概述副边整流二极管的尖峰开关电源产生噪声的主要部位是功率变换和输出整流滤波电路。包括开关管,整流管,变压器,还有输出扼流线圈,等。不采取任何措施时输出电压的峰值可能是输出基波的好多倍。出现在开关脉冲
2017-09-12 17:56:16
什么是两推挽管,定义及用途,大神在哪里
2016-09-14 14:32:04
(GND)间直接接入去耦电容。耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。本篇文章对开关三极管电路进行了简单的介绍,并对开关三极管当中的补偿电容和运放电源旁路电容进行讲解。希望在看过本篇文章之后,能对开关三极管中的这两种常见电容使用方法有进一步的理解。
2016-01-21 09:36:35
应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图:图1。 我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通
2018-10-25 14:40:18
尖峰电流的形成产生尖峰电流的主要原因尖峰电流的抑制方法
2021-03-16 11:57:18
开关管的控制变为高频,最后经过整流滤波电路输出,得到稳定的直流电压,因此,自身含有大量的谐波干扰。同时,由于变压器的漏感和输出二极管的反向恢复电流造成的尖峰,都会产生不同程度的电磁干扰。开关电源中的干扰
2009-08-17 09:11:30
组成.它产生的尖峰电压是一种有较大幅度的窄脉冲,其频带较宽且谐波比较丰富.产生这种脉冲干扰的主要原因是: (1)开关功率晶体管感性负载是高频
2009-10-13 08:37:01
开关电源产生干扰的原因 开关电源首先将工频交流整流为直流,再逆变为高频,最后经过整流滤波电路输出,得到稳定的直流电压,因此自身含有大量的谐波干扰。同时,由于变压器的漏感和输出二极管的反向恢复
2020-12-09 15:43:10
的PCB设计 4.高频变压器漏感的控制 高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。 减 小高频变压器漏感两
2011-10-25 15:50:34
的屏蔽措施 (9)合理的PCB设计 4.高频变压器漏感的控制 高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。 减小高频变压器漏感
2008-07-13 11:18:13
端正激、单端反激等模式。在中小功率开关电源模块中,使用较多的电路拓扑结构为推挽式、单端正激式、单端反激式等。典型的单端正激式开关电源电路框图如图1所示,它由功率开关管Q1、高频变压器T、整流二极管Dl
2018-11-21 16:24:32
,励磁电流经二极管D流向复位绕组,最后减小到零,此时Q两端电压下降到Vdc。图2所示是开关管集电极电流和电压波形。可见,开关管不带缓冲电路时,在Q关断时,其两端的漏感电压尖峰很大,产生的关断损耗也很大
2018-11-21 16:22:57
不管三极管(Q2)导通和强制关闭输出一致,无法使得三极管起到开关作用,请问该三极管在此电路中具体产生漏电源的原因及解决方法
2020-02-17 09:48:20
干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等其中一般由基本整流器产生的电流高次谐波干扰和变压器型功率转换电路产生的尖峰电压干扰.基本整流器的整流过程是产生EMI最常见的原因。这是因为正弦波电源
2013-02-28 17:33:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
推挽逆变器的原理分析
2012-08-14 14:44:27
逆变电源工程师设计之首选。正是因为看似简单的一个拓扑,确让很多设计师望而却步,因为推挽有一个最头疼的问题,电压尖峰。通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是电流而...
2021-11-16 07:30:19
并没有通过变压器负载。因此,在两个控制开关K1和K2分别处于导通和截止的过渡期间,两个开关器件将会产生很大的功率损耗。 推挽式开关电源 它不会存在这种损耗。因为,当控制开关K1将要关断的时候,开关
2018-10-15 15:25:55
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。 三极管的开漏
2011-11-18 22:05:24
1.推挽输出使GPIO口输出高电平或者低电平主要寄存器为端口配置地寄存器和端口配置高寄存器,每四个位控制一个GPIO.2 推挽输出和开漏输出推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制
2022-02-24 07:20:13
看到书上讲推完变换器的原理,说道当MOS管开通,由于变压器次级在整流二极管反向恢复时间内造成的短路,漏极电流将出现尖峰在MOS管关断时,高频变压器的漏磁通下降,漏感依然将释放储能,变压器绕组上,相应
2017-07-22 11:57:00
实际情况调试确定,死区时间与变压器的漏感,MOS管的结电容有关,若死区时间设置不合理会导致较大的尖峰电压。特别是在逆变器启动时尤为明显,那么接下来就详细说明原因。1、为什么启动时会有较大的尖峰呢?因为刚启动
2020-06-27 10:23:36
转移导致大量的电流流经二极管,从N-epi到P+区,即从漏极到源极。电感L1对于流经Q2和Q1的尖峰电流表现出高阻抗。Q1表现出额外的电流尖峰,增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了MOSFET的导
2021-11-18 07:00:00
ACDC电源模块的原边MOS管漏极尖峰电压很高,在AC输入270V下尖峰高达600多伏。
我调整了一下RCD电路,比如增大原来的470pf电容到1.88nf,继续增大尖峰就不再下降了,电阻从150k
2023-09-22 11:20:23
以STM32参考手册中的GPIO输出配置图为例:看到输出驱动器虚线框中的内容,输出驱动器中的P-MOS和N-MOS两个MOS管就是实现推挽输出和开漏输出的关键。推挽输出模式下,P-MOS和N-MOS
2022-02-28 06:48:51
输出(Push-Pull Output)推挽输出的结构是由两个三极管或者MOS管受到互补信号的控制,两个管子始终保持一个处于截止,另一个处于导通的状态。如图 10所示。图10推挽输出的最大特点是可以真正
2020-08-26 08:09:56
是非常快的,可以达到几十ns,一般情况下驱动推挽电路的上管开通速度越快,门极电阻越小,di/dt就会越大,因此尖峰也会越高。搞清楚机理后,大家就应该知道这个尖峰对IGBT是没有什么影响的,只是内部寄生
2021-04-26 21:33:10
来源 中国电子网开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补
2016-06-29 11:11:00
来源网络开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制
2017-03-21 09:20:02
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).推挽结构一般
2022-02-08 06:50:38
即可。这样集电极就变成了漏极,OC就变成了OD,原理分析是一样的。另一种输出结构是推挽输出。推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时,上面的开关通,下面的开关断;而要输出
2017-10-12 10:41:10
来源 网络开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内)。 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号
2018-03-20 16:19:06
的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主。MOS管
2019-07-05 08:00:00
的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主。MOS管
2019-07-05 07:30:00
的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主。MOS管的三个
2019-07-03 07:00:00
普通N MOS管给栅极一个高电压 ,漏极一个低电压,漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管,给栅极一个4-10V的电压,漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
MOS管驱动电机,负载接在漏极端;MOS+运放组成的恒流源,负载也在漏极端。想问一下,负载可以放在源极吗?两者有什么区别?
2021-07-08 18:07:57
MOS管在什么情况下流过连续漏记电流?在什么情况下流过脉冲漏极电流?正常用方波脉冲驱动MOS管通断的话,流过MOS管的是连续漏极电流还是脉冲漏极电流?
2018-08-23 15:30:44
另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗
2022-12-22 18:10:27
时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
、N3的作用也不同。03 推挽(变压器中心抽头)式这种电路结构的特点是:对称性结构,脉冲变压器原边是两个对称线圈,两只开关管接成对称关系,轮流通断,工作过程类似于线性放大电路中的乙类推挽功率放大器。主要
2021-03-23 14:35:38
的反馈量。二极管D3和D4续流二极管,保护驱动级晶体管的开关变压器(T2)初选时产生的电压尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和R13为第四季度和Q7防止意外的开关ON下拉电阻。C10
2021-04-29 06:00:00
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 推挽结构
2015-03-08 15:32:18
前沿尖峰的一些抑制方法1、选用软恢复特性的肖特基二极管,或采用在整流管前串联电感的方法比较有效,或在开关管整流管的磁珠。磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料,等。2、在二次侧接入RC
2019-03-10 06:30:00
基于三极管的特性,将逻辑取反电路的参数进行了详细的计算,并给出了电阻取值的理由,但选型中没有对非常重要的一个器件——三极管进行分析。下面一起看看对于“逻辑取反”电路和常见的开关电源里面
2023-03-22 15:43:47
为什么电流源型逆变器中开关管要反串二极管呢?
2023-04-24 14:10:19
电压较高;由于变压器原边漏感的存在,功率开关管关断的瞬间,漏源极会产生较大的电压尖峰,另外输入电流的纹波较大,因而输入滤波器的体积较大。推挽电路图推挽电路(一)推挽电路(二)推挽电路(三)`
2011-11-02 10:27:38
最近在学STM32,看正点原子视频中对开漏输出和推挽输出的讲解视频时,发现原子哥对电路的讲解有一些错误,主要说关于MOS管的开关问题,查了一晚上资料,终于想明白了,特意发个文章分享一下。这是
2022-02-17 07:15:10
通转向截止时的关断时间相比很小,其对开关速度的影响很小,在分析讨论中主要考虑关断时间的影响。二极管开关时间延迟原因分析在半导体中存在两种电流,因载流子浓度不同形成的电流为扩散电流,依靠电场作用形成
2021-04-19 10:10:12
决定漏感大小的因素漏感是指没有耦合到磁心或者其他绕组的可测量的电感量.它就像一个独立的电感串入在电路中.它导致开关管关断的时候DS之间出现尖峰.因为它的磁通无法被二次侧绕组匝链。对于固定的已经制作
2011-08-09 11:48:52
压之和约为2UI.在实际中,变压器的漏感会产生很大的尖峰电压加在S2 两端,从而引起大的关断损耗,变换器的效率因受变压器漏感的限制,不是很高。在S1和S2 的漏极之间接上RC缓冲电路,也称为吸收电路
2018-09-29 16:43:21
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉
2021-11-24 07:22:11
1.单片机IO口开漏输出和推挽输出有什么区别?开漏输出:开漏输出只能输出低电平,如果要输出高电平必须通过上拉电阻才能实现。就类似于三极管的集电极输出。推挽输出:推挽输出既可以输出低电平,也可以输出
2021-12-07 06:13:45
可以输出高电平,可以直接驱动功耗不大的数字器件。推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。其原理图如下:当内部输出1电平时,上边的MOS管导通同时下边的MOS管截
2021-12-13 07:10:15
单片机端口的推挽方式和漏极方式的区别
2014-06-04 08:11:04
电容,Cj为输出二极管的结电容。图5为反激变换器工作在DCM工作模式时,开关管分别工作在(a)开通瞬间、 (b)开通阶段、 (c)关断瞬间和(d)关断阶段时,所对应的等效分析电路,Rds为开关管的漏源极
2018-10-10 20:44:59
2、试着将MOS管源极的电流采样电阻调大一点,也会使得漏极开机瞬间尖峰稍微减小,但也会导致低压无法启动。
请问是什么原因导致MOS管漏极开机瞬间电压很大?如何解决?
2023-10-09 23:06:47
承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了
2018-11-08 14:13:40
流过电阻,并且没有电压。通过以1 kHz的频率向MOSFET施加脉动信号,漏极输出遵循与栅极相同的波形,但具有反相。对于许多类型的开关设备,即使连接到电阻性负载,也会产生输出峰值,其特点是持续时间非常短
2020-09-09 16:04:44
的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此
2016-01-26 10:30:10
在开关电源中如何消除开关mos管漏极产生的振荡成份呢?
2023-05-09 14:56:25
,也称为吸收电路,用来抑制尖峰电压的产生。并且为了给能量回馈提供反馈回路,在S1和S2 两端都反并联上续流二极管FWD. 2开关变压器的设计 采用面积乘积(AP)法进行设计。对于推挽逆变工作开关
2018-09-29 16:55:57
开关电源设计中,我们常常使用到一个电阻串联一个电容构成的RC电路, RC电路性能会直接影响到产品性能和稳定性。如何设计既能降低开关管损耗,且可降低变压器的漏感和尖峰电压的RC电路?
2019-01-10 14:07:18
甚至继电器,但电阻的驱动是有限的,最大高电平输出电流=(vcc-Vh)/r; 另一种是互补推挽输出,采用2只晶体管,一只在上一只在下,上面的一只是n型,下面为p型(以三极管为例),两只管子的连接为
2019-05-24 09:07:33
高频逆变器推挽方式前级升压mos尖峰问题怎么解决驱动是sg3525,开环的时候波形很好, 当变压器副边升压到420V开始稳压的时候,sg3525就开始调整占空比这时候就有尖峰
2023-10-08 10:59:26
上的漏感尖峰电压应力及EMI辐射问题。图2常见的RCD吸收电路结构如图2(D1一般用快恢复二极管)。如果变压器设计不合理,漏感大的话,开关管管断时,漏感电压较大,振荡时间较长,导致MOS电压应力比较
2021-06-09 06:00:00
刚接触ATX电源部分,这个推挽电路是放大主开关管的,不明白为什么有方波发生时,三极管就会截止呢?
2023-04-28 14:50:37
概述副边整流二极管的尖峰开关电源产生噪声的主要部位是功率变换和输出整流滤波电路。包括开关管,整流管,变压器,还有输出扼流线圈,等。不采取任何措施时输出电压的峰值可能是输出基波的好多倍。出现在开关脉冲
2019-05-13 05:57:38
概述副边整流二极管的尖峰开关电源产生噪声的主要部位是功率变换和输出整流滤波电路。包括开关管,整流管,变压器,还有输出扼流线圈,等。不采取任何措施时输出电压的峰值可能是输出基波的好多倍。出现在开关脉冲
2019-04-08 08:30:00
现有的自激推挽式变换器由输入滤波电路、双极性推挽式电路和耦合变压器组成,由于输入端的电压通过电阻R、电容C′直接加在两个晶体管上。当电压较低时,晶体管能正常运行;而当输入电压较高时,因为与电阻R并联
2020-10-26 14:32:24
时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
:吸收是对电压尖峰而言。电压尖峰的成因:电压尖峰是电感续流引起的。引起电压尖峰的电感可能是:变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。引起电压尖峰的电流可能是:拓扑电流、二极管反向恢复
2021-06-02 16:18:47
很小。另外,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流突变,也会产生 尖峰干扰。
2009-10-13 08:33:24
的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率
2021-11-10 07:00:00
以是另一个开关三极管)总是交替地导通或者截止,图1中KQ和KD并非是理想器件,两种状态的转换需要一定的时间,这就产生了尖峰干扰。在状态转变过程中,该导通的开关没有完全导通,而该截止的开关却又没有截止的瞬间
2011-09-02 11:26:54
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件; 开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 推挽
2018-06-28 10:32:42
推挽输出了,大家说说推挽和漏极输出各有什么优劣吗?还有单片机输出到数字三极管是不是用PNP数字三极管更好些呢?希望用过的给个建议,小弟在此谢过了
2019-09-26 04:49:55
网上基本都是说,当MOS关断时,漏感会产生尖峰电压。那我想问下,当MOS管开通时,这个漏感就不会对MOS管产生影响吗?
2018-12-20 14:12:20
输入电压与二极管导通压降之和,因此和推挽电路相比,理论上半桥电路的开关管无电压尖峰。全桥电路也具备半桥电路的上述优点,但它需要数量较多的开关管,结构较复杂。本文利用半桥电路作为超声电机的驱动电路,分析了
2022-09-06 16:15:17
最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
使S2在关断时承受的电压是输入电压与感应电压之和约为2UI.在实际中,变压器的漏感会产生很大的尖峰电压加在S2两端,从而引起大的关断损耗,变换器的效率因受变压器漏感的限制,不是很高。在S1和S2的漏极
2018-10-10 17:00:06
高频变压器漏感的控制 高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。 减小高频变压器漏感两个切入点:电气设计、工艺
2011-07-11 11:40:21
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态存在弊端。
2011-09-13 15:29:574735 推挽式逆变器原理推挽式逆变器原理推挽式逆变器原理
2015-12-30 16:11:440 的死区处都长了一个长长的尖峰,这个尖峰对逆变器/UPS性能的影响和开关管Q1,Q2的威胁是不言而喻的,这里就不多说了。 二 Q1,Q2两管漏极产生尖峰的成因分析 从图1中可以看出,主电路功率元件是开关管Q1,Q2和变压器T1。 Q1,Q2的漏极引脚到TI初级两边走线存在分布电感,
2017-12-11 10:50:238 上上期我们提到了buck电路的开关的振铃波形,本质原因是LC的阻尼振荡。文章偏理论,那BUCK到底是怎么产生尖峰振荡呢? 问题 本期主要分析以下这两个问题: 1、死区时间是什么?这里有个小台阶
2021-07-06 08:56:3318617 逆变电源工程师设计之首选。正是因为看似简单的一个拓扑,确让很多设计师望而却步,因为推挽有一个最头疼的问题,电压尖峰。通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET,而MOSFET失效最多原因往往不是电流而...
2021-11-09 12:51:0025 产生尖峰电流的另一个原因是负载电容的影响。与非门输出端实际上存在负载电容 CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由 T4 对电容 CL 充电,因此形成尖峰电流。
2023-04-21 14:53:411764
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