科锐首席执行官Gregg Lowe表示:“英飞凌具有很好的美誉度,是我们长期且优质的商业伙伴。这项协议的签署,体现了科锐SiC碳化硅晶圆片技术的高品质和我们的产能扩充,同时将加速SiC碳化硅基方案更为广泛的采用,这对于实现更快、更小、更轻、更强大的电子系统至关重要。”
2018-04-04 09:00:597450 以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性
2021-02-21 11:50:334081 碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术,相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181486 不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件,没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态,所涉及的电荷只有结耗尽区电荷,而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上图中两个串联的MOS,三电平变换器简化成传统两电平全桥变换器,如下图。 同时,我们将开关频率设定到160KHz,减小了磁性器件和整个变换器的体积。 8KW 碳化硅全桥LLC解决方案
2018-10-17 16:55:50
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
我们公司最近开发的新产品(人体感应/雷达感应开关,此产品用于控制照明灯具,当有人走过时亮灯一分钟,当人离开后自动熄灭),在批量生产时,对产品全检比较费时,因为要测试完一个开关的全部性能,要用到差不多
2016-04-26 22:29:28
。如下图,这是一个码表,我看到他的单片机封装得好奇怪,但我觉得应该是批量生产省成本的吧?我现在用来学习的89C52 是可以不断改写的,而我批量生产时,当然是不需要的是吧?问题是:我想要批量生产可以支持
2013-09-21 19:45:43
,因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。 (4)碳化硅器件可工作在高温,碳化硅器件已有工作在600oC的报道,而硅器件的最大工作温度仅为150oC. (5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
每小时几米。 然而,该工艺不适合SiC体积增长。对于碳化硅生产,必须使用称为物理蒸汽传输(PVT)的工艺。该过程在腔室顶部使用晶种,在其下方有SiC源材料,其加热温度约为2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V、1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻,然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性,碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
上,对介电常数要求严格,虽然有低温共烧陶瓷,仍然无法满足他们的要求,需要一种性能更好的升级产品,建议可以使用富力天晟的碳化硅基板;因应汽车需求而特别开发的产品(如IC 载板、软板、银胶贯孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
。 总结 与硅替代品相比,SiC MOSFET 具有一系列优势,再加上其在硬开关应用中的鲁棒性,使其值得在最有效的功率转换应用中加以考虑。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC™ MOSFET 技术在经济上更加可行,适合那些将功率转换推向极限的用户。
2023-02-23 17:11:32
。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应,并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中,能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始,随着温度的提高,氧化程度愈为明显,到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
商用。 碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用,至今已有20年商用积累,并在部分高中端电源市场批量应用,逐步向通用市场渗透,具备广阔的市场前景。 碳化硅材料在禁带宽度和临界击穿场强等关键特性上具有
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
度又决定了碳化硅(SiC)陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。其优点主要可以概括为以下几点:1) 高温工作SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构,其能带宽度可达2.2eV至3.3eV,几乎是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
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2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
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2018-06-22 11:09:47
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
基本半导体推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)为例,从理论上来解释TO-247-4中辅助源
2023-02-27 16:14:19
,从而能够改善应用终端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大规模生产。现在,研究和开发人员正致力于收集有关的资料来验证以上的结论。森勇介教授,日本大坂大学,在以上研究和开发活动中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
由米勒电容引起的寄生导通效应,常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应,在硬开关变流器的栅极驱动设计中,通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET
2023-02-27 13:53:56
系统能做得越小巧,则电动车的电池续航力越高。这是电动车厂商之所以对碳化硅解决方案趋之若鹜的主要原因。相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地,氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散,与碳化硅
2021-09-23 15:02:11
分享一款 我们公司开发的产品 已经批量生产 不谢!
2015-08-06 18:23:31
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术,2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
,换向电感只能在DBC设计的限制范围内得到改善。由此产生的换向电感约为 20nH,对于 6 组功率模块,这允许在中低功率范围内使用全 SiC 模块。在全碳化硅中,MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
75A的混合碳化硅分立器件,并同时推出了TO-247-3和TO-247-4封装(如上图),使得客户在不需要更改电源电路和PCB的基础上,直接进行Pin To Pin替换验证测试及使用,在同样的设计系统中
2023-02-28 16:48:24
特点, 高压输入隔离DC/DC变换器的拓扑可以得到简化(从原来的三电平简化为传统全桥拓扑)。碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势:高阻断电压可以简化拓扑设计,电路从复杂三电平变为两电平全
2016-08-05 14:32:43
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上,使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小,极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
工作频率;(3) 由于拓扑简化,采用硅600V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通,所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1200V碳化硅MOSFET要大;(4) 低寄生电容
2016-08-25 14:39:53
10μs,在设计硅IGBT的短路保护电路时,建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2)碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs,要求短路保护在3
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级))、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
2016年5月10日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不过,自 1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:4554 罗姆碳化硅产品介
2018-02-24 17:06:2914 具体来说,在新能源发电系统中,采用碳化硅技术能够达到的更高的效率意味着其能够更早地替代传统的石化燃料发电。英飞凌为光伏串组串逆变器的升压和逆变部分提供量身定制的模块系列,可以提升的逆变器效率和性能。在充电桩应用中,英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度,从而使充电设备变得更加轻巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 据外媒报道,在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上,英飞凌(Infineon)推出了首款车用碳化硅产品,肖特基(Schottky)二极管,并为其新创了一个品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 碳化硅概念股有哪些?碳化硅国内企业有哪些?国内碳化硅产业链企业盘点分析:英飞凌以1.39亿美元收购初创企业Siltectra,获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上,进一步加码
2018-12-06 16:08:00138136 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场。日前,在英飞凌科技举办的媒体见面会上,该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216460 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48990 碳化硅(SiC)电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。而比亚迪已经开始布局。
2020-12-25 16:52:122632 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 与业内人士交流互动产品和应用技术。 借英飞凌碳化硅20周年之际,9月10日,我们在展会会场,隆重举办第三届碳化硅应用技术发展论坛,敬请莅临。 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置
2021-08-24 09:31:502748 中,基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善,产品竞争力再度提升,将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 高端数字化智能工厂。 该基地将于2022年3月进行小批量试生产,年中实现量产交付,2022年产能为25万只模块,2025年之前将提升至150万只。 本文图源 基本半导体 这是基本半导体针对即将迎来爆发期的新能源汽车碳化硅市场,提前布局、抢
2021-12-31 10:55:432795 新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET(M1H),首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
2022-06-14 09:47:191258 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065309 TI WiLink 8Q汽车连接产品系列开始批量生产
2022-11-04 09:52:410 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021979 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上,浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:452 具有竞争力的碳化硅来源。天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料,其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。】 英飞凌是国际著名的半导体公司,其前身是西门子集团的半导体部门,英飞凌技术实力雄厚,在功
2023-05-04 14:21:06438 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 如果要说当前半导体行业最热的话题是什么,无疑是第三代半导体,而这其中SiC毋庸置疑是最引人注目的当红“炸子鸡”。英飞凌自1992开始着手于碳化硅的研究,在长达30年的时间里,英飞凌不断地进行技术打磨
2023-05-19 10:27:03592 伴随着这座采用领先前沿技术 200mm 碳化硅制造工厂的建设和产能扩充计划的执行,莫霍克谷器件工厂已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅 MOSFET,首批供应的产品型号为 C3M0040120K。莫霍克谷器件工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样品申请,并批量出货中国市场。
2023-07-05 10:31:44370 根据Wolfspeed的最新消息,随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产,Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET,首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14375 在碳化硅产业链中,碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57930 11月14日,英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能,荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖,再次展现了英飞凌在碳化硅领域的技术创新能力
2023-12-21 08:14:09304 材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14292 在全球范围内,有多家企业生产IGBT/碳化硅模块,以下是一些知名的企业。
2024-01-25 14:01:22372 碳化硅(SiC)技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键,英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技术,也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标,扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:26239 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125
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