`深圳市三佛科技有限公司 供应03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原装，库存现货热销HN03N10D参数：100V 3ASOT-89 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-03-24 10:44:05
`深圳市三佛科技有限公司 供应 10N10 100V 10A 香薰机MOS管 ,原装，库存现货热销10N10参数： TO-252/SOT-89100V10AN沟道 MOS场效应管
2020-07-31 14:50:51
MIC4414YFT EV，MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器，设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
惠海半导体 供应 4N10 100V MOS，替代型号HN0501，mos原厂，库存现货热销 4N10 ：100V 4A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管 HC0551010参数：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供应 100V 15A 汽车LED灯MOS管 HN15N10DA，原装，库存现货热销HN15N10DA参数：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-05-08 15:39:38
型号：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封装：SOT-23沟道：N沟道100V MOS管HC160N1038 原厂mos，库存现货热销可以替代SI2328DS售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术上
2020-11-20 13:54:17
低内阻小节电容发热小中低压MOS大全TO-252 SOT23-3封装100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N沟道MOS管【低电压开启低内阻】主营
2021-03-13 09:34:36
，100V补水仪MOS管,直流无刷电机MOS管马达驱动器MOS管60V70A100V40A ，LED太阳能控制器MOS管60V70A 低压电源MOS管，小家电控制器MOS管，净水机MOS管更多型号如下
2020-09-25 15:55:42
SOT-89 N沟道MOS管/场效应管HN03N10D参数：100V MOS管100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
LTC4446 - High Side Micropower MOSFET Driver Fully Enhances N-Channel Power MOSFETs - Linear Technology
2022-11-04 17:22:44
DC2417A-A，用于LTC4367IMS8的演示板，具有32ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器的性能
2019-02-21 09:48:51
MOSFET驱动器LTC1154资料下载内容主要介绍了：LTC1154引脚功能LTC1154功能和特点LTC1154内部方框图LTC1154典型应用电路
2021-03-24 06:18:36
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。HC510参数：100V 5A SOT-23 N沟道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
高速同步MOSFET驱动器LTC4447资料下载内容包括：LTC4447引脚功能LTC4447内部方框图LTC4447典型应用电路LTC4447极限参数
2021-03-26 07:14:06
180度。 高端驱动器 高端驱动器设计用于驱动浮动低RDS（ON）N沟道MOSFET驱动电源和下沉栅极电流的最大输出电阻为5Ω。低输出电阻允许驱动器在3nF负载下有20ns的上升和下降时间。高压侧
2020-07-21 15:49:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
N8322 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE0140KA新洁能NCE0140KA原装100V N沟道 MOS，原装正品，库存现货热销NCE0140KA参数：100V40ATO-252 MOS管/场效应管 N
2019-11-20 11:02:40
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动
2018-03-03 13:58:23
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
沟道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N沟道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N沟道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
记本电脑电源切换SCSI终端电源切换蜂窝电话电源管理电池充电和管理高端工业和汽车开关步进电机和直流电机控制说明LTC1154单高侧栅极驱动器允许使用低高侧交换应用的成本N沟道场效应晶体管。内部电荷泵提高栅极
2020-09-08 17:28:16
LTC1163的典型应用 - 三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器。 LTC1163 / LTC1165三路低压MOSFET驱动器可通过低至1.8V电源的廉价低RDS（ON）N通道开关切换电源或接地参考负载
2020-04-17 10:09:17
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
````低压100V贴片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封装MOS管型号：HC510中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源
2020-07-25 14:36:55
5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪型号; HC085N10L N沟道场效应管 100V15ASOT89封装，内阻70mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机
2020-09-23 11:38:52
5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪型号; HC085N10L N沟道场效应管 100V15ASOT89封装，内阻70mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机
2020-10-14 15:18:58
沟道 MOS管60V 50A TO-252 N沟道 MOS管【100V MOS N沟道 】 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS管100V 8A SOT-89 N沟道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
关于MOS的高端驱动和低端驱动
2020-12-09 09:54:08
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
低端，可以直接驱动。如果是+48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道放在低端，虽然可以直接驱动，但输出地会产生浮动的问题。使用P沟道的功率管放在高端，驱动简单，但是这个电压规格的P沟道的功率管
2016-12-07 11:36:11
`雾化器、美容仪、加湿器、香薰机MOS 100V 调光LED灯MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封
2020-09-23 09:42:17
LTC1155双高端栅极驱动器的典型应用允许使用低成本N沟道FET用于高端开关应用
2020-04-16 10:14:10
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
，100V补水仪MOS管,直流无刷电机MOS管马达驱动器MOS管60V70A 100V40A ，LED太阳能控制器MOS管60V70A 低压电源MOS管，小家电控制器MOS管，净水机MOS管更多
2020-11-02 15:36:23
LTC1647-3是双通道热插拔 (Hot Swap) 控制器，允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作；通过采用外部 N 沟道MOSFET，能够以一种可编程速率使电路板电源电压斜坡上升。一个高端
2021-04-14 06:43:18
DC2417A-B，用于LTC4367IMS8-1的演示板，具有0.5ms故障恢复的UV，OV和反向电源保护。演示电路旨在演示LTC4367 100V过压（OV），欠压（UV）和反向电源保护控制器
2019-02-19 09:30:42
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
The LTC®4446 is a high frequency high voltage gate driver that drives two N-channel MOSFETs
2008-06-30 10:39:04
16 LTC7061驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中
2023-04-21 11:28:09
LTC®4440 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 80V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440 还能安全承受 100V VIN 瞬
2023-04-21 13:42:03
凌力尔特公司Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 30 日 – 凌力尔特公司(Linear Techno
2008-08-04 17:40:14
474 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和
2008-12-09 02:33:471568 
Linear推出高速同步MOSFET驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449
凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-02-04 08:40:551260 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行
2017-09-11 09:36:582795 
LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-18 10:49:384776 MCP14700是一个高速同步MOSFET驱动器，最适合用
来驱动一个高端和低端 N 沟道 MOSFET。 MCP14700
有两个 PWM 输入，可用来独立地控制外部 N 沟道
MOSFET
2018-06-28 11:00:008 电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC4446相关产品参数、数据手册，更有LTC4446的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC4446真值表，LTC4446管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:37:34
FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品，是一种高速低端MOSFET驱动器系列。该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率
2020-07-26 11:45:092056 
凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出的高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率
2020-11-13 11:49:371935 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -55°C 至 125°C 的温度范围内工作
2021-03-18 22:10:113 150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -40°C 至 150°C 的温度范围内工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC/DC 转换器提供 5A 电流
2021-03-20 20:09:435 LTC4444 - 100V 高速同步 N 沟道 3A MOSFET 驱动器用于高效率降压或升压型 DC/DC 转换器
2021-03-21 11:25:073 LTC3780/LTC4444演示电路-使用N沟道MOSFET驱动器(8-48V至12V@3A)的同步降压-升压控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4440A-5：高速、高压、高端栅极驱动器产品手册
2021-04-16 10:05:557 LTC1154：高端微功率MOSFET驱动器数据表
2021-04-19 20:49:336 LTC4440-5：高速、高压、高端栅极驱动器产品手册
2021-04-24 20:23:4610 ADP3654：高速双4 A MOSFET驱动器
2021-04-25 20:44:092 LTC4444：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-04-27 19:51:574 AN53-微功耗高端MOSFET驱动器
2021-05-09 08:28:406 LTC1155：双高端微功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-09 09:23:405 LTC1163/LTC1165：三重1.8V至6V高端MOSFET驱动器数据表
2021-05-09 19:44:091 LTC4444-5：高压同步N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-11 17:18:146 LTC1693：高速单/双N沟道MOSFET驱动器数据表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:193 LTC1156：带内部电荷泵的四路高端微功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:38:484 LTC1157：3.3V双微功耗高端/低端MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 20:13:345 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 LTC4446演示电路-快速通断直流开关(0-100V输入)
2021-06-08 14:04:441 LTC3780 LTC4444演示电路-使用N沟道MOSFET驱动器的同步降压-升压控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4312 NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001412 
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 D2PAK 中的 N 沟道 100V 6.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 沟道 100V 26.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 沟道 100V 16 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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