MRAM晶粒图 - SSD极限开机？看看新一代MRAM拆解

　　然而，在推出16Mb的封装元件后，我们可以看到，该公司并不是因为採用先进製程技术而提升密度；其16Mb和4Mb的元件都共用主流的微影製程，而且单元尺寸相同。看起来，过小的製程可能会导致半选问题。 Everspin 公司採取的方法是重新设计架构，拿掉了一个背部的互连层，用改良过的电路来最小化读、写和擦除资料所需的开销。

　　图2：Everspin的MRAM晶粒图。

　　Everspin声称该公司2011年的MRAM出货量成长了300%，获得250个新的设计订单（design win），其中包括戴尔、LSI和BMW等。而用于下一代MRAM的技术──自旋力矩（Spin-torque），则可望加快读/写速度并提高密度。这是否有可能在未来让MRAM真的能取代快闪记忆体，成为SSD的关键记忆体，再缩短开机时间？我们很快就会知道答案。SSD市场正在快速成长，因此，这个产业势必需要更高速的记忆体。