功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电
2009-11-07 09:23:12
1870 美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。
2012-06-05 15:02:241182 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28:111073 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341235 。这两个参数可以通过如下两个公式获得，重点强调一点，与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻，是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高，允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34:11
用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率
2019-07-31 04:45:11
情况不同，所以 MOSFET有时也被称为表面场效应管。 5.1.3 RD：漂移层电阻，主要是外延层中的电阻。一般做功率MOSFET都采用外延片。所谓外延片即在原始的低阻衬底（SUBSTRATE）硅片上
2019-06-14 00:37:57
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件在正向偏置时安全的工作，如下图，SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极
2016-10-31 13:39:12
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
MOSFET数据表都包括一组热电阻数字，以便为客户提供器件热性能的参考点。功率MOSFET数据表中提供的最常见的两种热电阻是结到环境和结到管壳的热阻抗。结到管壳的热电阻定义为“从半导体器件的工作部分到封装外部
2018-10-18 09:13:03
时的损耗：阻性关断的损耗和上面过程相类似，二者相加，就是阻性开关过程中产生的总的开关损耗。功率MOSFET所接的负载、变换器输出负载和变换器所接的输出负载是三个完全不同的概念，下面以BUCK变换器为例来说
2016-12-16 16:53:16
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻
2017-03-06 15:19:01
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
阻，减小热阻。这种结构是AOS的专利技术，目前AOS新一代的低、中压的功率MOSFET，广泛的采用这种结构，如AON6262E/AO4262E，就是采用这种技术，专门针对手机快冲QC的副边同步整流SSR
2016-10-10 10:58:30
不用区分EAR和EAS，IAR和IAS。在雪崩曲线上更短的持续时间，可以使用时间来计算最大允许的雪崩电流，从平均功耗P和热阻来估计初始的结温TJ。正因为如此，现在许多公司功率MOSFET的数据表中，不再标示
2017-09-22 11:44:39
功率型LED热阻测量的新方法摘 要： LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
通常用热阻的大小来描述。热阻RT定义为每1W的集电极耗散功率使晶体管的结温升高的度数，即 热阻RT越小，散热条件越好。功率管最大允许的管耗PCM与热阻大小、工作环境温度有关，即 式中，TjM表示PN结的最高允许结温;Tα表示功率管的工作环境温度。
2021-05-13 07:44:08
电流强度的隔离式栅极驱动器可以降低 SiC MOSFET 功率损耗，实现更快的开关频率，从而提高效率，从而改善新的电动汽车型号的驱动范围。符合 TI 功能安全标准的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 栅极驱动器附带大量设计支持工具，可帮助实现。
2022-11-02 12:02:05
压分别从12.6V，19.1V下降到 6.07V，7.5V；导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低，发热减少，器件相对较凉，故称COOLMOS。 2、封装的减小和热阻的降低
2023-02-27 11:52:38
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
%的电能转换成光，其余的全部变成了热能，热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装器件的热阻。一般，LED的功率越高，LED热效应越明显，因热效应而导致的问题也突显出来，例如，芯片高温的红移现象；结温
2015-07-29 16:05:13
MOS管瞬态热阻测试（DVDS）失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因，有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46:57
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
器件的系统时，电路设计人员应该注意以下的热因素： l 即使完全打开，MOSFET也会因为I2.R而耗散功率。（RDS（on）为器件导通电阻） l I2.RDS（on）损失将导致器件和其他地方的温度
2023-04-20 16:49:55
影响。Figure 1： TPS543820 Thermal Information因此，我们需要对项目中重点电源器件进行实际热阻测量，尤其是在高温应用场景下，以避免设计问题导致的芯片可靠性降低甚至无法正常工作。板上
2022-11-03 06:34:11
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
请教各位大虾一个问题，SMA，SMAJ与SMB封装除了尺寸不同之外，它们的热阻有没有什么区别?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB热阻的区别)
2013-08-25 22:47:42
（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关，需要能够应对不断发展的市场的新型驱动和转换解决方案。由于其优异的热特性，SiC器件在各种应用中代表了优选的解决方案，例如汽车领域的功率驱动电路。SiC
2019-07-30 15:15:17
的验证◇ 接触热阻的测量 ◇ 热界面材料（TIM）的测量 — DynTIM 大功率 ◇ T3Ster在功率半导体器件领域的应用 △ 英飞凌利用T3Ster, 按照JESD51-14测试MOSFET
2013-01-08 15:29:44
作用导致反向工作时的压降降低呢？AO4459的一些特性如下：图2：AO4459的二极管特性图3：AO4459的传输特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在开通过程中沟道形成的临界
2017-04-06 14:57:20
，最大功率是208WRjc是0.6℃/W降额曲线图的公式P=（Tj-Tc）/RjcTa≥25℃，P=PmaxTc＜25℃。2、加了散热器但是散热器是有限的情况，并且接触MOSFET与散热器接触是有热阻的情况
2021-09-08 08:42:59
RBJC=0.75。热阻的计算公式：，其中，Tj表示MOSFET的结温，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面温度。通过上面公式可以计算一下，表面温度在25℃的情况下，管子能承受的功率：，P
2021-09-01 17:10:32
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
减少开关损耗。 图2全部绝对最大电流和功率数值都是真实的数据 图3MOSFET在施加功率脉冲情况下的热阻实际上，我们可以把MOSFET选型分成四个步骤。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况
2019-09-04 07:00:00
大家上午好！该系列视频为开关电源免费教程，今天讲解MOS管的热阻。持续关注，我们会持续更新！大家有关于开关电源以及工作中遇到的关于电源相关的难题，都可以在帖子下面与我们交流讨论。
2021-09-22 09:57:47
的热阻，热阻通道成串联关系。LED灯具作为新型节能灯具在照明过程中只是将30-40%的电能转换成光，其余的全部变成了热能，热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装器件的热阻。一般，LED的功率越高
2015-07-27 16:40:37
的RDS（ON）与它的结温（TJ）有关。话说回来，TJ又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻（ΘJA）。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们
2023-03-16 15:03:17
逻辑电平驱动的功率MOSFET，通常驱动电压是5V，这种电平驱动的功率MOSFET得到广泛应用的原因在于：低电平驱动可以降低驱动损耗，同时可以提高驱动速度，适应于非隔离的DCDC变换器高频高效
2019-08-08 21:40:31
对功率模块和功率级的定义解决旧问题的新方法本技术文章的目的是说明TI如何为单个分立FET与集成功率模块指定SOA的差异。如早期技术文章中所述，TI的分立功率MOSFET数据手册中提供的SOA曲线适用于
2019-07-30 22:47:52
结温到表面的热阻，这里我们知道RBJC=0.75。热阻的计算公式：，其中，Tj表示MOSFET的结温，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面温度。通过上面公式可以计算一下，表面温度在25
2021-08-16 11:07:10
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率转换效率可提升高达5%采用准谐振方式，可实现更低EMI通过减少元器件数量，可实现显著的小型化和更高可靠性可确保长期稳定供应，很适合工业设备应用产品阵容新增4款保护功能
2022-07-27 11:00:52
现在需要测IGBT的热阻，我的方案是直接让它导通然后用大电流加热到一定的程度后，突然切断大的电流源，看他在100ma下的vce变化（已知100ma工况下vce和节温的关系），然后将测试到的vce
2017-09-29 10:40:46
一端的温度、T2为物体另一端热源的温度，P 为热源的功率。适用于 一维、稳态、无内热源的情况下的热阻。在近似分析中，我们依然可以参照此式。 简单的说， 热阻 Rth就是描述阻碍散热的物理量，热阻越大
2024-03-13 07:01:48
小白看排阻的数据手册，对于其功率不是很理解：比如0603*4的一个排阻，是指整个排阻的功率是1/16W呢？还是单个电阻的功率能达到1/16W？请知道的朋友帮忙指点指点
2015-01-19 21:19:31
锁定一般的描述FP6180是巴克监管机构建立内部功率MOSFET。它达到3连续输出电流在一个宽输入范围提供优秀的负载和行监管。当前模式操作提供了快速瞬态响应和缓解循环稳定,设备包括逐周期限流和热停堆
2020-11-09 15:55:21
400LFM。图2b给出了电路板上表面和元件的温度。具有较高温度的元件是稳压器中的MOSFET。 当把每个关键元件组的最大温度的仿真结果与测试结果对比时，我们发现它们具有很好的一致性。 减少电路板走线
2018-11-22 16:26:17
功率损耗都是由这些开关管造成的。 所有MOSFET漏极端子的覆铜面积在顶层最大，在其它层尽可能做同样大或更大，以改善向底层表面导热的热传输效率。通过这种方式，电路板的正面和背面都有助于空气自然对流
2021-12-23 07:00:00
的RDS（ON）与它的结温（TJ）有关。话说回来，TJ又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻（ΘJA）。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
: BJT）组成的复合型器件，它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有BJT的电流密度大、饱和电压低、电流处理能力强的优点，在高压、大电流、高速
2015-12-24 18:13:54
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
有什么方法可以降低IC封装的热阻吗？求解
2021-06-23 07:24:48
逐年下降。然而， 传统的热释电红外传感器只针对铅型手工焊接贴装，成了自动化的瓶颈。 这次的研制品，适应了这些市场需求，有利于自动化而引起的成本降低，以及矮板设备的小型化、薄型化。 通过表面贴装化
2018-11-19 16:48:31
1、结构 第一个功率MOSFET - 与小信号MOSFET不同 -出现在1978年左右上市，主要供应商是Siliconix。它们是所谓的V-MOS设备。MOSFET的特点是源极和漏极之间的表面
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
，器件结到环境的热阻通常近似为：RqJA=RqJC+RqCA。热阻确定了就可以用公式计算功率MOSFET的电流值连续漏极电流ID，当环境温度升高时，计算ID的值相应也会降低。裸露铜皮的封装，使用RqJC
2016-08-15 14:31:59
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
电机热功率应该如何计算呢？
强制风冷的选型如何选择呢？和电机的热功率又有什么样的联系呢？
2023-11-24 06:54:24
MOSFET的结构高压的功率MOSFET的外延层对总的导通电阻起主导作用，要想保证高压的功率MOSFET具有足够的击穿电压，同时，降低导通电阻，最直观的方法就是：在器件关断时，让低掺杂的外延层保证要求的耐压
2018-10-17 16:43:26
通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加
2011-08-17 14:18:59
不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻
2013-03-11 10:49:22
损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
TI新推高集成正弦波时钟缓冲器可显著降低成本，节省板级空间
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界最小型 4 通道、低功耗、低抖动正弦至正弦波时钟缓冲器。作为正弦
2009-12-01 08:43:111111 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441420 TI推出面向高电流DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率MOSFET
采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸
2010-01-14 08:16:52403 TI 推出面向高电流 DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率 MOSFE 采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流
2010-01-14 14:17:31388 德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET，可以显著降低上表面热阻
采用创新封装手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升80%、允许电流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对
2010-01-22 09:40:49932 TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:57667 TI推出多核SoC显著简化通信基础局端设备的设计
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款基于 TI 多核数字信号处理器 (DSP) 的新型片上系统 (SoC) 架构，该架构在业界性能最高
2010-02-23 16:46:14589 TI推出具有同步MOSFET控制输出的全新环保型相移全桥控制器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备同步 MOSFET 控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:101277 
德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081435 
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET
2016-01-05 18:01:421296 德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。
2016-07-18 17:12:361476 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 自2018年开始，功率MOSFET的平均售价持续上升，其中以工作电压范围超过400伏特高电压功率MOSFET产品成长幅度最显著，已位居价格中的首位。
2019-07-05 14:52:445040 
SICMOSFET作为第三代半导体器件，以其卓越的高频高压高结温低阻特性，已经越来越多的应用于功率变换电路。那么，如何用最有效的方式驱动碳化硅MOSFET，发挥SICMOSFET的优势，尽可能降低
2022-11-30 15:28:282647 
的性能，限制了其在一些特定应用领域的应用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪声是非常重要的。 1. 优化器件结构 MOSFET的1/f噪声来源于复杂的表面效应。为了减小这种噪声，可以从优化器件结构的角度入手。一种方法是增加器件面积。随着面积的增加，器件中的1/f噪声相对于总噪声
2023-09-17 17:17:361208 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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