LED芯片核心部位特写照 - 芯片级拆解：剖析新型LED灯泡设计的艺术

　　LED芯片核心部位特写照

　　如上图所示，用电子显微镜所拍摄的LED芯片核心部位特写照。类似用嵌入式工艺将电极和阴极连接起来，其他一部分则与阳极连接起来。

　　每个LED芯片核心部件虽然都很小，但是大部分都用于支撑材料。斜对角线的刻痕划分隔开了双衬底，在天蓝色的基板上，可以看到有一层很薄的氮化镓（GaN），大约只有7μm薄。蓝宝石衬底主要是注入了GaN生长介质。

　　在衬底隆起的图样，降低了GaN的位错密度，在衬底基质起到机械性支持和散热片的作用。在GaN底部6μm处通常不起作用。结晶体会逐渐干涉渗透到1μm处，这时，光发射极区域便确定了。光发射区要小到一定的数量级，达到纳米（nm）级范围内，最后植入在上表面下的约100nm处。