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电子发烧友网>电源/新能源>电源新闻>CISSOID 推出 60A /1200V 高温电源模块 PLUTO

CISSOID 推出 60A /1200V 高温电源模块 PLUTO

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1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册

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2024-04-10 17:16:100

650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册

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2024-04-10 17:57:221

1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册

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2024-04-10 18:02:380

基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
2024-04-11 09:22:271998

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车规与工规两种等级。
2024-04-17 14:02:491619

先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品

在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块
2024-05-09 14:25:261354

Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

2.5nH超低电感的1200V SiC MOSFET三相全桥模块

1200V三相全桥碳化硅功率模块,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势,性价比超国外产品,适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。
2024-09-18 17:18:171723

森国科推出650V/60A IGBT

森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比,该模块采用了分段式栅极沟槽(SDA)结构,并通过可以控制
2024-11-14 14:59:192864

MBR6060PT肖特基二极管60V电压60A电流规格介绍

MBR6060PT肖特基二极管60V电压60A电流规格介绍
2024-11-25 17:05:471849

瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC 肖特基二极管(SBD)产品,助力高效大功率应用

为了满足高效、大功率变换系统应用需要,瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品,其中TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z满足车规级可靠性标准
2024-12-02 09:07:342155

森国科推出全新1200V/25A IGBT

森国科推出1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大工作结温扩大到175℃,有助于延长产品的使用寿命。
2024-12-04 16:16:281122

PTH04040W 60 A、3.3/5V 输入非隔离宽输出调节电源模块数据手册

PTH04040W 是一款高性能 60A 额定电流非隔离式电源模块,采用最新的 多相开关模式拓扑。这提供了一个小型的即用型模块,可以为大多数 密集的多处理器系统。
2025-04-23 10:20:34592

龙腾半导体推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速发展的当下,如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖,成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力,为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。
2025-04-29 14:43:471042

新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B,2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技术,电流等级涵盖75A
2025-05-13 17:04:461315

闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

,闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET,为电动汽车行业注入强劲新动能。
2025-05-14 17:55:021063

如何选择 1200V SiC(碳化硅)TO-247 单管的耐高温绝缘导热垫片?

近期,华为旗下海思技术有限公司正式进军碳化硅功率器件领域,推出了两款1200V工规SiC单管产品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,专门面向工业高温、高压场景场景。图片
2025-07-29 06:21:51680

新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ,配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A,配备
2025-07-31 17:04:34835

基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍

基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感,使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。
2025-09-15 16:53:03981

Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成

推出全新DualPack 3(DP3)系列电源模块。该系列模块采用先进IGBT7技术,提供1200V和1700V两种电压等级的六款产品,额定电流范围300–900A,旨在满足市场对紧凑、经济高效且简化的电源转换器解决方案的日益增长需求。
2025-09-17 15:45:45914

高温200℃的DC/DC开关电源模块应用与技术解析

200℃高温环境的DC/DC电源模块是专门为极端恶劣工况设计的特种电源,其应用、技术和挑战都与常规商业级或工业级产品有显著不同。 下面详细阐述200℃高温DC/DC电源模块的应用及相关内容。
2025-11-18 13:45:24317

探索POWERZ EXTREME STRIP/Ten6060A高功率系统的卓越之选

产品特性与优势 强大的功率输出 该系统每个电源刀片最高可提供60A的电流,并且采用双刀片供电设计。同时,它还具备分功率选项,可实现30A/30A的分配,总电
2025-12-18 11:25:09210

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