深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，掌握第三代半导体碳化硅功率器件国际领先的工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术。萨科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。
2024-03-08 10:32:39
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2023年，东芝半导体的功率器件销售额估计约为1000亿日元，其中35%用于汽车市场，20%用于工业市场。
2024-03-04 18:10:33301 2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片
2024-02-29 14:09:14233 Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
在清洁能源、电动汽车的发展趋势下，近年来第三代半导体碳化硅和氮化镓受到了史无前例的关注，市场以及资本都在半导体行业整体下行的阶段加大投资力度，扩张规模不断扩大。在过去的2023年，全球第三代半导体
2024-02-18 00:03:002542 服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:55:55
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:53:16
电子发烧友网报道（文/刘静）在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域的需求带动下，第三代半导体市场近几年高速增长。尽管今年半导体经济不景气，机构投资整体更理性下，第三代半导体企业的融资仍加速狂飙
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半导体以此特有的性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。2020年9月，第三代半导体被写入“十四五”规划，在技术、市场与政策的三力驱动下，近年来国内涌现出多家第三代半导体领域龙头公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23523 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 的分析与展望。 Cambridge GaN Devices（CGD） 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 CGD由剑桥大学
2023-12-26 14:15:215596 
芯联集成已全力挺进第三代半导体市场，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设。短短两年间，芯联集成便已成功实现技术创新的三次重大飞跃，器件性能与国际顶级企业齐肩，并且已稳定实现6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大规模生产。
2023-12-26 10:02:38247 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 泰克科技 “2023 行家极光奖”颁奖典礼于12月14日在深圳隆重举行，数百家SiCGaN企业代表出席了本次活动，共同见证了第三代半导体产业的风采。 业内
2023-12-21 17:40:02266 
半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
2023-12-21 15:12:20817 
家 SiC、GaN 企业代表来共同见证第三代半导体的蓬勃发展。Nexperia（安世半导体）荣获权威认证，将「SiC年度优秀产品奖」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了其作为基础半导体全球领导者的强大实力与深耕三代半领域的决心。
2023-12-21 11:37:25681 12月14日，第三代半导体行家极光奖在深圳重磅揭晓，派恩杰半导体荣膺“中国SiC器件Fabless十强企业”称号。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)和“第三代半导体标准与检测研讨会”成功召开，是德科技参加第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)，并重磅展出第三代半导体动静态测试方案
2023-12-13 16:15:03240 
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“氮化镓功率电子器件技术分论坛”上，台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘
2023-12-09 14:49:03921 
以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场，高电子饱和速度，高频和高功率等特性，在射频和电力电子器件领域具有巨大的性能优势。
2023-12-09 10:28:39746 
新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN 多种异质结构。
2023-11-17 16:18:35162 
2023年10月25日 - 2023全国第三代半导体大会今日在深圳宝安格兰云天国际酒店四楼会议厅隆重开幕。本届大会由今日半导体主办，吸引了来自全国各地的400多家企业参与，共同探讨第三代半导体产业的发展趋势和应用前景。
2023-11-06 09:45:31234 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40707 
功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已经在手机快充上大量出货。国内苏州捷芯威也推出了蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V
2023-10-18 15:59:20
1 近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。
在传统的硅基材料中，电力电子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安电子科技大学表示，该项目竣工后，将具备6至8英寸氮化镓晶片生长、工程准备、密封测试等整个工程的研发和技术服务能力。接着革新中心是第三代半导体技术公共服务平台和产业，围绕国家第三代半导体产业的重大战略需求为中心，5g通信、新能源汽车等领域的、芯片和微系统模块的开展关键技术研发。
2023-09-25 11:20:56840 随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代，能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始成为市场宠儿，开启了第三代半导体的新纪元。
2023-09-22 15:40:41476 
年，GaN器件将达到整个功率半导体市场的2.7%，市场规模仅为20.36亿美元。 图注：GaN市场预测（芯查查制表，数据来源：Yole）作为第三代半导体材料，GaN被看好是因为其具有比硅更佳的电气特性，另一个关键点是成本在逐步降低，市场趋势表明，GaN器件将在成本上与MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211626 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。
2023-09-19 15:55:20890 
新能源汽车和光伏、储能设施在全球加速普及，为第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。 长电科技厚积薄发定位创新前沿，多年来面向第三代半导体功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢冰部长及马鞍山市委书记袁方共同为北大-东科联合研发中心揭牌。图左为袁方书
2023-09-19 10:07:33452 
能与成本?未来有何发展目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，以提高设备性能和效率，并成为当前半导
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿,多年来面向第三代半导体功率器件开发
2023-09-18 16:11:25261 Ⅲ—Ⅴ族半导体。我国使用的“第三代半导体材料”一词，对应的是人类历史上大规模应用半导体材料所带来的三次产业革命。目前，第三代半导体发展迅速，第一、第二代半导体在工业中仍得到广泛应用，在第三代半导体中发挥着不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:271932 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，GaN基功率器件明显优于硅基器件。
GaN晶体可以在各种
2023-09-08 15:11:18535 
。面对新材料、新器件和新特性在设计、生产和使用中的全新挑战， 泰克结合多年在第三代半导体产业的丰富经验和领先的功率器件动态参数测试系统为客户提供支持服务 ，同时在北京成立第三代半导体测试实验室，帮助行业内客户、合作
2023-09-04 12:20:01233 据锡山经济技术开发区消息，芯动第三代半导体模块将在测试项目主体上盖屋顶，10月土木工程竣工，12月底投产。凯威特斯半导体设备配件再制造事业已经完成了第一次竣工和第二次主体屋顶工程，计划于今年12月竣工，2024年3月批量生产。
2023-08-31 09:25:07447 据融合资产消息，此次融资后融合资产将在芯片生产线、家具用、工商能源储存、充电包、新能源汽车等多个领域展开合作，帮助建设第三代半导体智能电力模块生产线。
2023-08-30 09:24:55228 随着科技的不断进步，新的半导体材料正在为整个电子行业带来深刻的变革。在这场技术革命的前沿，第三代半导体材料崭露头角。与前两代半导体材料相比，第三代半导体在高温、高压、高频等应用环境中展现出了更为出色的性能。从材料分类的角度来看，第三代半导体材料主要可以分为以下四类。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57347 近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业主办，西安电子科技
2023-08-04 11:28:56920 
来源：内容转自公众号21tech（News-21），作者：李强。于代辉英飞凌科技高级副总裁英飞凌科技零碳工业功率事业部大中华区负责人减碳趋势下的节能、高效需求同样给第三代半导体的登场搭好了舞台。过去
2023-07-06 10:07:54367 
半导体是当今世界的基石，几乎每一项科技创新都离不开半导体的贡献。过去几十年，硅一直是半导体行业的主流材料。然而，随着科技的发展和应用需求的增加，硅材料在一些方面已经无法满足需求，这促使第三代半导体
2023-07-05 10:26:131316 
在电源与能源应用领域，意法半导体将展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能电源适配器。其中MASTERGAN在一个单一封装内整合了意法半导体第三代氮化镓（GaN）功率晶体管和改进的栅极驱动器。
2023-06-30 16:33:45475 据蓝色空港消息，先进半导体制造项目主要从事第三代半导体功率器件的设计、研发、制造、功率器件clip先进工程包装、电力驱动产品应用方案的开发和销售。该项目总投资8亿元，分三期建设，一期投资2亿元，计划建设6条clip先进包装生产线。
2023-06-27 10:31:18602 据公告，此次建设的第三代半导体输出配件生产项目位于湖北省武汉市东湖新技术开发区，总投资额约为60亿元，包括36亿元股权融资和24亿元银行贷款。构筑第3代半导体外延、晶片制造、组装测试等生产线的该事业，将具备能够生产6英寸硅晶片及外延36万个、输出配件模块6100万个的能力。
2023-06-27 09:54:38539 继第一代和第二代半导体技术之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料和器件，是发展大功率、高频高温、抗强辐射和蓝光激光器等技术的关键核心。因为第三代半导体的优良特性，该半导体技术逐渐成为了近年来半导体研究
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
近年来，随着技术的不断发展和计算机应用范围的不断扩大，半导体技术变得愈加重要。在半导体技术的发展历程中，第三代半导体技术的出现为半导体技术的发展带来了新的变革。
2023-06-20 16:55:22611 
国家第三代半导体技术创新中心（以下简称“国创中心”）获批建设两年以来，瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以关键技术研发为核心使命，进一步推动我国第三代半导体产业发展，形成立足长三角、辐射全国的技术融合点和产业创新的辐射源。
2023-06-19 14:55:451660 GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
随着全球宏观环境的逐步恢复，SiC/GaN等第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，值此之际，TrendForce集邦咨询于6月15日在在深圳举办了“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”，汇聚
2023-06-16 15:37:32964 随着全球宏观环境的逐步恢复，SiC/GaN等第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，持续搅动新能源汽车、光伏储能、工业电源、通讯基站等高压高功率应用领域的一池春水。 值此之际
2023-06-16 09:38:26487 
当前，第三代半导体中的碳化硅功率器件，在导通电阻、阻断电压和结电容方面，显著优于传统硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势。面对当前行业发展新趋势，威迈斯等新能源汽车
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科技部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异的性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大的市场。
2023-06-15 11:14:08313 为期四天的2023广州国际照明展览会（简称：光亚展）在火热的气氛中圆满落幕。此次展会，国星光电设置了高品质白光LED及第三代半导体两大展区，鲜明的主题，引来了行业的高度关注。 其中，在第三代半导体
2023-06-14 10:02:14437 
近几年碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体异常火热，国内外很多半导体企业都涌入其中。据Yole Développement统计，2021全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元，预计
2023-06-08 09:40:301692 
第三代半导体设备 第三代半导体设备主要为SiC、GaN材料生长、外延所需的特种设备，如SiC PVT单晶生长炉、CVD外延设备以及GaN HVPE单晶生长炉、MOCVD外延设备等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
在功率半导体市场，自2021年第二季度以来，器件制造商的积压订单有所增加。因此，2021年全球市场规模将达到223.7亿美元，同比增长20.1%。预计 2022 年的订单将保持强劲，但由于半导体制造所用设备和材料的需求紧张，预计全球功率半导体市场将同比增长 6.8% 至 238.9 亿美元。
2023-06-02 16:05:33553 
2022年，全球半导体产业连续高增长，进入调整周期。与此形成对比，在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，第三代半导体产业保持高速发展，全球化供应链体系正在形成，竞争格局逐步确立，产业步入快速成长
2023-05-30 14:15:56534 
确立，产业步入快速成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用市场推进。随着我国分立器件企业产品
2023-05-26 14:24:29
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求。目前最流行的WBG材料是SiC和GaN，它们的带隙分别达到3.3eV和3.4eV，属于新兴的半导体材料。
2023-05-18 09:49:24524 
第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
第三代半导体以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
GaN是第三代半导体材料，具有许多传统硅半导体所不具备的优良特性，因此被视为新一代半导体技术，具有非常广阔的应用前景。随着 GaN功率器件技术的成熟， GaN功率器件已广泛应用于数据中心、通讯基站
2023-04-21 14:05:42831 中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WTO，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子
2023-04-14 16:00:28
中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WTO，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子
2023-04-14 13:46:39
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-04-04 14:46:2912680 氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而，散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝（AlN）作为过渡层连接到具有高导热系数的衬底上。
2023-03-24 10:37:04570
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