MIT提高用于LSI等的微细结构的成形速度

MIT提高用于LSI等的微细结构的成形速度

　　美国麻省理工学院（MIT）于当地时间2010年3月16日宣布，开发出了通过分子自组织现象制作可用于LSI等的微细结构的新方法。这种方法的自组织化的前期处理比原来的方法简单，可有效地形成需要的构造。

　　MIT的研究小组首先在硅表面照射极弱的电子束，形成微细的柱状结构。然后在该结构上添加由两种聚合物构成的共聚合物，这样，共聚合物便会按照柱状结构聚合。随后使用等离子除去其中一种聚合物，就可以获得含有硅的另一种聚合物的构造。

　　MIT表示，原来的自组织方法需要通过在硅表面雕刻沟槽等复杂的前处理来准备模板。而此次的新方法无需使用模板，提高了微细结构的形成速度。如果改变两种聚合物的配合比率、各自的长度、在硅表面形成的柱的形状及配置的话，形成的构造也会发生大幅变化。研究小组今后还将试制可实际工作的LSI,以及制作尺寸更小的构造。

　　新方法的详情已在英国科学杂志《Nature Nanotechnology》上刊载的论文“Complexself-assembled patterns using sparse commensurate templates withlocally varying motifs”中进行了介绍。

　　自组织是聚合物分子自然集结、形成规则性构造的现象。在自然界，贝壳、雪的结晶以及牙齿的珐琅质等都是通过自组织现象形成的。利用自组织现象，与光刻等现有半导体制造方法相比，可制造出更精细、高密度且缺陷较少的元件。