电子发烧友网半导体行业周报(11.05-11.11) - 全文

 电子发烧友网讯：受到全球经济景气不佳影响，2012年半导体行业市场需求整体显现疲软。半导体销售方面，半导体产业产业3Q仅小幅增长，增幅趋于平稳，低于去年同期水平。先进奈米制程技术及IC设计产业成行业重要增长动能。展望明年消费终端市场逐步回暖，半导体产业链晶圆代工、封测、制造业营收比重将进一步加大… 更多精彩内容，请持续关注《电子发烧友网半导体行业周报》。

 

 
本周热点资讯：
 
1  第十四届高新技术成果交易会交会电子展（ELEXCON2012）即将开幕
 
11月16-21日，第十四届高新技术成果交易会交会电子展，将在深圳会展中心2号馆召开。本届高交会电子展将以“与ELEXCON一起，共同引领电子行业智能化、服务化趋势！”为主题，汇集近三百家参展商重点展示各种新型元器件、材料与设备，及其产品与技术在智能家居、环境与能源、智慧地球、柔性制造系统以及跨界融合等热点市场中的应用。
 
详情了解：http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121105296442.html
 
2   南昌高新区晶能光电成功入选“全球半导体照明2012年度新闻”
 
    11月5日，国际半导体照明联盟（ISA）在广州举行年度成员大会，并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。南昌高新区晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率LED芯片的公司”，成功入选“全球半导体照明2012年度新闻”。
 
3  日本NGK Insulators研发出氮化镓（GaN）晶圆  实现绿光LED光效翻倍
 
    日本名古屋的NGK Insulators研发出一种氮化镓（GaN）晶圆，据称可以将原来的绿光LED 的光效翻倍。NGK采用自主专利的液相外延技术法，在单晶体生长阶段降低缺陷密度。据悉，公司所有的2寸直径GaN晶圆的缺陷密度都很低，并且是无色透明的。
 
根据该公司和名古屋大学合作的联合研究表明，NGK GaN晶圆上的绿光LED 芯片获得60%的内量子效率（每平方厘米的注入电流密度约200安培）。这个效率大约是当前市面上的绿光LED 芯片的两倍。
 
4  RFMD公司宣布签署拟4750万美元收购Amalfi半导体最终协议
 
RFMD公司周一宣布已经签署最终协议，将以4750万美元现金来收购RF和混合信号的芯片公司Amalfi半导体。
 
Amalfi半导体公司（加州Los Gatos）专注为入门级智能手机市场提供RF和混合信号芯片。RFMD表示Amalfi的芯片RF CMOS和混合信号专业技术，整合到RFMD的客户关系、产品组合、生产制造和全球供应链后，会有助于加速推广Amalfi的芯片到市场中。

 
5  拿什么来拯救摩尔定律？IBM 9nm工艺碳纳米晶体管！
 
随着集成电路晶体管尺寸越来越小，CPU内存等芯片的发展势必与摩尔定律有些出入。要想继续按照摩尔定律发展，寻求新材料就成为一种必然。
 
自上周IBM传出消息称，碳纳米材料研究已取得重大技术突破，IBM实现了再单芯片上集成上万个碳纳米晶体管首次突破！虽然比起现今硅晶体管密度还有差距，但这是新材料取代硅晶体管的重要一步。
 
另外，在寻求新材料上，3D芯片结构也是一个研究方向。目前，三星、IBM、英特尔等公司正致力于新材料3D芯片研究。
 
详情了解：http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
 
6  McGill University物理学家发现未来奈米晶片设计大障碍
 
    日前，来自加拿大麦基尔大学 (McGill University)物理学家们证实，当导线是由两种不同的金属组成时，电流有可能会大幅度降低；这意味着未来的半导体设计可能遇到障碍。
 
由麦基尔大学研究团队与来自GM研发中心科学家Yue Qi合作完成的合金触点的原子结构机械模型，证实了两种金属之间电子结构的相异性会导致电流降低四倍，就算两种材料达成完美介面也是一样。
 
研究发现，结合两种金属材料而产生的晶体缺陷——正常排列的原子发生错位，是造成电流下降的进一步原因。未来需要更多的研究来克服这样的问题，而解决办法可能是材料选择或者其他处理技术。
 
7  三星电子明年电脑存储芯片投资将减半
 
鉴于个人电脑用存储芯片需求疲软，三星电子考虑明年将电脑存储芯片投入减半，这是三星继2009年三星在半导体业务上投资后，再一次压缩其半导体投资规模。
目前，三星的首要任务是清理库存。通过缩减传统半导体产品投资，集中关注于非内存业务，并使其现有设施升级到更为先进的工艺技术。该领域可为三星获取更加丰厚的利润。
 
据悉，随着投资计划的缩减，2014年三星中国闪芯基地投产最初产能将缩减至每月3万片。另外，三星正投资70亿美元，在中国西安兴建其大陆首家芯片基地。
 
8  低发散角半导体激光器芯片技术获得突破性进展
 
近日，中科院知识创新工程领域前沿项目“大功率高亮度光子晶体激光器及列阵”取得阶段性进展。科研人员通过布拉格反射波导结构，成功将半导体激光快轴（垂直）发散角从40o降低到7.5o，慢轴（水平）发散角7.2o，实现近圆形光束出光。
 
一直以来，半导体激光器最大缺点是较大的发散角及椭圆形出光光斑，导致较差光束质量。而研究小组采用双边横向布拉格反射波导结构，该结构通过光子禁带原理进行光学导波，所限制模式为光学缺陷模式，可以有效压缩激光的远场发散角。
 
据悉，该类器件结构不仅可以用于量子阱激光器，还可以拓展到不同波长、不同增益介质的半导体激光器，如量子点、量子级联激光器等。这可以从芯片结构角度彻底改变半导体激光器发散角大而不对称的缺点。

 
市场观察：
 
1  2012上半年中国半导体产业同比增长7.5%   产值增长动能趋缓
 
据Digitimes Research分析，2012年上半中国大陆半导体产业产值为人民币852.8亿元，较2011年上半793.2亿元增长7.5%，表现相对平稳，不若2011年全年增长率15%，更不若2011年上半年增长率19%，增长动能有趋缓的现象。
 
详情了解：http://elecfans.com/news/report/20121109297001.html
 
小编总结：纵观半导体上下游产业链产值变化，无论IC设计、IC制造，乃至封装测试，产值皆呈现增长态势，增幅相对平稳。而以IC设计产业成长尤为突出，成为中国半导体产业增长重要动能。反观全球景气趋于保守，2013年IC设计增长可能会受到限制。
 
2  半导体芯片市场观察：2012年芯片销售下降5%
 
半导体行业协会（SIA）贸易小组发布数据显示，今年9月全球半导体销售额为248亿美元，相比8月上升2%。但与去年9月相比有4%的下降。第三季度芯片销售额是744亿美元，与第二季相比上升2%。但与2011年前9个月相比，销售额仍然下降了5%左右。
 
小编总结：全球半导体销售在8~9月及第二季至第三季均有小幅度提升，增长保持相对稳定，但受到全球经济低迷影响，全行业销售依然低于去年同期水平。
 
3  2012年第三季NAND Flash品牌厂商营收排行，三星稳居龙头
 
2012年第三季初期，NAND Flash市场需求，受全球复苏缓慢影响呈现疲弱不振。但随着第三季后期系统产品OEM客户的备货需求开始回温，NAND Flash市况转为供货偏紧，9月份NAND Flash合约价格也转为止跌回升的状况。
 
综观第三季NAND Flash品牌厂商季营收，三星以营收18亿2千1百万美元，市占率为39.3%，仍维持第一位。紧随其后的是东芝和美光，英特尔intel排名第五。
 
详情了解：http://elecfans.com/news/report/20121105296380.html
 
小编总结：受到全球经济低迷复苏缓慢影响，NAND Flash市场供应整体显现疲态。受惠于智慧型手机及平板电脑新品上市，OEM客户备货需求回温，NAND厂商第三季元出货量均有小幅增长或较之上季持平。19、20、21nm新制程技术受市场热捧，NAND厂商将加持嵌入式、SSD营业比重，以及先进奈米制程技术的投入。展望第四季NAND Flash市场价格将逐步回升。
 
4  全球DRAM市场跌价风暴再来袭  行动式记忆体受影响
 
根据全球市场研究机构TrendForce近日表示，由于PC出货持续下修，年成长衰退达5%。需求旺季不旺导致供过于求，2GB单颗单价七至九月下滑近两成，DRAM相关如伺服器记忆体和行动式记忆体亦受到影响，呈现跌价趋势。第三季DRAM产值较上季度缩减8.5%，DRAM厂商营收普遍衰退。
 
小编总结：虽然受到DRAM价格下跌影响，但得益于行动式产品智慧型手机及平板电脑出货畅旺，行动式记忆体市场需求及营收比重将大幅增加，行动式产品占比高厂商将获得更多市占比，三星半导体、SK海力士表现优异。相对受到标准型记忆体跌价冲击，DRAM部分营业利益亦呈现小幅下降，伺服器和行动式记忆体出货比重仍需要进一步提升，以避免受到DRAM市场价格波动影响。

 
5  2012年工业半导体产业滑坡  营收增幅预计较低
 
据IHS iSuppli公司的工业电子市场追踪报告，由于主要芯片供应商今年稍早未能实现预期中的增长，2012年面向工业电子产品的半导体营业收入增幅预计较低。
 
今年该类半导体的营业收入预计为314亿美元。虽然总体营业收入仍略高于2011年的305亿美元，但仅比去年增长3%，增幅远低于去年的9%。而在刚刚结束衰退的2010年，更是激增了35%。
 
总体来看，由于经济形势第二季变得更糟糕，影响到几家主要半导体供应商和工业电子OEM厂商，芯片营业收入必须萎缩。其中包括德州仪器、亚德诺半导体、英飞凌、爱特梅尔、富士电机和凌特公司等知名厂商。
 
小编总结：受到全球经济不景气的冲击，面向工业半导体应用领域光伏、医疗、建筑、制造等产业均受到影响，芯片营业收入增幅，较去年同期仅有小幅增长，增幅减缓，销售低于预期，以至市场下调以反映形式变化。LED照明、航空电子、通用电气、运输等部分区域所受影响则相对较少。
 
6  明年***半导体可望苹果转单效应   半导体生产链成最大受惠
 
日前，工研院举办的2013科技产业发展趋势研讨会上，预测明年半导体产业成长率，受到现阶段整体供应链半导体存货问题、产能利用率下滑等不利因素影响，导致商用与消费终端市场需求不振。
 
然而，受惠于苹果与三星晶片代工关系生变，苹果及三星间针对智慧型手机、平板电脑竞争激烈，预计明年起***半导体生产链（晶圆代工、封测业）可能因苹果A7转单效应而跃居成为最大的受惠者。
 
 
新品方案：
 
 [持续更新] 近期电子新品方案汇总(11.05-11.11)
 http://elecfans.com/tongxin/119/20121107296721.html
 
 【半导体】
 
   Vishay发布用于太阳能电池的卡扣式功率铝电容器
 

 
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布推出新系列卡扣式功率铝电容器---193 PUR-SI Solar，其在50℃下额定电压达500V，在105℃下达到450V。193 PUR-SI Solar器件面向在无负载情况下会出现最高电压的太阳能应用，并具有很长的使用寿命，在+105℃和100Hz下的额定纹波电流达到2.52A。
 
详情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121105296387.html
拯救摩尔定律 IBM 9nm工艺碳纳米晶体管
 
http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
 
我国科学家研制出太赫兹肖特基二极管及电路
 
http://elecfans.com/news/hangye/20121104296298.html
 
 【通信应用】
  
Microsemi推出新型超低功耗sub-GHz无线射频芯片
 

 
美高森美公司宣布推出用于极为注重功耗的短距无线应用的新型超低功耗（ULP）射频（RF）收发器产品ZL70250，该器件在低功耗方面设立了全新的基准，传送和接收数据所需电流仅为2 mA，实现了极长电池寿命和产品小型化，为能量收集和电池供电无线传感器网络提供非常重要的特性。
 
详情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121107296682.html
 
恩智浦推出第二代NFC标签IC产品
 
http://elecfans.com/tongxin/rf/20121108296842.html
 
奥地利微电子降低微控制器整合高资料速率NFC功能成本
 
http://elecfans.com/article/90/151/2012/1106296537.html
 
高通主导的“WiPower”无线充电标准正式出台
 
http://elecfans.com/news/power/20121106296526.html
 

 
【模拟数字】
 
TI推出双通道16位ADC与时钟抖动清除器
 

 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出两款支持数据转换器 JEDEC JESD204B 串行接口标准的器件，其中 ADS42JB69是业界首款采用 JESD204B 接口、支持250 MSPS 最高速度的双通道 16 位模数转换器 (ADC)，LMK04828是业界最高性能的时钟抖动清除器，也是首款支持 JESD204B 时钟的器件。二者相结合，可为高速系统实现卓越的系统级性能。针对需要传统并行接口的设计，TI 还推出了业界最快速度并支持 LVDS 接口的 250 MSPS 双通道16位 ADC ADS42LB69。
 
详情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/ADS42JB69.html
 
MAX9234,MAX9236,MAX9238热插拔、21位、直流平衡、LVDS解串器
 
http://elecfans.com/xinpian/ic/MAX9234.html
 
TriQuint推出首款用于通道绑定的宽带回路放大器TAT3814
 
http://elecfans.com/xinpian/ic/TAT3814.html
 
芯科实验室推出业界首款通用时钟缓冲器Si533xx
 
http://elecfans.com/xinpian/ic/Si533xx.html
 
【电源管理】
 
  凌力尔特推出高压降压型DC/DC控制器LTC3864
 

 
11月8日，凌力尔特公司推出高压降压型DC/DC控制器LTC3864，该器件在待机模式中仅吸收 40µA 的静态电流，且输出在突发模式（Burst Mode）操作中被使能。3.5V至60V输入电源范围设计用于提供针对高电压瞬变的保护，以在汽车冷车发动期间正常运作，并且可适合众多的输入电源和电池化学组成。
 
详情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121109296981.html
 
Dialog半导体面向ARM四核应用处理器推出最强大的电源管理芯片
 
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凌力尔特发布具备弹性限流的双组Hot Swap控制器LTC4226
 
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