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电子发烧友网>市场分析>3 D晶片面临的最大问题 - 前沿技术:前进到7nm没有问题

3 D晶片面临的最大问题 - 前沿技术:前进到7nm没有问题

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2023-06-06 09:23:121071

前沿技术】2D电子气的成功可视化

以下文章来源于ACT化合物半导体 ,作者化合物半导体杂志 日本团队在GaN基半导体界面直接观察2D电子气 由Naoya Shibata领导的东京大学的一个小组与索尼合作,成功地直接观察到了在GaN基半导体界面积累的2D电子气。 基于GaN的器件被用作高效的LED和激光二极管。由于其高介电击穿强度和饱和电子速度,它们有望被用作下一代通信高频器件和功率转换功率器件。 特别是,GaN HEMT在半导体界面处产生一层被称为2D电子气的累积电子。电子可以在该层中高速移动
2023-06-02 17:33:27265

请问mm9z1J638的wafer有多少nm

mm9z1J638的wafer有多少nm
2023-05-31 07:34:37

请问PCA2129的wafer有多少nm

PCA2129的wafer有多少nm
2023-05-29 08:50:39

请问SPC5644的wafer有多少nm

SPC5644的wafer有多少nm
2023-05-25 08:46:07

请问S9S12G128的wafer有多少nm

S9S12G128的wafer有多少nm
2023-05-24 07:38:27

MAXIEYE荣获智能网联汽车创新应用及前沿技术金奖

2023中国(亦庄)智能网联汽车科技周暨第十届国际智能网联汽车技术年会(CICV2023)在北京落下帷幕,同期举办的科技创新发布活动——“2023智能网联汽车创新应用及前沿技术”专场发布会也于现场
2023-05-23 15:20:52687

【内容激励】前沿资讯内容扶持计划

。 鼓励发布内容 电子发烧友平台鼓励各企业在规定小组板块(电子行业动态 )发布最新的产品技术动态和最新的前沿资讯。(如:纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列 等最新资讯内容)拒绝包含联系方式
2023-05-19 16:49:18

505nm、785nm、808nm、940nm激光二极管TO56 封装、 500mW 100mw

808nm 激光二极管 TO56封装 500mW XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07

本书评价

非常前沿又实用的一本书,值得追求前沿技术的嵌入式开发工程师拥有
2023-05-09 08:23:34

multisim仿真了一个升压电路,准备做出来,有没有朋友帮忙看看器件的选型有没有问题

NE555输出一个方波信号,经过一个推挽放大电路,经过变压器升压,再进行倍压整流,由于负载有类似电容的性质,加了一个泄放电路,有没有朋友帮忙看看电路有没有问题,或者器件的的选型有没有什么建议。
2023-04-08 23:30:49

自智网络前沿技术白皮书

将 AI 技术与通信网络的硬件、软件、系统等深度融合,助 力使能业务敏捷创新、网络运营智能、构建智慧内生网络。  自智网络围绕“单域自治,跨域协同”的核心思想,分层次构建 体系化能力,实现全场景网络自动化和智能化,其目
2023-03-29 16:30:571

Chiplet无法规模化落地的主要技术难点

随着 AI、数字经济等应用场景的爆发,对算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不断提高,业界芯片的制造工艺从 28nm7nm 以 下发展,TSMC 甚至已经有了 2nm 芯片的风险量产规划。
2023-03-28 13:48:15892

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