电子发烧友网讯:在刚过去的一周里,半导体行业发生的事情可谓是热潮迭起。ITPC 2012、第80届中国电子展正式开幕,IBM碳纳米管取代硅技术获得突破进展,美光收购尔必达获批准,优异光电性能的新型半导体材料“砷化镓纳米线”问世,台积电32亿购地规划18寸晶圆厂,AMD转型ARM架构高阶服务处理器设计… 更多精彩内容,请持续关注《电子发烧友网半导体行业周报》。
本周热点资讯:
1 美光收购尔必达获批准 或将成为全球第二大DRAM厂商
本周三(31日),日本东京法院批准美光科技对尔必达的收购案,同时否决债券持有者提交的候选方案,从而使得这一计划向前迈进一大步。
由于PC行业疲软、电脑芯片价格下跌竞争加剧,导致尔必达破产,美光也处于亏损状态。为实现公司更大规模经济,今年早些时间,美光向尔必达发出收购要约。除了7.5亿美元现金外,美光科技还将在2019年底前为尔必达支付总额17.5亿美元的分期债务。
预计至2013年上半年,美光科技将完成对尔必达的收购。交易完成后,美光将成为仅次于三星的全球第二大DRAM芯片制造商。
2 联电14nm FinFET制程技术将于2014年试产
日前,联电将直接跳过20奈米,全力研发新一代14奈米FinFET制程,该技术可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势,扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造市场。
14奈米FinFET制程藉由双重曝光微影技术实现,尽管现今成本高昂,但却能大幅提升单位面积内电晶体的整体效能,成为晶圆代工业争相竞逐的技术。
据悉,此一新制程目前正于南科研究中心全力研发中,预计2014年初可完成验证,并旋即进行试产。
3 IBM再创奇迹!碳纳米管迈出取代硅第一步
历史上第一次!IBM利用离子交换化学理论研究的全新方法,使用标准的主流半导体工艺,实现了将百万碳纳米管打造的晶体管精确地放置在一颗芯片内,并通过了可行性测试。至此,IBM迈出了用碳纳米管在半导体制造工艺领域投入商业化应用的第一步。
详情了解:http://elecfans.com/news/foreign/20121029294719.html
4 安森美半导体计划2015年跻身全球前十大半导体厂商行列。
安森美半导体主营业务包括分立器件、标准产品、二极管、转发器等产品,高端产品在电源管理、电机控制/驱动方面、电路保护、工业ASIC等多领域占据世界领先地位。
为实现这一计划,安森美半导体主要开展三方面的工作:第一,实现在汽车等支柱行业的有机增长;第二,进一步在电源模块、小系统和子系统的业务上实现突破。第三,收购在业务上具有互补性的一些目标企业。
在汽车半导体方面,安森美计划2016年实现翻倍增长,不断加大中国市场的投入。
5 年度性“国际技术合作伙伴会议(ITPC 2012)”11月份即将上演。
ITPC今年的议题为:技术的长期发展方向和今天的商业模式带来的影响。而对亚洲成长机会的探讨则是最大的热门话题,目前已经吸引到Global Foundries、IBM、Intel、Micron、Qualcomm、Toshiba 等产业精英汇聚ITPC 2012。
会议特别邀请到半导体代工业者Global Foundries、工艺先导IBM、CPU大佬Intel、存储产品有力竞争者Micron、全球顶级通信芯片设计公司Qualcomm和IDM的代表Toshiba 等国际大厂到场聚焦技术开发、策略布局与半导体产业转移趋势等议题,通过举办高峰会谈等形式,针对动荡时代下的半导体技术挑战 (包括450mm晶圆开发)等议题进行探讨。
ITPC 2012举办时间:11月4-7日,举办地点:Hawaii
6 第80届中国电子展(2012上海电子展)10月30日正式开幕
中国最大电子展迎来80届盛典,在上海新国际博览中心隆重开幕。
在当前全球经济不景气的情况下,新能源、数码消费电子、绿色环保概念等成为了本届展会的几大亮点。
本届电子展上,有超过1300多家展商参展,集中展示电子元器件、电子生产设备、电子工具、仪器仪表、光电产品、消费电子产品等完整产业链,展位2100多个,展示面积50000平方米。展会专设物联网及RFID、智能终端、移动精品、3D立体视像、LED照明、太阳能光伏、电源电池等热门展区。
详情了解:http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121031295803.html
7 三星半导体高端存储芯片项目落户西安高新区
三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片项目已落户西安高新区,预计投资300亿美元,将成为改革开放后在中国电子信息领域引进的最大外商投资项目。
中国移动通信集团陕西有限公司西安分公司成为首家与三星(中国)半导体有限公司合作签约的通信运营商。在资源共享、综合语音、行业信息化等方面与三星(中国)半导体有限公司开展深度合作,提供包括综合V网、融合通信等多项业界领先的一揽子信息化解决方案。
8 台积电32亿购地 抢先建全球首家规划18寸晶圆厂
台积电过去建厂土地都以租赁形式,这次是首次大手笔买地,展现了台积电晶圆代工厂龙头的决心。
日前,台积电积极与英特尔、三星合资微影设备大厂艾司摩尔(ASML)展开合作,加速18寸晶圆与极深度紫外光(EUV)发展。
此次着手布建的是7nm先进制程生产蓝图,并搭配18寸晶圆生产。新厂房最快2106年动工。另外,台积电18寸晶圆研发与试产,最快于2017年底进入量产。
9 太极实业拟收购新义半导体及新义微电子
10月28日,太极实业就公司拟收购EEMS旗下100%持有(间接持有)之中国子公司新义半导体(苏州)有限公司及新义微电子(苏州)有限公司的全部资产及经营性负债签订了《框架协议》。
协议显示,太极实业将直接以其自己名义收购新义微电子的资产,同时,公司将在苏州工业园区出口加工区设立其独资或绝对控股的企业收购新义半导体的资产。本次交易的标的为新义半导体及新义微电子之全部资产及剔除应由新义半导体及新义微电子承担的4500万美元债务后的经营性债务。
此次收购,在部分欧洲企业深陷欧债危机的大背景下,以一个相对较低的价格获得较优质的资产,有利于公司低成本扩张,获得独立的半导体研发队伍及市场销售队伍,深化公司在半导体行业的发展。
10 台积电16nm FinFET制程预计明年年底试产
尽管全球经济状况不甚理想,但受益于移动通信市场的需求强劲,台积电65、40、28奈米等先进制程晶圆销售量皆保持持续增长。
目前,20与16奈米制程技术已明显加快。其中,20奈米已进行投片测试,16奈米的研发则比预期更快,16奈米FinFET制程量产时程可望提前,预计明年底开始试产,后年初即可开始投入量产。
另外,台积电20奈米制程将在明年初如期量产。公司表示,明年资本支出仍会持续增加,以扩增在先进制程上的实力。
11 先进科技(惠州)二期项目半导体设备制造竣工投产
作为惠州市现代产业百强重点培育项目、惠城区重点建设项目,先进科技(惠州)有限公司二期半导体设备制造项目于日前在小金口街道办73号区竣工投产。
先进科技(惠州)二期项目投资方为ASM先进科技亚洲有限公司,是目前世界最大的半导体设备制造商,目前,公司主要负责承接香港ASM公司在深圳公司的产业转移。
整个项目共分为四期,一期项目已于2010年投产,主要生产经营电子专用设备及模具。二期项目投资3800万美元,建筑面积4.7万平方米,主要从事半导体设备制造。项目三期建成后年产值可超过10亿元,有效提升现代制造企业水平,填补半导体设备制造空缺。
12 AMD转型ARM 64位架构高阶处理器设计 台积电受惠
10月30日,AMD宣布采用ARM 64位元架构,推出新一代Opteron资料中心及服务器处理器,预计2014年量产上市,并将采用在转投资服务器厂SeaMicro产品线中。
日前,AMD进行组织精简后,10月中旬推出Hondo处理器,由台积电40nm代工生产。如今,AMD决定推出ARM架构Opteron处理器,在28、20nm先进进程与ARM合作多年的台积电,有望成为其最主要的晶圆代工厂。
13 优异光电性能的新型半导体材料“砷化镓纳米线”问世
近日,挪威科技大学成功研发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”,并申请了技术专利,该复合材料基于石墨烯,具有优异的光电性能,在未来半导体产品市场上将极具竞争性,这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。
该产品采用自动分子束外延生长法,在原子级薄石墨烯上生成半导体纳米线,新电极具有透明、韧性佳且价格低廉。该纳米线是半导体装置生产方法的新模板,可应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产。
该项技术的优势在于,使得电子产品和光电子器件升级、设计得到更好的平台 ,未来电子产品设计更加微型而高效,而引用石墨烯将是未来众多电子应用的首选材料。
14 我国超导电子技术步入实用化阶段 移动与医疗市场前景广阔
10月25日~26日,第十二届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨暨超导电子技术应用研讨会在合肥举行。共同探讨我国超导电子技术发展科研问题、所取得的阶段性成绩,以及产业链环节筹划与推进,促进超导电子产业化发展和规模商用系列问题。
历时20余年研发,超导技术在我国深空探测、航天应用、气象雷达方面,在世界已占据一席之地。譬如:我国建成国际首个高温超导气象雷达站,超导接收机成功实现嫦娥探月工程,超导高温滤波器已在全国16个省投入应用等等。
超导电子应用领域,移动基站和医疗设备两大市场尚属起步阶段。在未来的发展前景中,降低成本是产业化面临的一大问题。只有通过技术、市场、资金三方位结合,才能更好地实现超导电子规模商用和产业化的发展。
市场观察:
1 今年1-8月我国集成电路产量同比增长8.5%
今年以来,尽管经济下行压力较大,但在移动终端、消费电子市场持续增长的带动下,我国集成电路产业实现平稳增长,上半年销售收入852.8亿元,同比增长7.5%。在整机销售旺季到来、库存补充等因素的推动下,第三季度以来我国集成电路产量明显上升。1~8月产量累计为631亿块,同比增长8.5%。
2 台积电28nm工艺产能翻倍 晶圆供不应求
今年第三季度,台积电收入和利润都有了较大幅度的增长。28nm产能实现翻番。
台积电28nm工艺产能营收占总收13%,第四季将超过20%,明年预计将上升至30%。良品率也在持续改进,毛利率会在第四季度超过40%,2013年达到公司平均水平(45-50%)。
目前,台积电28nm生产线正在百分之百满负荷运转,但证明依然供不应求。
小编总结:随着传统淡季的来临,传统PC向智能手机、平板电脑应用转变的影响、消费性市场的萎靡不振、上游晶片商投片量减少,全球晶圆厂产能利用率下滑近两成,预计2013年底才可望缓步提升。28nm先进制程工艺产能虽持续满载,但仍不足以带动整体产能利用率回升至期望值。
3 日月光:第四季封测材料出货预期可增3~5%
28nm供应不如预期,第3季封装与材料出货量季增4%,望后市,第4季在28纳米供应情况恢复顺畅后,封测与材料出货量可望季增3~5%,维持今年出货量逐季提高的趋势。)
小编总结:受惠于高端智能手机、IDM客户订单回流影响,先进28nm制程产能供不应求,集成电路封测与材料业也呈现逐季提高的趋势。
4 半导体二线封测厂Q3赚赢一线厂
今年3月底以来,外资买进标的几乎集中在二线封测厂,尤以京元电(2449)、矽格买盘最积极。京元电外资持股大增13.92百分点,达到37.18%,矽格持股增6.22百分点,持股达23.42%,均创历来最高纪录。
外资减码日月光,主要原因在于日月光今年毛利率表现未及矽品。主要表现在日月光整合元件大厂(IDM)铜打线及高阶封测委外订单未能如期析出,主力订单遭遇矽品等二线厂商分食,日月光高额折旧情况保持不变等等。
反观京元电、矽格,主力客户几乎切入苹果、三星及大陆中低价智能型手机供应链,近年来资本支出保守,推升毛利率表现,未来成长及获利表现良好。期望第四季营运也将优于以往表现。
5 世界先进Q4晶圆营收较上季度持平或微减
世界先进表示,十一黄金周后,部分客户仍保持强劲需求,预估公司第四季度晶圆出货量较之第三季度,会保持持平或微幅下滑趋势,产能利用率在84%至86%,Q4整体展望优于外界预期。
小编总结:随着年底的临近,部分客户进行库存调整,晶圆产能受到小幅影响。但大尺寸面板驱动IC(TV和平板)需求依然旺盛,Q4消费性电子营收占比也会成长,而表现相对疲软的则为PC相关和电源管理IC。
6 PC产业2013年上半年带动半导体需求反弹 封测景气优于晶圆代工
全球经济情况不确定性持续提升,连带影响今年下半年半导体产业表现。仅剩行动装置平板电脑和智慧型手机相关产品推升营运表现。PC影响半导体需求最大,尽管以期Windows 8上市能带动PC需求上扬,但由于终端价格偏高,预期买气亦将会延续。
小编总结:在历经今年底2季度的库存调整,在通讯产品需求加持下,预期2013年上半年PC产业景气可望反弹,基于产能供应有限,高阶封测需求持续走扬,预计明年封测产业景气表现将优于晶圆代工。
新品方案:
[持续更新] 近期电子新品方案汇总(10.29-11.04)
http://elecfans.com/tongxin/119/20121101295986.html
【半导体】
1 Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.( VSH)宣布推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL,保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造,为国防和航天应用提供了增强的性能规格,包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295940.html
【通信应用】
1 TriQuint半导体推出业内首个双通道、表面贴装的光调制器驱动器TGA4947-SL
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司今天宣布,推出业内首个双通道、表面贴装的光调制器驱动器---TGA4947-SL,可降低物料清单和缩小专用于光驱动功能的印刷电路板面积。
TGA4947-SL是分别使用DQPSK和DP-QPSK调制,为40 Gb/s和100 Gb/s光波网络而设计。提供出色隔离对于降低位元错误率的影响,可维持从DC至 40 GHz带宽的30dB高通道至通道的隔离。TriQuint提供最低的功耗(在6Vpp输出时每通道仅1.2W),实现更紧凑的光发射器设计。与TriQuint的智能评估板 (Smart EVB™) 解决方案兼容,简化射频连接等。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/TGA4947-SL.html
2 同方微电子携手宏力半导体量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡
近日,北京同方微电子与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司共同宣布, 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。
宏力半导体的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术是在现有成熟的0.13微米嵌入式闪存技术基础上,进一步优化生产工艺,将原来0.38平方微米的闪存存储单元面积显著减小了近50%(小于0.2平方微米),为业界0.13微米嵌入式闪存技术节点的最小闪存存储单元尺寸,尤其适合大容量闪存的产品。该闪存技术具有很高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据保持100年,并且兼具编程效率高和无过度擦除的优点。此外,该款技术搭配宏力半导体独有的双闸工艺平台,提供了市场应用中最低本高效之解决方案。
3 德州仪器推出基于蓝牙4.0易集成型QFN封装CC2560和CC2564器件
日前,德州仪器(TI)宣布:TI及其分销合作伙伴现已开始推出基于蓝牙(Bluetooth®) v4.0 技术、采用易集成型QFN 封装cc2560和cc2564器件。此外,TI还宣布推出了基于这两款器件的其它生产就绪型模块以及软件工具。
CC2560器件可为需要高吞吐量的音频与数据应用提供蓝牙v4.0“传统”支持。CC2564器件支持两种选择:双模蓝牙/蓝牙低耗能或双模蓝牙/ANT+。可从双模解决方案获得优势的应用包括需要与蓝牙“传统”产品进行无线通信的产品以及蓝牙低耗能或ANT+设备(如运动健身整合型产品小配件或智能手表等)等。此外,双模蓝牙v4.0 解决方案还可用作支持更远覆盖范围的传感器解决方案,无论移动设备是否采用蓝牙低耗能技术,都能与其通信。
【模拟数字】
1 麦瑞半导体推出支持关机功能的新款低噪声放大器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)宣布推出带有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪声放大器(LNA)MICRF300。MICRF300是面向100MHz至1000MHz频率范围的无钥匙进入(RKE)、车库门遥控开关(GDO)和自动抄表(AMR)等低功耗、低数据传输率应用的器件。
MICRF300提供低噪声系数和集成逻辑电平休眠功能,射频应用设计师可以利用它非常容易地扩大无钥匙进入、车库门遥控开关和自动抄表等应用的遥控距离。该器件的逻辑电平关机输入电路使得它可以非常容易地连接到单片机,无需分立式低噪声放大器普遍需要的额外偏压电路来实现休眠功能。这使得该器件成了那些依靠电池供电、平均电流消耗极低且空间有限的应用的理想解决方案。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/MICRF300.html
2 德州仪器(TI)推出两款双极输入音讯运算放大器
德州仪器 (TI) 宣布推出两款双极输入音讯运算放大器,可提供优异杂讯、失真及频宽效能,仅需消耗1.5mA 电流。低功耗双通道 OPA1662 与四通道OPA1664可帮助系统设计人员开发最新专业级与半专业级音讯设备,完美还塬真实录音效果的清晰音质。这些运算放大器适用于USB与FireWire音讯系统、类比与数位混合器、可携式录音系统及其它需要最高杂讯效能与低功耗的应用。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295777.html
3 麦瑞半导体发布新型可高度配置的双锁相环(PLL)时脉发生器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)发布新型可高度配置的双锁相环(PLL)时脉产发生器系列产品,优化超低抖动、超强串扰隔离和增强型电源杂讯抑制。SM803xxx系列产品有12个提供高达850MHz频率的差分或单端输出,这些输出的RMS相位抖动均小于200飞秒(fs)。FLEX2可支援那些需要用单一IC实现多频率、高扇出和超低抖动的高要求应用,包括10/40/100Gb乙太网、SONET/SDH、CPRI/OBSAI、光纤通道、SAS/SATA,以及FPGA和SerDes的高速时脉等。FLEX2可以通过基于熔丝的一次性可程式设计(OTP)记忆体进行工厂配置,提供了一个自订、快速转变和高性能的时脉解决方案,缩短了产品成型时间和终端系统设计周期。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295793.html
4 ADI发布相位噪声性能的PLL频率合成器ADF4153A
http://elecfans.com/xinpian/ic/ADF4153A.html
【电源管理】
1 麦瑞半导体推出两款车用级高性能线性稳压器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)推出两款合乎AEC-Q100标准的新型高性能线性稳压器。MAQ5281/82系列产品具有最高120V DC的极宽输入工作电压范围,输出电流分别高达25mA和50mA。这两款器件是汽车和工业应用中经常碰到的恶劣环境下使用的理想产品。
麦瑞半导体的新型MAQ5281/82是车用级产品,保证输出电流分别为25mA和50mA,输出电压可在1.27V到5.5V范围内调节,可以承受高达120V DC的输入电压,而且具备超高的电源抑制比(PSRR)(大于90分贝)。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295935.html
2 Diodes推出首款采用了微型无引线封装的肖特基二极管
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3 德州仪器推出降压转换器TPS62175
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4 Intersil推出最低功耗双端口G类线路驱动器-ISL1561
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由于PC行业疲软、电脑芯片价格下跌竞争加剧,导致尔必达破产,美光也处于亏损状态。为实现公司更大规模经济,今年早些时间,美光向尔必达发出收购要约。除了7.5亿美元现金外,美光科技还将在2019年底前为尔必达支付总额17.5亿美元的分期债务。
预计至2013年上半年,美光科技将完成对尔必达的收购。交易完成后,美光将成为仅次于三星的全球第二大DRAM芯片制造商。
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14奈米FinFET制程藉由双重曝光微影技术实现,尽管现今成本高昂,但却能大幅提升单位面积内电晶体的整体效能,成为晶圆代工业争相竞逐的技术。
据悉,此一新制程目前正于南科研究中心全力研发中,预计2014年初可完成验证,并旋即进行试产。
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安森美半导体主营业务包括分立器件、标准产品、二极管、转发器等产品,高端产品在电源管理、电机控制/驱动方面、电路保护、工业ASIC等多领域占据世界领先地位。
为实现这一计划,安森美半导体主要开展三方面的工作:第一,实现在汽车等支柱行业的有机增长;第二,进一步在电源模块、小系统和子系统的业务上实现突破。第三,收购在业务上具有互补性的一些目标企业。
在汽车半导体方面,安森美计划2016年实现翻倍增长,不断加大中国市场的投入。
5 年度性“国际技术合作伙伴会议(ITPC 2012)”11月份即将上演。
ITPC今年的议题为:技术的长期发展方向和今天的商业模式带来的影响。而对亚洲成长机会的探讨则是最大的热门话题,目前已经吸引到Global Foundries、IBM、Intel、Micron、Qualcomm、Toshiba 等产业精英汇聚ITPC 2012。
会议特别邀请到半导体代工业者Global Foundries、工艺先导IBM、CPU大佬Intel、存储产品有力竞争者Micron、全球顶级通信芯片设计公司Qualcomm和IDM的代表Toshiba 等国际大厂到场聚焦技术开发、策略布局与半导体产业转移趋势等议题,通过举办高峰会谈等形式,针对动荡时代下的半导体技术挑战 (包括450mm晶圆开发)等议题进行探讨。
ITPC 2012举办时间:11月4-7日,举办地点:Hawaii
6 第80届中国电子展(2012上海电子展)10月30日正式开幕
中国最大电子展迎来80届盛典,在上海新国际博览中心隆重开幕。
在当前全球经济不景气的情况下,新能源、数码消费电子、绿色环保概念等成为了本届展会的几大亮点。
本届电子展上,有超过1300多家展商参展,集中展示电子元器件、电子生产设备、电子工具、仪器仪表、光电产品、消费电子产品等完整产业链,展位2100多个,展示面积50000平方米。展会专设物联网及RFID、智能终端、移动精品、3D立体视像、LED照明、太阳能光伏、电源电池等热门展区。
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7 三星半导体高端存储芯片项目落户西安高新区
三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片项目已落户西安高新区,预计投资300亿美元,将成为改革开放后在中国电子信息领域引进的最大外商投资项目。
中国移动通信集团陕西有限公司西安分公司成为首家与三星(中国)半导体有限公司合作签约的通信运营商。在资源共享、综合语音、行业信息化等方面与三星(中国)半导体有限公司开展深度合作,提供包括综合V网、融合通信等多项业界领先的一揽子信息化解决方案。
8 台积电32亿购地 抢先建全球首家规划18寸晶圆厂
台积电过去建厂土地都以租赁形式,这次是首次大手笔买地,展现了台积电晶圆代工厂龙头的决心。
日前,台积电积极与英特尔、三星合资微影设备大厂艾司摩尔(ASML)展开合作,加速18寸晶圆与极深度紫外光(EUV)发展。
此次着手布建的是7nm先进制程生产蓝图,并搭配18寸晶圆生产。新厂房最快2106年动工。另外,台积电18寸晶圆研发与试产,最快于2017年底进入量产。
9 太极实业拟收购新义半导体及新义微电子
10月28日,太极实业就公司拟收购EEMS旗下100%持有(间接持有)之中国子公司新义半导体(苏州)有限公司及新义微电子(苏州)有限公司的全部资产及经营性负债签订了《框架协议》。
协议显示,太极实业将直接以其自己名义收购新义微电子的资产,同时,公司将在苏州工业园区出口加工区设立其独资或绝对控股的企业收购新义半导体的资产。本次交易的标的为新义半导体及新义微电子之全部资产及剔除应由新义半导体及新义微电子承担的4500万美元债务后的经营性债务。
此次收购,在部分欧洲企业深陷欧债危机的大背景下,以一个相对较低的价格获得较优质的资产,有利于公司低成本扩张,获得独立的半导体研发队伍及市场销售队伍,深化公司在半导体行业的发展。
10 台积电16nm FinFET制程预计明年年底试产
尽管全球经济状况不甚理想,但受益于移动通信市场的需求强劲,台积电65、40、28奈米等先进制程晶圆销售量皆保持持续增长。
目前,20与16奈米制程技术已明显加快。其中,20奈米已进行投片测试,16奈米的研发则比预期更快,16奈米FinFET制程量产时程可望提前,预计明年底开始试产,后年初即可开始投入量产。
另外,台积电20奈米制程将在明年初如期量产。公司表示,明年资本支出仍会持续增加,以扩增在先进制程上的实力。
11 先进科技(惠州)二期项目半导体设备制造竣工投产
作为惠州市现代产业百强重点培育项目、惠城区重点建设项目,先进科技(惠州)有限公司二期半导体设备制造项目于日前在小金口街道办73号区竣工投产。
先进科技(惠州)二期项目投资方为ASM先进科技亚洲有限公司,是目前世界最大的半导体设备制造商,目前,公司主要负责承接香港ASM公司在深圳公司的产业转移。
整个项目共分为四期,一期项目已于2010年投产,主要生产经营电子专用设备及模具。二期项目投资3800万美元,建筑面积4.7万平方米,主要从事半导体设备制造。项目三期建成后年产值可超过10亿元,有效提升现代制造企业水平,填补半导体设备制造空缺。
12 AMD转型ARM 64位架构高阶处理器设计 台积电受惠
10月30日,AMD宣布采用ARM 64位元架构,推出新一代Opteron资料中心及服务器处理器,预计2014年量产上市,并将采用在转投资服务器厂SeaMicro产品线中。
日前,AMD进行组织精简后,10月中旬推出Hondo处理器,由台积电40nm代工生产。如今,AMD决定推出ARM架构Opteron处理器,在28、20nm先进进程与ARM合作多年的台积电,有望成为其最主要的晶圆代工厂。
13 优异光电性能的新型半导体材料“砷化镓纳米线”问世
近日,挪威科技大学成功研发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”,并申请了技术专利,该复合材料基于石墨烯,具有优异的光电性能,在未来半导体产品市场上将极具竞争性,这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。
该产品采用自动分子束外延生长法,在原子级薄石墨烯上生成半导体纳米线,新电极具有透明、韧性佳且价格低廉。该纳米线是半导体装置生产方法的新模板,可应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产。
该项技术的优势在于,使得电子产品和光电子器件升级、设计得到更好的平台 ,未来电子产品设计更加微型而高效,而引用石墨烯将是未来众多电子应用的首选材料。
14 我国超导电子技术步入实用化阶段 移动与医疗市场前景广阔
10月25日~26日,第十二届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨暨超导电子技术应用研讨会在合肥举行。共同探讨我国超导电子技术发展科研问题、所取得的阶段性成绩,以及产业链环节筹划与推进,促进超导电子产业化发展和规模商用系列问题。
历时20余年研发,超导技术在我国深空探测、航天应用、气象雷达方面,在世界已占据一席之地。譬如:我国建成国际首个高温超导气象雷达站,超导接收机成功实现嫦娥探月工程,超导高温滤波器已在全国16个省投入应用等等。
超导电子应用领域,移动基站和医疗设备两大市场尚属起步阶段。在未来的发展前景中,降低成本是产业化面临的一大问题。只有通过技术、市场、资金三方位结合,才能更好地实现超导电子规模商用和产业化的发展。
市场观察:
1 今年1-8月我国集成电路产量同比增长8.5%
今年以来,尽管经济下行压力较大,但在移动终端、消费电子市场持续增长的带动下,我国集成电路产业实现平稳增长,上半年销售收入852.8亿元,同比增长7.5%。在整机销售旺季到来、库存补充等因素的推动下,第三季度以来我国集成电路产量明显上升。1~8月产量累计为631亿块,同比增长8.5%。
2 台积电28nm工艺产能翻倍 晶圆供不应求
今年第三季度,台积电收入和利润都有了较大幅度的增长。28nm产能实现翻番。
台积电28nm工艺产能营收占总收13%,第四季将超过20%,明年预计将上升至30%。良品率也在持续改进,毛利率会在第四季度超过40%,2013年达到公司平均水平(45-50%)。
目前,台积电28nm生产线正在百分之百满负荷运转,但证明依然供不应求。
小编总结:随着传统淡季的来临,传统PC向智能手机、平板电脑应用转变的影响、消费性市场的萎靡不振、上游晶片商投片量减少,全球晶圆厂产能利用率下滑近两成,预计2013年底才可望缓步提升。28nm先进制程工艺产能虽持续满载,但仍不足以带动整体产能利用率回升至期望值。
3 日月光:第四季封测材料出货预期可增3~5%
28nm供应不如预期,第3季封装与材料出货量季增4%,望后市,第4季在28纳米供应情况恢复顺畅后,封测与材料出货量可望季增3~5%,维持今年出货量逐季提高的趋势。)
小编总结:受惠于高端智能手机、IDM客户订单回流影响,先进28nm制程产能供不应求,集成电路封测与材料业也呈现逐季提高的趋势。
4 半导体二线封测厂Q3赚赢一线厂
今年3月底以来,外资买进标的几乎集中在二线封测厂,尤以京元电(2449)、矽格买盘最积极。京元电外资持股大增13.92百分点,达到37.18%,矽格持股增6.22百分点,持股达23.42%,均创历来最高纪录。
外资减码日月光,主要原因在于日月光今年毛利率表现未及矽品。主要表现在日月光整合元件大厂(IDM)铜打线及高阶封测委外订单未能如期析出,主力订单遭遇矽品等二线厂商分食,日月光高额折旧情况保持不变等等。
反观京元电、矽格,主力客户几乎切入苹果、三星及大陆中低价智能型手机供应链,近年来资本支出保守,推升毛利率表现,未来成长及获利表现良好。期望第四季营运也将优于以往表现。
5 世界先进Q4晶圆营收较上季度持平或微减
世界先进表示,十一黄金周后,部分客户仍保持强劲需求,预估公司第四季度晶圆出货量较之第三季度,会保持持平或微幅下滑趋势,产能利用率在84%至86%,Q4整体展望优于外界预期。
小编总结:随着年底的临近,部分客户进行库存调整,晶圆产能受到小幅影响。但大尺寸面板驱动IC(TV和平板)需求依然旺盛,Q4消费性电子营收占比也会成长,而表现相对疲软的则为PC相关和电源管理IC。
6 PC产业2013年上半年带动半导体需求反弹 封测景气优于晶圆代工
全球经济情况不确定性持续提升,连带影响今年下半年半导体产业表现。仅剩行动装置平板电脑和智慧型手机相关产品推升营运表现。PC影响半导体需求最大,尽管以期Windows 8上市能带动PC需求上扬,但由于终端价格偏高,预期买气亦将会延续。
小编总结:在历经今年底2季度的库存调整,在通讯产品需求加持下,预期2013年上半年PC产业景气可望反弹,基于产能供应有限,高阶封测需求持续走扬,预计明年封测产业景气表现将优于晶圆代工。
新品方案:
[持续更新] 近期电子新品方案汇总(10.29-11.04)
http://elecfans.com/tongxin/119/20121101295986.html
【半导体】
1 Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.( VSH)宣布推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL,保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造,为国防和航天应用提供了增强的性能规格,包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295940.html
【通信应用】
1 TriQuint半导体推出业内首个双通道、表面贴装的光调制器驱动器TGA4947-SL
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司今天宣布,推出业内首个双通道、表面贴装的光调制器驱动器---TGA4947-SL,可降低物料清单和缩小专用于光驱动功能的印刷电路板面积。
TGA4947-SL是分别使用DQPSK和DP-QPSK调制,为40 Gb/s和100 Gb/s光波网络而设计。提供出色隔离对于降低位元错误率的影响,可维持从DC至 40 GHz带宽的30dB高通道至通道的隔离。TriQuint提供最低的功耗(在6Vpp输出时每通道仅1.2W),实现更紧凑的光发射器设计。与TriQuint的智能评估板 (Smart EVB™) 解决方案兼容,简化射频连接等。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/TGA4947-SL.html
2 同方微电子携手宏力半导体量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡
近日,北京同方微电子与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司共同宣布, 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。
宏力半导体的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术是在现有成熟的0.13微米嵌入式闪存技术基础上,进一步优化生产工艺,将原来0.38平方微米的闪存存储单元面积显著减小了近50%(小于0.2平方微米),为业界0.13微米嵌入式闪存技术节点的最小闪存存储单元尺寸,尤其适合大容量闪存的产品。该闪存技术具有很高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据保持100年,并且兼具编程效率高和无过度擦除的优点。此外,该款技术搭配宏力半导体独有的双闸工艺平台,提供了市场应用中最低本高效之解决方案。
3 德州仪器推出基于蓝牙4.0易集成型QFN封装CC2560和CC2564器件
日前,德州仪器(TI)宣布:TI及其分销合作伙伴现已开始推出基于蓝牙(Bluetooth®) v4.0 技术、采用易集成型QFN 封装cc2560和cc2564器件。此外,TI还宣布推出了基于这两款器件的其它生产就绪型模块以及软件工具。
CC2560器件可为需要高吞吐量的音频与数据应用提供蓝牙v4.0“传统”支持。CC2564器件支持两种选择:双模蓝牙/蓝牙低耗能或双模蓝牙/ANT+。可从双模解决方案获得优势的应用包括需要与蓝牙“传统”产品进行无线通信的产品以及蓝牙低耗能或ANT+设备(如运动健身整合型产品小配件或智能手表等)等。此外,双模蓝牙v4.0 解决方案还可用作支持更远覆盖范围的传感器解决方案,无论移动设备是否采用蓝牙低耗能技术,都能与其通信。
【模拟数字】
1 麦瑞半导体推出支持关机功能的新款低噪声放大器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)宣布推出带有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪声放大器(LNA)MICRF300。MICRF300是面向100MHz至1000MHz频率范围的无钥匙进入(RKE)、车库门遥控开关(GDO)和自动抄表(AMR)等低功耗、低数据传输率应用的器件。
MICRF300提供低噪声系数和集成逻辑电平休眠功能,射频应用设计师可以利用它非常容易地扩大无钥匙进入、车库门遥控开关和自动抄表等应用的遥控距离。该器件的逻辑电平关机输入电路使得它可以非常容易地连接到单片机,无需分立式低噪声放大器普遍需要的额外偏压电路来实现休眠功能。这使得该器件成了那些依靠电池供电、平均电流消耗极低且空间有限的应用的理想解决方案。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/MICRF300.html
2 德州仪器(TI)推出两款双极输入音讯运算放大器
德州仪器 (TI) 宣布推出两款双极输入音讯运算放大器,可提供优异杂讯、失真及频宽效能,仅需消耗1.5mA 电流。低功耗双通道 OPA1662 与四通道OPA1664可帮助系统设计人员开发最新专业级与半专业级音讯设备,完美还塬真实录音效果的清晰音质。这些运算放大器适用于USB与FireWire音讯系统、类比与数位混合器、可携式录音系统及其它需要最高杂讯效能与低功耗的应用。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295777.html
3 麦瑞半导体发布新型可高度配置的双锁相环(PLL)时脉发生器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)发布新型可高度配置的双锁相环(PLL)时脉产发生器系列产品,优化超低抖动、超强串扰隔离和增强型电源杂讯抑制。SM803xxx系列产品有12个提供高达850MHz频率的差分或单端输出,这些输出的RMS相位抖动均小于200飞秒(fs)。FLEX2可支援那些需要用单一IC实现多频率、高扇出和超低抖动的高要求应用,包括10/40/100Gb乙太网、SONET/SDH、CPRI/OBSAI、光纤通道、SAS/SATA,以及FPGA和SerDes的高速时脉等。FLEX2可以通过基于熔丝的一次性可程式设计(OTP)记忆体进行工厂配置,提供了一个自订、快速转变和高性能的时脉解决方案,缩短了产品成型时间和终端系统设计周期。
详情了解:http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295793.html
4 ADI发布相位噪声性能的PLL频率合成器ADF4153A
http://elecfans.com/xinpian/ic/ADF4153A.html
【电源管理】
1 麦瑞半导体推出两款车用级高性能线性稳压器
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)推出两款合乎AEC-Q100标准的新型高性能线性稳压器。MAQ5281/82系列产品具有最高120V DC的极宽输入工作电压范围,输出电流分别高达25mA和50mA。这两款器件是汽车和工业应用中经常碰到的恶劣环境下使用的理想产品。
麦瑞半导体的新型MAQ5281/82是车用级产品,保证输出电流分别为25mA和50mA,输出电压可在1.27V到5.5V范围内调节,可以承受高达120V DC的输入电压,而且具备超高的电源抑制比(PSRR)(大于90分贝)。
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2 Diodes推出首款采用了微型无引线封装的肖特基二极管
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3 德州仪器推出降压转换器TPS62175
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4 Intersil推出最低功耗双端口G类线路驱动器-ISL1561
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