瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:02
1252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
默认输出2、集成500V高压MOSFET和高压启动电路3、超低系统成本4、支持降压和升降压电路5、开关式峰值电流模式控制6、超低待机功耗小于50mW7、超低工作电流，支持小VDD电容8、集成31KHz
2020-09-09 14:50:57
XD308H是一款18-600VDC 超宽输入电压范围的高压降压型DC/DC电源芯片，可适应12-380VAC超宽电压输入(外部加整流滤波)，最大输出电流可以达到500mA，内部集成全面完善的保护
2017-07-06 08:48:03
需求：将锂电池3.7V升压成500V的5KHz交流电去点亮EL线
现有电路
原理：
在Q1关断期间，导通Q2，电感储能；关断Q2后，电感产生反向电动势，给EL灯的等效电容C1充电；理论上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
描述这款简单的隔离型反激式设计可在 200mA 的条件下将 50V 至 600V 的输入电压转换成 15V。LM5021-1 控制器因其脉冲跳跃模式而适用于绿色环保模式转换器。由于脉冲跳跃模式的最大
2018-12-14 15:37:05
大家好。在CC模式测试期间，我可以询问安捷伦校准中心在其6035A 500V / 2A 1000W电源上用作负载调节/负载效应的短路开关。您是使用电子开关还是重型机械开关（以创建短路）电路）从
2019-04-02 15:47:32
一、简介90V-220V输入小体积LED恒流驱动芯片集成了500V功率MOS、高压自供电电路以及采样电路，无需启动电阻以及反馈电阻。准谐振工作模式简化了PCB的设计，系统只需要几个的外围元件，大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司产品打算做CE认证，其中一项测试就是能抵抗500V的浪涌电压。测试公司会用他们的设备连接我们的设备，12V的输入，500V的浪涌电压持续1.2ms。于是我们在其中加入了TVS，如图所示。D18
2019-11-12 11:10:07
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一个项目，直流输出有600V，输出与控制板完全隔离，现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的，所以分压电路设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25:27
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
DC12V-AH8669内部集成600V高压MOSFET，以满足高电压冲击的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V转换12产品开关
2021-11-17 06:18:33
输出、数控直流偏置调节、输出 ON/OFF 开关压摆率600V/us 500V/us 500V/us 450V/us 450V/us最大输出功率80W 160W 320W 155W 310W`
2017-09-26 18:09:48
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放电二极管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放电二极管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
。BP5926X可以兼容幅值为3.3V/5V的PWM 信号。浮动的高压侧对 GND 耐压可以达到 600V，能够广泛适应于各种 LED 恒流驱动电路。特点 无极双路互补调色 高压侧对 GND 耐压
2020-09-26 11:24:52
DC-DC升压专用芯片有谁用过，求推荐，输入电压是10-40V,输出电压是500-600V,路过的各位看下，设计电路用，急用！！！
2017-04-28 11:20:24
浪涌做到±500V，经常遇到压敏电阻不工作，导致后面降压电路烧毁很多，问题是，如何提高这个电源电路的防雷击浪涌水平到500V；2、降压电路图是我一个朋友给我的，让我来适用一下，其中的原理还不甚明白，希望
2020-09-22 13:03:05
产品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率开关， 芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测 消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET和 高压自供
2019-09-27 15:10:01
1. 特性 双管正激电源 600V 高压驱动 高端悬浮自举电源设计 HIN、LIN 适应 0-20V 输入电压 小于 1uA 静态电流 最高频率支持 500KHZ 低端 VCC 电压范围
2022-09-09 16:21:19
1. 特性 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 适应 5V、3.3V 输入电压 最高频率支持 500KHZ VCC 和 VB 端电源带欠压保护 低端 VCC 电压范围 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
稳压器IC。 HV9921集成了一个500V开关MOSFET，可直接在整流的通用交流线电压范围80至265VAC下工作
2019-10-16 08:41:01
稳压器IC。 HV9923集成了一个500V开关MOSFET，可直接工作于整流通用交流线电压范围80至265VAC
2019-10-16 08:37:46
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
K2182，FS3KM ，FS5KM，K2662这些耐压500V的管子，可以用哪款耐压800V的场效应管代换，用K2129代换行吗？
2019-11-08 12:35:15
产品描述KP3110是一款非隔离型、高集成度且低成本的 PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP3110采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集 成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流
2021-09-09 10:38:22
电源.开关电源,汽车电子专用高压贴片电容 产品规格有： 0805 X7R 100V、250V、500V 系列0805 NPO 100V、250V、500V 系列1206 X7R 100V、250V
2012-05-06 11:26:50
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
`我想在PCB上画一个激励线圈，需要大概500V以上高压，频率也要到500KHz-2MHz的单脉冲激励，1mm的线间距会不会把PCB击穿？还有线宽是不是也有要求？求大神解惑，刚要去加工，忽然想起来的问题，提前问一波。`
2017-10-27 16:55:48
一、主控芯片——RM90231.产品亮点◆两端口恒流芯片，无需取样电阻，专利恒流技术；◆芯片内部限定恒流电流，线路极简，无需调试；◆内部集成600V高压MOSFET；◆内置过温调节。2.产品概述
2019-12-24 17:13:28
电压的自适应，从而取得优异的线型调整率和负 载调整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A内部集成了500V功率MOSFET，无需次级反馈电路，也无需补 偿电路，加之精准
2016-06-16 20:42:44
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
`【最新方案】启达CR6247+CR3007_5V2.1A SMPS 工程样机测试报告CR6247芯片特性：● CR6247 是内置 600V 高压功率 MOSFET，反激式原边控制 PWM 功率
2017-10-31 15:08:20
输入900V，输出500V的高压稳压电源——三极管串联应用的典范：
2018-09-13 18:18:07
有两个500v 100uf的电容 串联在1000v直流电中，想要选取分压电阻，让每个电容分得500v电压，分压电阻阻值和功率如何选择？
补充内容 (2016-8-5 09:57):
在线等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 LED 电流可外部设定 芯片应用线路无 EMI 问题 内置 500V 高压 MOS 芯片具有过温调节能力（过温点 135 度） 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封装
2020-11-09 18:57:28
500V TO-220FIR16N50F16A 500V TO-220FFIR20N50P20A 500V TO-247FIR1N60P 1A 600V TO-92FIR2N60P 2A 600V
2011-08-05 15:16:37
分析C2\C3\D3\D4作用，C1上为什么会有500V电压
2020-04-26 21:24:36
心电监测产品，锂电池供电，USB口充电，却有项实验，受电部分（USB口）与应用部分（与皮肤接触的位置）之间加500DC高压，如何做这个隔离呢
2016-01-18 09:46:22
/300WChroma63105A电子负载模块 500V/10A/300WChroma63106A电子负载模块 80V/120A/600WChroma63107A电子负载模块 80V/5A & 40A/30W
2017-09-25 14:26:25
现在需要一反向耐压值为600V，电流为3A的整流桥作为开关电源的整流器，但是，这个高压整流桥的压降大，这样引起的功耗就大，由于对开关电源的效率有要求，请问有什么办法可以降低整流桥的功耗吗？或者，有低压降的高压整流桥推荐吗？
2014-05-13 19:53:40
`本热拥有大量尼吉康500V470UF点解电容可用逆变器电路，有需要的可联系我咨询，价格只是半价。QQ:1946754221`
2017-08-04 19:04:53
问一下，摇表分500V1000V2500V,都在什么情况下使用啊？
2023-11-24 08:04:50
`本人现在需要不少电压表，最高检测600v，现在某宝上有检测100v的，不知道接触过这样的电压表的XD怎么改成检测600V的`
2017-02-13 19:46:46
浪涌抑制器IC可以保护> 500V电源浪涌的负载
2019-07-30 08:22:40
的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到
2020-03-31 17:08:29
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
主要特点● 集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路● 多模式控制、无异音工作● 支持降压和升降压拓扑● 默认12V 输出（FB 脚悬空）● 待机功耗低于50mW ● 良好的线性调整率
2020-08-14 14:32:05
设计要求：对脉冲信号进行放大，脉冲幅度20V, 频率1MHZ 放到至500V 左右，应选何种放大器件？ 高频大功率三极管可以么？谢谢 赐教！ (附件为脉冲信号及电路)附件333.png47.1 KB222.png73.5 KB
2018-08-13 06:57:15
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想把运放个mosfet进行隔离，求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
到-600V的输出，反之也是一样正输出路有500-600v的电压输出。请各位大神分析一下，看怎么能避免这个负压的出现
2018-05-22 15:25:11
有个硬件设计问题。。。一个471压敏电阻串联一个1M左右和82K电阻 然后两端接600V左右的直流电压。。。我时间测量，压敏电阻两端的电压是500V左右，已经
2008-12-19 10:17:37
请问怎么实现12V直流输入，输出100~500V连续可调电压？
2016-03-05 17:03:59
请问我想将3.3V直流升为500V直流，怎么实现？比如选择什么样的芯片，用什么电路
2015-06-08 15:50:33
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好还是参阅技术规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250uA N沟道,500V,5A,1.4Ω@10V
2022-09-19 14:22:06
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,4.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N沟道,500V,8A,850mΩ@10V
2022-09-19 14:29:39
● 价格低● 大于600V高压,稳压输出● 工作温度: -40℃~+85℃● 阻燃封装，满足UL94-V0 要求●&nb
2022-10-19 09:06:54
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17
500V触发电路
2009-02-06 00:21:55690 
600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通
2012-05-03 17:29:421433 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:40794 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。
2014-10-09 12:59:191467 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。
2015-01-23 14:05:51886 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。 MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间，旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有 TTL输入阈值。
2018-07-02 09:24:0011 同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 骊微电子是芯朋微一级代理商，提供ID2304D高压半桥驱动芯片600V，可兼容代换L6388，更多驱动产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2021-12-29 14:25:499 SVS14N60FJD214A,600V超低内阻高压mos，适用于硬/软开关拓扑，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-09-05 17:13:067
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