台积电总裁魏哲家在报告会上称,自去年下半年起,3纳米制程便已开始投入量产。受益于手机与HPC市场需求,今年3纳米系列产品营收将实现3倍以上的增长,业总营收比例也有望由去年的6%上升到14%-16%之间。
2024-03-13 15:21:2761 据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35263 芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表,其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 2022年10月起,铠侠已经减少了在日本四日市和北上市两家工厂的NAND晶圆投片量达30%。截至目前,铠侠NAND生产已恢复至原厂产能的两成左右。
2024-03-01 13:53:55159 我尝试在蓝牙模块CYBT-343026-01(CYW20706)上下载应用程序到串行闪存,但失败了。
第一步是按照 AIROC™ HCI UART 控制协议文档(见下文)的指示向模块发送
2024-03-01 11:59:18
该项合作进一步强化了ADI的多元化制造体系结构,提高了抵御外部风险的能力,有助于推动产品产能的迅速提升和规模化生产,以满足消费者日益增长的需求。
2024-02-25 15:46:34256 台积电预期,目前营收总额约 70% 是来自 16 纳米以下先进制程技术,随着 3 纳米和 2 纳米制程技术的贡献在未来几年渐增,比重将会继续增加,预估未来成熟制程技术占营收总额将不超过 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 据悉,台积电的3 纳米工艺将在2023年下半年以N3B为主,单月产能由之前的约6万片提高至8万片。2024年起N3E即将上场,月产能将逐步攀升至10万片,主要客户涵盖苹果以及英特尔、联发科、高通等多元客户群。
2024-02-20 09:46:56168 台积电仍将坚守主打地位,为英伟达供应高达90%的尖端封装产能。但推测中提到,自2024年第二季度起,英伟达有意将英特尔的产能纳入多款产品的制作周期内。
2024-02-01 15:27:23209 ; 没有这样的文件或目录\"。
似乎串行闪存库尚未设置。在库管理器1.0下,而我使用的是库管理器2.0,在管理器2.0下找不到串行闪存库。
在此先谢谢。
2024-01-24 07:09:52
高比表面积。纳米级材料具有较高的比表面积,这意味着相同质量的纳米材料相对于宏观材料具有更多的表面积。高比表面积使得纳米材料在吸附、催化和传感等方面具有独特的性能和应用。例如,纳米催化剂可以提高反应效率,纳米材
2024-01-19 14:06:424309 消息来源表示,TSMC 8英寸及12英寸晶圆工厂的利用率已分别回升至70-80%和80%。尤其值得注意的是,28纳米制程的利用率已重返80%的常态范围;而7/6纳米与5/4纳米制程的利用率更分别达到75%以及接近饱和状态。
2024-01-17 13:56:19187 喜讯!
继华秋荣获2023中国产业数字化百强榜企业
2023深圳行业领袖企业100强后
华秋再次荣获亿邦动力2023产业互****联网“千峰奖·数字供应链
12月1日晚,在2023亿邦产业互联网
2023-12-15 09:57:04
喜讯!
继华秋荣获2023中国产业数字化百强榜企业
2023深圳行业领袖企业100强后
华秋再次荣获亿邦动力2023产业互****联网“千峰奖·数字供应链
12月1日晚,在2023亿邦产业互联网
2023-12-15 09:53:36
描述SST26VF064B串行四通道I/O (SQI)闪存器件利用4位多路复用I/O串行接口来提高性能,同时保持标准串行闪存器件的紧凑外形。SST26VF064B还支持与传统串行外设接口(SPI
2023-12-14 10:37:13
PY25Q128HA是一种串行接口闪存设备,设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序,其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构,其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择,消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-30 16:38:00267 PY25Q64HA是一种串行接口闪存设备,设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序,其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。该设备灵活的擦除架构,其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择,消除了对额外数据存储设备的需要。
2023-11-29 16:45:57390 PY25Q32HB是一种串行接口闪存设备,设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序,其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中进行执行。
2023-11-28 17:43:07435 的测量方法等手段来降低PDI值是提高纳米材料质量和稳定性的重要途径之一。七、总结
PDI作为衡量颗粒尺寸分布均匀程度的重要指标,在纳米材料制备和生物医药领域的应用中具有重要意义。通过控制制备工艺、选择
2023-11-28 13:38:39
天岳先进、天科合达、三安光电等公司均斥资提高碳化硅晶圆/衬底产能,目前这些中国企业每月的总产能约为6万片。随着各公司产能释放,预计2024年月产能将达到12万片,年产能150万。
2023-11-24 15:59:231077 中图仪器SJ5730系列纳米探针式轮廓仪采用超高精度纳米衍射光学测量系统、超高直线度研磨级摩擦导轨、高性能直流伺服驱动系统、高性能计算机控制系统技术,分辨率高达0.1nm,系统残差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
TrendForce统计,28纳米以上的成熟制程及16纳米以下的先进制程,2023~2027年全球晶圆代工产能比重约维持7比3。其中,中国大陆因积极扩增成熟制程产能,全球占比估自29%增至33%,台湾则估自49%降至42%。
2023-11-02 16:04:0796 日前有媒体报道称,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。
2023-10-16 11:13:05452 纳米科技的迅猛发展将我们的视野拓展到了微观世界,而测量纳米级尺寸的物体和现象则成为了时下热门的研究领域。纳米级测量仪器作为一种重要的工具,扮演着重要的角色。那么,如何才能准确测量纳米级物体呢?在
2023-10-11 14:37:46
新华财经法兰克福9月13日电(记者何丽丽)ABB集团首席执行官比约恩·罗森格伦(Björn Rosengren)13日表示,ABB集团将投资2.8亿美元在瑞典新建一个工厂,将其在欧洲的生产能力提高
2023-09-19 10:32:40190 近日,北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队 造出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管 ,具备可以高度集成的能力。 基于该90nm 碳纳米管晶体管技术,目前该团队研发的高灵敏碳纳米
2023-09-05 15:10:18537 内,月产能为45,000片,自1992年起,拥有超过20年晶圆代工服务经验,于2008年自华邦电子分割后,完全专注于晶圆代工。新唐晶圆代工厂目前提供0.35微米以上工艺,包括一般逻辑(Generic
2023-08-11 14:20:51
台积电公司的m3系列处理器和下一代iphone用a17 3纳米工程制造生物处理器芯片,苹果已经为公司的3纳米1年左右废弃了生产能力,生产期间结束之前,其他芯片制造商供应”。
2023-08-09 11:46:56319 描述 DS90UB947-Q1 是一款 OpenLDI 到 FPD-Link III 桥接器件,与 FPD-Link IIIDS90UB940-Q1/DS90UB948-Q1解串器配合
2023-08-08 14:22:50
据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 这些字段,不需要开发者自行去填充。本文使用hpm6200evk开发板,flash器件是华邦的W25Q64JV。使用hpm_sdk进行开发。
SPI四线模式,统称也就QSPI。
本文是作者在使用先楫
2023-06-28 20:01:33
台积电董事长魏哲家近日在股东大会上表示:“台积电先进工程在南京批量生产3纳米工程后,将致力于扩充生产能力。目前正在建设2纳米工厂,预计2025年批量生产。”他首次表示,1.4纳米工程的下一代也将在
2023-06-27 09:36:58400 台积电的7纳米工艺产能利用率不如5纳米工艺。5纳米工艺的产能利用率从原来的50%多增加到70%至80%左右,而7纳米工艺的产能利用率也从30%至40%的水平逐步提高至50%左右。
2023-06-20 15:41:0817376 绿色封装。
凭借内部电路的独特设计,LM431BQ 对输出电容的大小几乎没有任何限制,可以使用大电容,抗干扰能力强。
广大客户现可通过华秋商城购买圣邦微系列产品!作为本土“元器件电商”的“探索者
2023-06-02 14:13:38
中芯国际是中国大陆最大的半导体制造企业之一,主要业务是为其他半导体公司生产晶片。暂时中断28纳米芯片的生产扩大,将致力于提高12纳米节点的生产能力。smic的决定是出于经济上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 你好
我们想将 Winbond QSPI Flash 与 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的闪存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 闪存?
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash:W25X40CLSNIG(华邦)
2023-06-01 09:03:36
我需要为生产目的对 ESP8285 IC 进行闪存编程。我正在寻找可以在 3 秒内完成此操作的 SPI 闪存编程器,而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道吗?
2023-05-31 10:11:19
嗨,我正在通过 UART 建立连接,我使用
来更改 UART 的引脚以与另一个设备进行通信。(我不能使用原始引脚,因为串行编程问题导致第二个设备崩溃)
在我使用
之后,UART 的 2 个引脚
2023-05-31 08:53:23
和 26(U0TXD,U0RXD)。有与 SD_Data_2 和 3(引脚 18 和 19)的连接,所以我的问题是 - 我可以使用 18 和 19 通过串行连接进入闪存模式,还是我有一块不是为访问通常的串行引脚而设计的板?在无法访问 25 和 26 的情况下,他们如何在生产环境中闪现这个东西?
2023-05-26 10:02:03
HPM6750IVM1是否可以支持华邦的SDRAM W9825G2JB?
如果支持,是否需要修改软件?
2023-05-26 06:00:44
为了避免在一些用于测试 ESP8266 固件的串行终端和一些闪存编程工具之间切换,我制作了自己的小 win 程序,它将这两个任务合并到一个 exe 中。
如果 USB2UART 桥的 RTS
2023-05-24 07:39:04
我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板(不是 NXP RDB2 或 EVP 之一)。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一个带有两个 rt600 处理器的设置,其中只有一个连接了闪存。
我想从闪存启动一个处理器,然后该处理器通过串行连接将图像发送到另一个处理器。
两个图像都需要经过身份验证。我已经成功地为第一个
2023-05-18 06:56:48
我想在 RT685 上测试主引导串行模式。我有 MIMXRT685-EVK。
最后,我想要两台 RT685,一台连接闪存,然后通过串行启动启动另一台。现在我只想测试串行启动。
我假设如果我将软件链接
2023-05-12 06:30:39
500 毫秒在闪存上切换一次,所以有东西在运行。我的理解是,对于未初始化的闪存,它最终应该会故障转移到串行下载器。使用 blhost 尝试与其交谈毫无进展(无回复)。我已经将 BOOTMODE 更改
2023-05-09 07:42:23
OCSiAl通过技术革新,提升了单壁碳纳米管粉料的产能,同时推出了新一代的高固含导电产品,相较现有产品,固含提升在2倍以上,进一步降低单壁碳纳米管的使用成本,提升性价比。
2023-04-20 09:34:461282 请给我指出 RT1176 支持的 QSPI 闪存设备列表?比如是否支持华邦#W25Q32JV器件?
2023-04-20 08:03:06
我正在尝试使用 MCUXpresso 安全配置工具通过 UART 闪存 MIMXRT1064。所有必要的配置都已完成。引导模式设置为串行下载器 (01)。处理器连接正确。我们反复遇到同样的错误。是否有任何其他配置或设置需要完成?请帮助
2023-04-14 06:39:09
带多I/O SPI的3V四路串行闪存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行闪存
2023-04-04 20:31:37
16位串行闪存 SOP8_150MIL
2023-03-31 12:05:19
512 Kbit SPI串行闪存
2023-03-28 18:25:33
16M位串行闪存
2023-03-28 16:48:13
带双、四SPI的3V 64M位串行闪存
2023-03-28 15:18:30
带双/四SPI的3V 256M位串行闪存
2023-03-28 15:18:04
512K位[x 1]CMOS串行闪存
2023-03-28 15:17:15
64GB 嵌入式纳米SD NAND闪存
2023-03-28 13:04:38
128GB 嵌入式纳米SD NAND闪存
2023-03-28 13:04:37
16M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:32
16M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:29
128M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:28
64M BIT 串行接口闪存
2023-03-28 13:02:28
超低功耗64M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗128M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗16M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗64M位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗,8 m位串行多I/O闪存
2023-03-28 12:53:07
8M位串行NOR闪存,1024K字节
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行闪存
2023-03-28 00:21:26
128Mb,3V,多I/O串行闪存
2023-03-28 00:18:32
3V 4位串行NOR闪存,带双和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
3.3V均匀扇区双和四路串行闪存
2023-03-28 00:18:17
3.3V均匀扇区双和四路串行闪存
2023-03-27 13:53:23
32 Mbit数据闪存(带额外1位)2.3V最小SPI串行闪存
2023-03-27 13:53:05
3.3V均匀扇区双和四串行闪存
2023-03-27 13:40:15
3.3V均匀扇区双和四路串行闪存
2023-03-27 13:26:46
串行闪存与双/四spi
2023-03-27 11:56:46
3.3V均匀扇区双和四串行闪存
2023-03-27 10:55:25
3.3V均匀扇区双和四串行闪存
2023-03-25 02:16:54
3.3V均匀扇区双和四串行闪存
2023-03-25 02:06:57
3.3V均匀扇区双和四串行闪存
2023-03-25 02:06:56
1Gb、3V多I/O串行闪存功能
2023-03-24 15:00:26
串行闪存与4kb扇区和双输出spi
2023-03-24 14:01:43
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的,然后继续我测试的其他阶段。(我不想一次擦除整个芯片,因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
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