。GC8838 具有 PWM（ IN/IN） 输入接口,与行业标准器件兼容， 并具有过温保护功能。芯片还集成了欠压保护， 输出短路保护，过流保护等功能。芯片应用● 摄像机● 数字单镜头反光(DSLR) 镜头
2021-09-22 15:51:07
的 FET 和栅极驱动器。GaN FET 的开关速度比硅质 FET 快得多，而将驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感，并且可优化开关性能以降低功率损耗，从而有助于设计人员减小散热器的尺寸。节省的空间
2018-10-31 17:33:14
控制器还集成了保护功能，如输入和输出过压保护，热折返，过温关闭，输出短路和过流保护。该设计为灯泡应用提供了32 W LED驱动器的紧凑型解决方案。关键的设计目标是高效率，精确的恒定电流调节输出和低元件
2018-07-23 16:06:05
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
到低压侧的栅极MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护，如果在初始启动期间，MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-29 17:38:58
/DC Sepic 功率级以及八个配备过流和过压保护、可独立调光的 LED 灯串。主要特色• 具有全范围调光控制功能，可独立驱动多达 8 个高亮度的 LED 灯串• 适用于高亮度 LED
2018-11-16 14:43:27
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
描述 此参考设计展示了一种高效、降压、高功率 LED 驱动器，它具有用于火警警报的频闪和同步功能。3A LED 由通用的准稳压 12V 输入总线驱动，效率超过 85%。此电路支持用于频闪功能的时钟
2022-09-23 06:31:45
,信号的电平高于稳压管稳压值输入PWM芯片的保护脚截止振荡工作的保护方式。这种电路的缺点是:响应速度慢,动作迟缓,对短路性电流增长过快下,可能来不及动作。而采用电子高速检测保护电路,则过流动作响应速度极快,可靠性高,效果好,是一种理想的保护电路,克服了利用互感器的一些不足。
2009-08-23 13:17:36
分别设计一个过压 过温 过流的保护电路模块，完成过流保护电路设计，要求，当电流超过4.2A时保护电路输出高电平，当电流重新降至3.6A时保护电路的输出端重新回到低电平；完成过压保护电路设计，要求，当
2020-06-20 15:23:57
ETA7014是一种高电压36V过压保护（OVP）具有电阻很低的35mohm，只有改变外部连接。它可以作为一个过压保护装置或高压开关。ETA7014由一个电荷泵，一个可配置的电源MOSFET，电压
2019-08-09 19:32:57
保护负载时，任何输入电压、输出电流超过阈值。超温保护（OTP）功能监控芯片温度以保护设备。PW2601还可以保护系统的电池充电过度持续监控电池电压。设备像线性稳压器一样工作，保持5.1V输出，输入电压
2021-01-25 17:46:48
Figure 4 是具有驱动器源极引脚的 MOSFET 的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。从电路图中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
提供连续（120A 峰值持续 3 秒，160A 峰值持续 1 秒）的 50ARMS 绕组电流。MOSFET 电源块的寄生电感极低，并且该设计采用了带有压摆率控制功能的电流控制型栅极驱动器，有助于实现
2018-11-01 16:34:29
ns的传播延迟和30 ns的转换时间驱动3000 pf负载。其中一个司机可以自举，用于处理高压与“浮动”高侧门驱动器相关的回转率。这个ADP3412包括重叠驱动保护（ODP），以防止外部mosfet中
2020-07-21 15:49:18
`内置三功能：100%→25%→爆闪电源ICAP5186是一款集成三功能的开关降压型LED恒流IC驱动器。通过电源的接通与关断可实现功能之间的切换：100%全亮→25%暗亮→爆闪。AP5186内部还
2019-02-25 11:16:10
兼容霍尔元件或霍尔开关信号，并提供转速信号输出。BP6308A 具有正反转控制和刹车功能。BP6308A 具有多重保护功能，包括欠压保护、限流保护、堵转保护、过温保护等。特点 6V-30V 工作电压
2017-12-18 13:24:12
或霍尔开关信号，并提供转速信号输出。BP6308A 具有正反转控制和刹车功能。BP6308A 具有多重保护功能，包括欠压保护、限流保护、堵转保护、过温保护等。特点 6V-30V 工作电压 直接驱动
2017-12-27 21:41:21
。BP6118 可进行恒定速度控制。BP6118 具有正反转控制使能和刹车功能。BP6118 具有多重保护功能，包括欠压保护、过流保护、堵转保护、过温保护等。特点 6V-30V 工作电压 直接驱动
2017-11-16 18:33:09
(TFP)/过温保护 (OTP)SO-7 封装符合 RoHS 指令应用： 线路电源可调光 LED 灯/离线 LED 电源驱动器相应产品信息请点击这里查阅；更多资料请点击这里查阅；`
2019-02-16 10:26:04
损坏器件之前，将IGBT关断来避免开关管的损坏。 3 IGBT的驱动和过流保护电路分析 根据以上的分析．本设计提出了一个具有过流保护功能的光耦隔离的IGBT驱动电路，如图2。图2 IGBT驱动和过流
2012-07-18 14:54:31
MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动器
2021-05-18 07:25:34
到低压侧的栅极MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护，如果在初始启动期间，MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-30 16:47:03
描述JW® 19818 是一款集成 500V MOSFET，单段线性LED 驱动器。输出峰值电流的大小通过外部采样电阻来设定，受专利保护的电流控制技术以确保精确的电流控制精度。系统拓扑结构简单，外围
2022-01-27 14:42:13
设计的轻型发动机和灯具具有更高的亮度。特征：•集成桥式整流器和 MOSFET 驱动器• LED 驱动器• 最 高达 310 Vac •50mA 直流输出电流 •热降压保护 • 高压关机保护•热增强型8引脚 SOIC 散热片•三端双向交流开关可调光、可编程
2019-04-17 15:55:25
保持运行，并且可以承受60V电源瞬变。LM9061可用于8针小外形表面安装封装。 特征 内置电荷泵，用于高压侧栅极过驱动 驱动器应用程序 功率MOSFET的无损保护 可编程MOSFET保护
2020-07-14 14:53:05
检测降压型高精度高亮度LED恒流驱动控制器。OC5011通过一个外接电阻设定输出电流，最大输出电流可达5A；电流精度±3%；外围只需很少的元件就可实现降压、恒流驱动功能，并可以通过DIM引脚实现辉度控制
2020-07-10 10:22:10
品、电子礼品）等消费类电子领域。聚能芯半导体有原厂工程技术支持，可以提供方案资料和送样测试，欢迎咨询。概述:OC5351 是一款集成了五功能的开关降压型LED 恒流驱动器。通过电源的接通与关断可实现
2020-04-29 09:41:11
开关频率为 140KHz。轻载时 会自动降低开关频率以获得高转换效率。 OC5806L 内部集成软启动以及过温 保护电路，输出短路保护，限流保护等功 能，提高系统可靠性。 OC5806L 采用
2020-05-22 11:07:17
，采用小型封装。该器件包括过流、过热和欠压锁定保护电路。另外，该器件还内置具有电流调节功能的高压自举二极管。该器件为广泛的应用提供一种最佳的电机驱动系统。通过将该电机驱动器与ROHM BD6201控制器
2019-12-28 09:47:29
保护VDD 过压保护过温保护逐周期电流限制 4 规格 RT7310 是一款高功率因子的定电流 LED 驱动器，其设计针对切相式调光器的兼容问题进行了优化。它可在宽输入电压范围内支持高功率
2019-09-05 15:09:58
深圳市森利威尔电子有限公司郑先生***（微信同号）QQ2355368874概述SL8104B 是一款集成了五功能的开关降压型 LED 恒流驱动器。通过电源的接通与关断可实现功能之间的切换：全亮100
2021-04-28 14:46:24
USB过流保护芯片,USB过流保护芯片,USB过流保护芯片,USB过流保护芯片PW1503是超低RDS（ON）开关，具有可编程的电流限制，以保护电源源于过电流和短路保护。它具有超温保护以及反向闭锁
2021-01-27 10:46:46
电池组应用。XB5352具有过充，过放，过流，过温及短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合，如智能手环、手表、蓝牙耳机等产品。
2021-11-06 15:34:54
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18:09
MOSFET驱动器内置保护，状态反馈和门电荷泵。LTC1154由以下功能块组成：TTL和CMOS兼容输入LTC1154输入和关闭输入已经过设计，以适应广泛的逻辑系列。两个输入阈值均设置为约1.3V，滞后约为
2020-09-08 17:28:16
``AP5186 三功能 LED 降压型恒流芯片产品描述AP5186 是一款集成三功能的开关降压型 LED 恒流驱动器。通过电源的接通与关断可实现 功能之间的切换：99.99%全亮→25%暗亮→爆闪
2021-07-08 11:12:54
一种过温保护电路的设计摘要：本文提出一种过温保护电路。由于在功率管工作过程中，比较容易耐高的反向电压，导致结温上升：而半导体器件的自然散热一般不足以保护器件本身，所以我们需要设计过温保护电路来防止
2009-12-02 17:05:49
STK984-091AGEVB，STK984-091A-E评估板是由前置驱动器和功率MOSFET组成的三相BLDC电机驱动器混合IC。它内置了分流电阻和热敏电阻。因此，它包含了针对过温，过流，过压和低压的各种保护功能。您可以轻松设计BLDC电机驱动电路并减少PCB面积
2020-05-20 06:09:29
可兼容霍尔元件或霍尔开关信号，并提供转速信号输出。BP6308A 具有正反转控制和刹车功能。BP6308A 具有多重保护功能，包括欠压保护、限流保护、堵转保护、过温保护等。特点 6V-30V 工作
2018-03-27 15:53:07
LTC1163的典型应用 - 三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器。 LTC1163 / LTC1165三路低压MOSFET驱动器可通过低至1.8V电源的廉价低RDS（ON）N通道开关切换电源或接地参考负载
2020-04-17 10:09:17
限度降低栅极损耗。栅极驱动器需要能够以最小的输出阻抗和高电流能力，提供 +20 伏和 -2 伏到 -5 伏负偏压。尤其当开关速度较快时，必须特别留意系统的寄生效应。具体而言，这指的是硅模块周围通常存在
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
~40V的范围内，都能正常工作，电机长时间运行电流可以达到10 A，冲击电流可承受20 A； 保护措施完善：过压，欠压，过流，过温，过载，编码器异常，霍尔异常等异常状态等保护功能；软件能自动输出各种电机状态
2011-05-11 09:30:05
概述:
YB4618 具有充电前端过电压和过温保护功能。支持 3V 到 40V 的宽输入电压工作范围。过压保护阈值可以外部设置或采用内部默认设置。超快的过压保护响应速度能够确保后级电路的安全。集成
2023-10-11 14:47:56
输入、单端输入均可◇ 外部零位信号输入◇ 外部制动信号输入2．最安全！◇ 驱动器内部温度监测，具有温度过高、过低保护◇ PWM开关频率高达62.5KHz，效率更高，电机发热更小，更有效保护电机◇ 过流
2009-02-06 16:15:13
概述：MAX4880过压保护控制器具有内部限流开关，可配置为低成本电池充电器。如果输入电压大于过压断路电平(5.7V)，或者低于欠压锁定电平(4.2V)时，MAX4880会断开外部n沟道MOSFET
2021-05-17 06:12:48
，转换效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套可靠性保护电路。 XLSEMI LED驱动芯片支持直流稳压电源
2015-12-07 16:44:15
+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图：双全桥MOSFET驱动
2019-11-12 07:00:00
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
MBI1801的温度状态；当MBI1801温度超过165℃时，过热保护功能会关闭电流，防止驱动器的温度过高。MBI1801已在TO-265封装体上增加散热能力，以达到安全处理高输出电流。芯片特点：恒流输出
2020-10-21 09:29:20
概述：MAX16834是电流模式高亮度LED (HB LED)驱动器，可实现升压、升/降压、SEPIC及高边降压拓扑结构。除了驱动由开关控制器控制的n沟道功率MOSFET开关，该器件还可驱动n沟道
2021-05-17 06:49:06
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器，用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
各位大神，我想用STM32输出PWM波给伺服驱动器。问题是给伺服驱动器的脉冲高电平要到达5V，电流要达到10mA，我担心STM32的驱动能力不够，请问下大家有没有什么电路方案能增强驱动能力。要求开关的速度足够快，能达到300K的样子，先谢过了
2018-12-13 18:00:45
开关管保持正常开关。相对地短路。驱动器系统过温或者过压导致电机绕组绝缘击穿，对地短路。这种过流现象可能会损坏电机线缆。相间短路。驱动器系统过温或者过压导致电机绕组绝缘击穿，导致相对相短路。这种过流现象
2022-11-03 06:23:01
和BD93941FP是三款用于白光LED的高效驱动器。这些IC内置一个升压DC/DC转换器，采用LED阵列作为光源。BD9479FV、BD93941EFV和BD93941FP具有一定的故障保护功能，如过压保护
2019-04-15 06:20:19
开关管，采用高D电流检測电路，支持PWM糢式调光，辉度可达65536级。H6118内置过温保护电路，当芯片达到过温保护点进入过温保护糢式，输出电流逐渐下降以提高系统可靠性。H6118电路架构使得在低压差
2020-10-21 16:13:22
ΩPMOS 6.5-30V 输入电压范围 输入冲击电压高达 40V 开关频率可编程 具有使能关断功能 可持续短路保护、过温保护，自恢复 芯片工作温度-40℃~+125℃ ESOP8 增强
2022-11-11 14:44:13
。STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出，即使驱动大功率逆变器，也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内，在高开关频率下确保PWM控制精确，满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
，可以用其构建自动化、容错控制系统。Maxim的数字输出驱动器拥有高达200kHz的开关频率、快速且安全的电感负载消磁、负载开路/低电压/欠压检测、过流和过温保护、看门狗定时器以及SPI检错。器件能够
2019-07-23 06:48:24
、速度反应快的特点，具备能量回馈功能，充电后续航里程远。并有限流、过流、过温、堵转等保护功能。 专业工业驱动电源厂家，其驱动器具有以下特点：1、 异步电机驱动，大力矩、高可靠、防水等级比永磁机高两个等级
2016-06-23 22:15:34
驱动器是由功率电子器件和集成电路等构成，那么它的功能是什么呢？下面由博英特技术人员为大家介绍： 1、接受速度指令和速度反馈信号，用来控制和调整转速； 2、接受电动机的启动、停止、制动信号，以
2016-06-03 14:07:36
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
过温保护电路，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。OC5808L 采用ESOP8 封装，散热片内置接VIN 脚。。特点宽输入电压范围：8V~90V输出电压从4.2V 到30V 可调支持输出
2020-05-19 11:02:33
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，开关频率高达 500kHz紧凑高效的内置隔离式偏置电源（具有 15V 和 –4V 输出）分立式两级关断功能可实现短路保护，具有可调的电流限制和延迟（消隐）时间提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离
2018-10-16 17:15:55
直流无刷驱动器具有功率密度大，转速高，调速范围宽，力矩大，效率高等的优点，也具有自身损耗小，效率高，温升低，因此体积小，易安装、多种完善保护等功能。 对于电机驱动我们一般都会有保护措施，当
2016-06-21 14:52:06
的最大结温。驱动器IC的控制与诊断功能包括生成死区时间，可防止两个MOSFET同时实现开关。死区时间自动与所选的边沿斜率对应。利用外部电阻器改变MOSFET开关速度，从而优化EMC性能。驱动器IC的状态
2018-12-07 10:14:08
输入电压、输出电流超过阈值时，器件都会关闭内部MOSFET，断开输入到输出，以保护负载。过温保护（OTP）功能监控芯片温度以保护设备。PW2602还可以通过连续监测电池电压来防止系统电池过度充电。该设备
2021-01-28 13:23:49
DC2307A，演示电路2307A是一款采用LT1910ES8的高输入电压保护高侧MOSFET驱动器。该演示板具有8V至48V的宽输入电压范围，能够保护电压源免受短路影响。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32
关闭MOSFET。OVP阈值可通过电阻器外部调节。此外，开关的内部设置电流限制高达5.5A。当过载情况发生时，它进入打嗝模式以保护IC免于过热。它还具有过温保护功能，可关闭MOSFET
2021-08-27 20:16:55
MOSFET。OVP阈值可通过OVLO引脚上电阻进行外部调整。当过载情况发生时，它进入打嗝模式以保护IC免于过热。它还具有过温保护功能，可关闭MOSFET。 ETA6122采用CSP2×3-6封装
2021-08-27 20:13:51
过压保护（OVP）具有电阻很低的35mohm，只有改变外部连接。它可以作为一个过压保护装置或高压开关。ETA7014由一个电荷泵，一个可配置的电源MOSFET，电压基准，栅极驱动器和一些逻辑保护模块
2021-04-13 20:15:15
效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套可靠性保护电路。XLSEMI LED驱动芯片支持直流稳压电源
2015-12-07 16:38:05
高压、大功率 MOSFET 开关管，外围元器件简单，系统应用灵活，转换效率最高可达 98%以上，输入电压可兼容到 100V以上，系统体积小，内置过温保护，开路保护，过流保护，短路保护，输入过压保护等全套
2015-12-11 11:05:11
以内的方案应用； ★转换效率高，最高可达 98%，方便热设计； ★内置 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置过温、过流、短路、输入过压保护； ★恒流精度高(±3%)，LED 光衰小。 应用领域
2015-12-07 16:27:16
以内的方案应用； ★转换效率高，最高可达 98%，方便热设计； ★内置 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置过温、过流、短路、输入过压保护； ★恒流精度高(±3%)，LED 光衰小。 应用领域
2015-12-11 10:56:39
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
和栅极驱动器方案的50%。同时，它所具有的过压和欠压保护、过温保护、限流和短路保护等保护功能，也有助于系统的优化，简化系统的控制概念。整个系统由两个集成式半桥、微控制器、稳压器和通信组件构成，见图 4。图
2018-12-07 10:11:19
具有宽占空因子范围的隔离式MOSFET驱动器
2009-04-02 23:35:54
485 功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-03-05 15:56:44
134 功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功
2012-10-10 16:32:583880 
LT1161：四保护高端MOSFET驱动器数据表
2021-05-08 14:19:269 LT1910：受保护高端MOSFET驱动器数据表
2021-05-08 16:44:1710 速度较慢，开关损耗较大。SiC MOSFET的高耐压、高开关速度能有效提升电机驱动器的功率和效率，但更高的开关速度和更大的功率对驱动器的快速响应能力和故障快速保护能力提出了更高的要求。此外，舵机控制器
2022-04-29 16:34:103559 具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
2022-10-28 12:00:200 驱动器和 SiC MOSFET 打开电源开关的大门
2023-01-03 09:45:06433 
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