- 揭开iPhone X 3D相机的神秘面纱

当然，一般CMOS影像传感器或NIR传感器的“目标如果是要有更好的影像，那么我们乐于见到更多的光线”。但是，Cambou也指出，当用户试图在明亮的阳光下解锁iPhone X时，光线就会是一个问题。

Cambou说：“问题就在于NIR光线的投射点与太阳或其他任何光源的环境光之间存在的对比度。但太阳通常是最大的问题。” 因此，Apple采用SOI晶圆以提高NIR的对比度是至关重要的。

那么ST的NIR传感器是否使用FD-SOI或SOI晶圆？Cambou表示该公司目前还无法判断。

拆解Apple iPhone X——3D相机（TrueDepth）内部的NIR影像传感器（来源：Yole Développement、System Plus Consulting）

至于NIR传感器，如今是否能确定Apple使用的是850nm还是940nm波长的NIR？Cambou指出，“我们无法确定是哪一个”。然而，他推测，“Apple最有可能像其他业者一样使用850nm——例如英特尔（Intel）的RealSense、Facebook、宏达电等。但是，ST以开发940nm单光子雪崩二极体（SPAD）近接测距器闻名，所以也可能打算在未来转向这一波长选择。”

当被问及在拆解中有何意外发现时，Cambou提出了ST NIR影像传感器芯片的尺寸——其大小约25mm2，但由于采用2.8μm的大型画素，因而仅有140万画素。Cambou指出：“尽管如此，在这个类别中，与通常使用3.0μm到5μm的竞争产品相较，这一画素会被认为『较小』。”

新时代的开始

Yole将iPhone X定位为3D成像新时代的开始。

Cambou还认为，Apple正在为NIR传感器打造未来。他指出，Apple不久前收购了量宏科技（InVisage Technologies），“我认为Apple打算让InVisage为其提供NIR传感器功能，不过也可能还有好几种方式来解释这项收购行动。”

Cambou认为，InVisage可能无法在性能方面与ST的产品匹配，但却能为小型化提供解决方案。他提到：“因此，Face ID技术可以微缩至其它产品，如增强实境（AR）头戴式装置。”

商业影响

一方面，Apple iPhone X正为诸如Soitec等SOI晶圆制造商创造巨大的商机。同样重要的是，它也为ST引发别具意义的复出。Cambou相信ST将成为新兴ToF相机市场的一员。

当然，半导体业务往往受到短暂的繁荣和萧条交替之周期性影响。但是，根据Cambou的观察，ST在手机市场失去诺基亚（Nokia）后虽然业务萎缩，如今“已经非常巧妙地进行转型了”。

ST打造了许多不同类型的影像传感器应用：从CMOS影像传感器转向未来的NIR和SPAD传感器，同时也有效利用了该公司的资产以及内部开发的基础技术。