销售额,带来更大的利润;通过门店绩效来看看哪些门店需要关停。那,我们可以通过哪个图表来获得这些数据信息?怎么获得?别走
2023-03-28 14:36:45

GP9403-F26K-T5S-SW

PWM占空比增长软启动芯片
2023-03-28 12:57:39

《Small》:新型原位硒化和单原子稳定的异质结构催化剂

基于此,印度理工学院和韩国科学技术研究所的研究团队介绍了一种通过混合金属氧化物/氢氧化物的硒化实现的边缘取向硒化钼(MoSe2)和镍钴硒化物(NiCo2Se4)的异质结构。所开发的片上片异质结构显示出优异的HER性能,需要89 mV的过电位即可获得10 mA cm-2的电流密度,并且具有65 mV dec-1的低Tafel斜率。
2023-03-23 10:39:14630

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