近半年DRAM价首见止跌
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三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一代显卡用内存GDDR7 DRAM,这是用于图形处理单元(GPU)的最新一代高性能内存。
2024-03-18 10:35:29
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美光计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本
3 月 5 日消息,美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:35
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美光科技: 纳米印刷助降DRAM成本
近期的演示会上,美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24
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全球DRAM产业量价双升,三大原厂获益
三星作为行业领军者,在本季度DRAM营收达到79.5亿美元,环比增长近50%,主要受益于1αnm DDR5的出货提速,服务器DRAM出货量跃增逾60%。
2024-03-05 15:40:57
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DRAM芯片销售大幅增长,全年销售额预计增长46%
搬运自集微网此前的报道得知,自今年起DRAM存储芯片价格呈现明显涨势,且中国客户已接受这种情况。预计2024年度,需求复苏的PC制造商和智能手机制造商会引领NAND Flash和DRAM价格进一步走高。
2024-02-23 15:49:57
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三星电子在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室
近日,三星电子宣布在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室,以加强其在存储技术领域的领先地位。该实验室的成立将专注于开发具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以满足不断增长的数据存储需求。
2024-01-31 11:42:01
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三星电子新设内存研发机构,专攻下一代3D DRAM技术研发
原有的DRAM采用2D结构,即大量元件密集排布在同一平面。然而,为了提升性能,储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式,均能有效地增加存储空间。
2024-01-29 09:31:17
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2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年剧增
DRAM稼动率缓步改善,业界认为,整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升,较2023年第4季小幅提升约5%左右,下半年投片量回升速度将明显加快。
2024-01-23 10:53:04
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三星正在研发新型LLW DRAM存储器
近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03
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TS201的核电压1,05V,I/O电压2.5V,DRAM电压1.5V的上电顺序应该谁先谁后啊?
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DRAM涨价启动!Q1涨幅高达20%
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2024-01-08 16:43:54
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DRAM合约价一季度涨幅预计13~18%,移动设备DRAM引领市场
据DRAM产品分类显示,PC DRAM方面,DDR5订单需求未得到充分满足,买方预期DDR4价格将进一步上涨,这激发了备货需求。尽管新一代设备向DDR5转型,但对于DDR4采购量增幅不定。预计PC DRAM季度合约价变化幅度将在10~15%之间,其中DDR5占据更大比例。
2024-01-08 14:27:26
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传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备
数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22
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DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%
根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16
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存储市场动态:DRAM价格大幅上涨在即
随着上游原厂酝酿提价,多家存储器模块业者已经开始备货,以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。
2024-01-03 15:34:13
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传三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%
近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20
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DRAM价格上涨因存储巨头减产,供需紧张料持续至年底
据报道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM价格将上涨至少15%;尽管NAND闪存涨价迹象尚不明显,但预测同样存在跟进上涨的可能。据IT之家引用集邦观点预计,DRAM价格涨势将持续至2024年末。
2024-01-03 14:31:03
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三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖
部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21
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SK集团会长:DRAM需求正在改善,NAND几乎处于休眠状态
他在记者会上称,虽然期望2023年上半年能够全面恢复,但还需耐心等待。部分领域的需求推动着市场前行,然而市场并未全面复苏。他特别指出,现阶段DRAM产业表现良好,但NAND却仍然停滞不前。
2023-12-19 13:54:26
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dram和nand的区别
dram和nand的区别 DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种随机存取存储器,而NAND(Not AND)是一种逻辑
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DRAM产业Q3营收达134.8亿美元,合约价还将上涨
三星dram的营业利润在第三季度约增加15.9%,达到52.5亿美元,市场占有率为38.9%,占据首位。三星对ai高用量产品的需求不断增加,1alpha nm ddr5的批量生产也呈现良好势头。
2023-12-05 17:07:08
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DRAM库存高 Q4出货增长或有限
trendforce表示,第三季度三家企业的营业利润均有所增加,由于ai话题的扩散,对高用量产品的需求保持稳定,而且在批量生产1 alpha nm ddr5以后价格也有所上升,从而使三星第三季度dram销售额增长15.9%,约52.5亿美元。
2023-12-05 10:19:53
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三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片
三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16
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DRAM的范式转变历程
DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15
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世界上首次商用D1Beta一代DRAM的诞生
Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁垒,对提升电子设备性能至关重要,包括移动电话和其他边缘设备。
2023-11-24 11:11:45
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DRAM选择为何突然变得更加复杂?
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情况下,DRAM——尤其是高带宽存储器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有着良好的记录,也有成熟的工艺,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08
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芯片设计中DRAM类型如何选择
DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快,如HBM,但也很昂贵。其他类型速度较慢,但价格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,变化的是,在异构架构中,两者都可以发挥重要作用,以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13
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存储芯片市场价格止跌 AI芯片需求推动先进工艺发展
经历漫长的下行周期之后,存储芯片市场价格止跌,部分型号存储芯片价格出现反弹,该行业的疲软需求可能终于触底。
2023-11-14 10:47:57
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存储芯片价格上涨已从DRAM扩大到NAND闪存 明年上半年预计上涨超过10%
但是,存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说,已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
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关于DRAM市场趋势的“虚假谎言
在半导体逻辑的研发中,“小型化的极限”一直被人们谈论。正如上次提到的,尖端逻辑MOS FET的加工尺寸已不再与技术节点值相匹配,可以说晶体管的小型化已经达到了极限。那么DRAM的小型化又如何呢?
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2023-11-03 17:23:09
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在2023年2月在国际学会ISSCC上,三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下图左)和硅芯片(下图右)。
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DRAM先进制程进展如何?
美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。
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日宣布, 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*,其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps(每秒9.6千兆)最高
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单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片
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堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺介绍
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图,虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32:37
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内存芯片制造工艺 DRAM工艺流程 堆叠式DRAM工艺流程
内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:09
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商汤上半年营收14.33亿 生成式AI相关收入大增近7倍 上半年亏损收窄至31亿
商汤上半年营收14.33亿 生成式AI相关收入大增近7倍 上半年亏损收窄至31亿 AI持续火爆,也使得相关企业的业绩向好,商汤发布了2023年上半年财报。商汤上半年财报数据显示,商汤集团2023
2023-08-29 16:39:27
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DRAM内存分为哪几种 dram存储器的存储原理是什么
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:02
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三星电子DRAM市场份额创新低 仍是全球第一
今年上半年,三星电子的旗舰产品,如半导体、智能手机和电视等,在市场份额方面普遍遭遇下滑。特别是在半导体领域的核心业务DRAM方面,尽管三星电子仍然占据全球第一的位置,但市场份额已经达到了自9年来的最低点。
2023-08-18 17:14:57
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3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。 技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体
2023-08-08 14:24:12
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DRAM价格触底反弹,专家曝真实原因
在过去一段时间内,存储器市场遭受了来自PC和智能手机需求低迷的严重冲击,导致DRAM价格持续下跌,整个行业景气不振。特别是用于智能手机和PC上暂存数据的DRAM,价格长期跌跌不休,给厂商带来了巨大
2023-08-03 15:18:57
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3D DRAM架构的未来趋势
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。
2023-08-03 12:27:03
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dram存储器断电后信息会丢失吗 dram的存取速度比sram快吗
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器是一种易失性存储器,意味着当断电时,存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据,电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电,电容会迅速失去电荷,导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:03
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半导体大佬们集体预测:行业谷底已过,下半年将温和复苏!
来源:集微网 从产业链中硅晶圆/存储/晶圆代工/封测/PC/面板各领域的大佬言论中可以看出,目前半导体产业库存调整仍在持续进行中,下半年的复苏力度将大于上半年。 编辑:感知芯视界 据集微网报道,去年
2023-07-18 10:02:16
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2023半程已过硅料价格触底?下半年硅料、硅片市场展望
跌幅达到57.3%。上游价格的崩塌亦引发了下游市场的相继跟跌。 但进入2023年上半年尾声,“跌跌不休”的光伏市场终于出现“止跌”迹象,上游多晶硅及硅片自6月中下旬跌幅明显减缓,硅片甚至在6月底“偶现”小幅反弹迹象。究其原因: 一方面,随着硅料价格
2023-07-13 15:02:29
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DRAM和SRAM元器件原理
元器件原理<DRAM> 由1个晶体管、1个电容器构成 数据的写入方法 <“1” 时> Word线电位为 high Bit线电位为 high Word线电位为 low 元器件原理<SRAM> 存储单元
2023-07-12 17:29:08
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SK海力士将为苹果Vision Pro MR设备提供专用DRAM
为了实现这一功能,还必须适合用于辅助计算的dram。现有智能手机使用的移动dram的速度是有限的。sk海力士根据苹果公司的要求,提供了最适合操作r1芯片的dram。大幅增加了输入/输出(i/o)频道的数量,可以将数据迅速传送到存储器内外。
2023-07-12 09:39:56
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三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号
但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星的DRAM月产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。
2023-07-06 15:57:36
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第三季度整体PC DRAM均价将环比下跌0~5%
Mobile DRAM方面,由于上半年智能手机需求疲弱,尽管传统旺季有望带动Mobile DRAM需求,加上原厂同时进行减产,但对于快速降低原厂库存的助益仍相当有限。
2023-07-06 11:39:44
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DRAM合约拟涨价7%-8%!
据悉,DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。业内人士称,目前价格还在季末的拉锯战中,个别厂商面对的情况不一样,若下游企业本身的库存水位高,会不会接受价格调整还需再观察。
2023-06-29 15:41:10
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存储三巨头欲拉动DRAM价格上涨 目标涨幅7-8%
存储芯片行业目前正面临长时间亏损衰退的情况,DRAM价格已经跌至不可再降的水平,但巨头厂商似乎计划推动价格上涨。
2023-06-29 14:57:32
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消息称存储芯片三大原厂拟调涨DRAM合约价7%-8%
据悉,dram的批发价格是存储器事业者和顾客公司之间每个月或每个季度决定的。业界人士表示:“目前价格还处于季节的最后阶段,因此个别制造企业面临的状况有所不同。”并称:“如果下级企业的库存水位上升,是否会受到价格调整,还需要进一步观察。”
2023-06-29 11:00:47
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比特错误模式对DRAM故障预测有何影响?
DRAM错误数据主要通过Linux检错纠错驱动程序采集。同时获取每个CE的微观地址信息,即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21
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反超SK海力士,美光跃居第二大DRAM供应商
在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06
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如何看待3D DRAM技术?
3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法现在已广为人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工艺的 DRAM 应该能够快速量产。
2023-05-31 11:41:58
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今日看点丨传台积电下半年或明年上半年再涨价 幅度3%起跳;鸿海扩大布局印度
1. 传台积电下半年或明年上半年再涨价 幅度3% 起跳 据报道,IC设计公司表示,半导体需求旺盛情景已过,上下游急忙降价以求快速降低库存,只有台积电维持不变。近期再度传出台积电下半年或2024
2023-05-09 10:36:25
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8倍密度,像做3D NAND一样做DRAM
电子发烧友网报道(文/周凯扬)在存储行业有些萎靡不振的当下,大部分厂商都在绞尽脑汁地去库存,也有的厂商考虑从新的技术方向给存储行业注入生机,比如最近发布了3D X-DRAM技术的NEO
2023-05-08 07:09:00
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3D DRAM,Chiplet芯片微缩化的“续命良药”
CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements,即“半定制化紧凑型超高带宽DRAM”的简称。华邦电子次世代内存产品营销企划经理曾一峻在向《电子工程专辑》说明CUBE核心价值时表示,新能源汽车、5G、可穿戴设备等领域的不断发展
2023-05-05 11:07:44
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使用调试器将程序加载到DRAM中,为什么配置工具会出现此错误?
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上开发应用程序。
应用程序代码和数据在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一个可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
AI训练不可或缺的存储,HBM3 DRAM再升级
电子发烧友网报道(文/黄晶晶) SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:00
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![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/1F/wKgZomREmUGALUB4AAe66QfBu6I774.png)
2030年DRAM模块和组件市场将达到1111亿美元
2022年DRAM模组及组件市场规模为994亿美元,预计2022—2030年复合年增长率为1.40%,到2030年将达到1111亿美元。
2023-04-19 09:30:16
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DRAM市场恢复元气,还想在GPT市场干票大的?
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)在交出一份相当不理想的Q1财报之后,三星电子终于决定,将削减存储芯片的产量,减产有望缓解供应过剩,提振陷入寒冬的半导体行业。 对于DRAM行业而言,这真的是巨大的利好
2023-04-15 03:00:00
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![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9F/AC/pYYBAGQ5JLKAHeFYAANgYcRJoeQ615.png)
PCB线路板上面的线路离这么近不会有什么电磁干扰吗?
PCB线路板上面的线路离这么近不会有什么电磁干扰吗?线路密集处的线路这么稠密,当它们通电后不会造成相互干扰吗?
2023-04-11 17:25:28
如何更改i.MX28中的DDR2时钟EMI_CLK频率?
大家好我们在我们的一款产品中使用 i.MX28,它使用以下寄存器设置在 180MHz EMI_CLK 上工作——volatile unsigned int * DRAM
2023-04-04 08:49:41
如何在SDK1.9中更改U-Boot for P2020中的2G DRAM大小?
大家好,请问大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小吗?我尝试更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 无法运行,见日志如下。还有一个
2023-04-03 06:40:26
LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM启动失败的原因?
= 0x0000000000000000 boot_params = 0x0000000000000000 DRAM bank = 0x0000000000000000 -> start
2023-03-29 07:51:32
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