Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布业内首款包含可变电阻和内置旋钮开关的新型面板式电位计---P16S
2012-06-04 13:56:27
1027 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻---CS44系列
2012-10-18 16:38:35950 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新的MPMA系列精密配对电阻。MPMA电阻网络通过AEC-Q200认证，采用表面模塑SOT-23贴片封装。
2012-12-13 09:50:181871 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 日前，Vishay Intertechnology为满足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸电爆破点火片式 （MEPIC） 电阻，通过焦耳效应或闪光点火，使点火时间缩短到250µs以下。器件基于汽车行业
2013-02-25 13:50:51729 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真
2013-03-05 15:52:33815 MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻
2015-11-24 10:08:05778 Vishay 宣布，推出了全新的直接水冷绕线电阻系列--- DCRF，可提供9000W的超高功率消耗，并且几乎没有外部辐射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供从38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六种紧凑尺寸，相较标准绕线电阻该系列是专门为节省空间和提高可靠性而设计的。
2018-06-20 14:41:587919 日前，Vishay推出采用标准电阻安装尺寸的全新高功率、大电流云母栅格电阻器系列---GREM。
2018-08-07 15:19:427763 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
Vishay 宣布，推出最新系列高压厚膜片式电阻---CRHP系列，额定功率1.5 W，工作电压高达3000 V，从1206到2512包括五种小外形尺寸。为提高设计灵活性，Vishay Techno CRHP系列电阻有各种样式、电极材料、配置和定制尺寸。
2019-03-07 15:55:004627 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭
2019-03-08 15:06:392213 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 Vishay 推出通过AEC-Q200认证的新系列高功率薄膜环绕式贴片电阻---PHPA 系列。
2021-09-15 11:48:521696 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面贴装电阻。该器件是率先采用 0603 芯片尺寸的产品，当温度范围在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率环保封装 由于采用COOLiRFET硅技术, 40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。双面冷却的中罐式
2018-09-28 15:57:04
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略输入开关的导通电阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，远大于外部电阻Rext，输入开关导通电阻为何能忽略？如果考虑Rin，又该如何计算？另外Vstep为什么这样计算？
2018-08-06 07:49:37
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。本次也采用同样的方法展开探讨。推导出的传递函数同样为和，同样按两个步骤来推导。开关
2018-11-30 11:48:22
求推荐一款导通电阻毫欧级别的常闭型固态继电器，或者其他的导通电阻很小的也行,不想用电磁继电器，要求就是常态下是闭合，给电才导通
2021-01-09 09:50:06
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
我有2个很快的问题。1。AMUX和AMUX定序器的导通电阻和电容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采样电阻和电容是多少？
2019-09-10 15:18:05
请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下，不同频率点的导通电阻吗？我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的导通电阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，结果查看ZM的实部，但是出来的结果如下所示：结果都很小并且打开和关断阻抗大小是相反的，请问有人知道这个是出了什么问题吗
2021-06-25 07:59:24
使用COOLMOS技术的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争
2009-12-18 09:26:06681 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 Vishay推出Bulk Metal箔电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出Bulk Metal箔电阻，在精度、稳定性和速度上都有突破
Vishay推出副基准、密封充油的Bulk Metal箔电阻——H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基
2010-01-11 08:36:381176 
Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出业内最高容值液钽电容器DSCC10004
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，
2010-04-09 11:41:36971 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出Power Metal Strip分流电阻的流媒体视频
Vishay推出为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过DSCC检验的新款零阻值贴片电阻--RCWPM Jumper，该电阻通过了MIL-PRF-32159的
2010-11-24 09:18:071095 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021157 Vishay 宣布推出具有65mm2/ 0.1 in2的业内最小Lug安装空间的新系列Mini Lug负温度系数(NTC)热敏电阻--- NTCALUG03
2011-03-23 10:09:421405 Vishay宣布，推出业界首款绿色、符合RoHS标准（无任何例外）的厚膜矩形贴片电阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型耐高温、表面贴装的环绕式厚膜片式电阻---CHPHT。
2011-12-05 09:05:27770 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布采用2906尺寸封装的新款Power Metal Strip®仪表分流电阻--- WSMS2906，该电阻具有3W的功率和最低300µΩ的极低阻值。
2012-02-20 11:55:18533 Vishay宣布，推出新的专业和精密系列宽接头薄膜片式电阻---MCW 0406 AT，这些电阻是首批采用0406小外形尺寸的此类器件。
2012-03-05 09:34:401019 
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过IECQ-CECC认证的无铅和含铅厚膜片式电阻。
2012-03-12 09:50:131039 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101171 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay宣布，推出新系列轴向水泥绕线电阻---Z300-C系列，是业内首个具有12kV定制高压浪涌承受能力的器件。
2013-01-28 18:31:331381 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，将其MCW 0406 AT Precision系列宽端子薄膜片式电阻的欧姆值扩展至1Ω，是业内采用小尺寸0406封装的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列高精度薄膜MELF电阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB
2013-12-03 16:45:391345 Siliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 2015年1月22日，北京讯。日前，德州仪器 （TI） 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。
2015-01-22 15:33:263064 Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸，用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货。Vishay Dale器件具有非常高的导热率，使用主动温度控制的情况下功率等级可达22W。
2015-07-13 16:40:211450 
Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。
2016-07-18 17:12:361476 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列高功率、表面贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。
2016-07-18 17:22:541863 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出功率等级达到3W，采用1216外形尺寸的新表面贴装Power Metal Strip®检流电阻
2016-11-23 16:48:111697 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出一款全新AEC-Q200标准认证的厚膜功率电阻器---LTO 150，采用夹片式TO247封装，可直接安装到散热器上。
2018-07-30 16:57:256236 针对负载箱、动态制动以及电机控制用途，电阻器以标准电阻安装尺寸提供高达8kW的功率 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用标准电阻
2018-08-25 11:05:002953 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 关键词：Vishay , WSK0612 , 表面贴装 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装Power Metal
2019-01-07 12:17:01186 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 宣布，推出增强型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式电阻，外形尺寸为1206，额定功率0.5 W。
2021-09-23 10:05:441213 
Vishay Draloric RCC1206 e3 器件通过 AEC-Q200 认证节省电路板空间同时减少元件数量，降低加工成本。 Vishay 推出增强型 Vishay Draloric
2021-10-11 15:32:491314 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 器件可以用作表面贴装组件。Vishay Draloric 电阻具有高功率等级和出色的抗脉冲性能，是业内首款采用无感型的此类电阻。WSZ 引线型器件技术规格如下表所示。 器件规格表 *经过
2022-11-10 11:25:06608 Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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