华润微电子开发出1200V Trench NPT IGBT工艺平台
2011年03月31日 09:23 华润微电子 作者：秩名 用户评论（0）
华润微电子有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要应用于电磁炉。根据国内权威的市场调查机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。
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( 发表人：简单幸福 )