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LTC4444-5 100V同步MOSFET驱动器

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2025-02-21 09:28:211067

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,带集成驱动器介绍

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器100V 连续 120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流版本,LMG3100R017 为 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521063

应用笔记:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,带集成驱动器

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器100V 连续 120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流版本,LMG3100R017 为 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11926

MP1918数据手册#100V、高频、半桥 GaN/MOSFET 驱动器

MP1918 是一款 100V 半桥驱动器,用于在半桥或同步应用中驱动具有低栅极阈值电压的增强型氮化镓 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件:MP2797 中文数据手册.pdf
2025-03-01 15:41:061652

TPS4800-Q1 具有保护和诊断功能的汽车级 100V 低 Iq 高压侧驱动器数据手册

TPS48000-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 100V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V–95V 的宽工作电压范围,适用于 12V、24V 和 48V 系统设计。该器件可以承受并
2025-05-06 13:37:11594

TPS4810-Q1 汽车级 100V 低 Iq 双通道高侧驱动器,具有短路保护和诊断功能数据手册

TPS48100-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 100V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V–95V 的宽工作电压范围,适用于 12V、24V 和 48V 系统设计。该器件可以承受并
2025-05-06 13:44:09686

TPS4813-Q1 汽车级 100V 低 Iq 高侧驱动器,具有低功耗模式和可调短路保护功能数据手册

TPS48130-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 100V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V–95V 的宽工作电压范围,专为 12V、24V 和 48V 系统设计而设计。该器件可以
2025-05-06 14:38:32628

LM5109系列 100V / 1A 峰值半桥栅极驱动器数据手册

LM5109 是一款低成本高电压栅极驱动器,旨在以同步降压或半桥配置驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达 100V 的电源轨电压下工作。输出由 TTL 兼容输入阈值
2025-05-21 14:26:131049

LM5107系列 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器数据手册

LM5107 是一款低成本、高电压栅极驱动器,旨在驱动高压侧 以及采用同步降压或半桥配置的低侧 N 沟道 MOSFET。这 浮动高压侧驱动器能够在高达 100V 的电源轨电压下工作。输出为 通过
2025-05-21 14:49:34640

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V半桥驱动器数据手册

Analog Devices Inc. LTC7068 150V半桥驱动器是一款半桥双N沟道MOSFET栅极驱动器,在高达150V的输入电压下工作,具有独立于电源的三态脉宽调制 (PWM) 输入逻辑
2025-06-06 10:29:16716

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7065-AZ 评估板数据手册

和1.6Ω上拉MOSFET驱动器,能够以半桥配置驱动两个100V N沟道MOSFET。PWM输入控制与5V逻辑兼容,可控制两个栅极输出,其中一个输出与另一个输出形成互补。该评估板具有若干未占用的PCB焊盘,可帮助用户针对特定应用定制评估板。
2025-06-06 15:40:21767

Analog Devices Inc. LTC7065半桥双N沟道MOSFET驱动器数据手册

Analog Devices Inc. LTC7065半桥双N沟道MOSFET驱动器是一款栅极驱动器,在高达100V的输入电压下工作,具有独立于电源的三态PWM输入逻辑。强大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49913

Analog Devices Inc. LTC7063半桥驱动器数据手册

Analog Devices Inc. LTC7063半桥驱动器驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET,供电电压高达140V。高侧和低侧驱动器可以通过提供瞬态抗扰度和噪声来驱动具有不同接地
2025-06-14 16:36:57833

DK5V100R10VN 东科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是一款简单高效率的同步整流芯片。芯片内部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管
2025-07-05 15:53:440

具有可选同步 MOSFET 驱动器的 28 V 降压 DC-DC 控制 skyworksinc

电子发烧友网为你提供()具有可选同步 MOSFET 驱动器的 28 V 降压 DC-DC 控制相关产品参数、数据手册,更有具有可选同步 MOSFET 驱动器的 28 V 降压 DC-DC 控制
2025-07-25 18:30:53

‌DRV8300 100V三相BLDC栅极驱动器技术文档总结

DRV8300是100V三半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该DRV8300D使用集成自举二极管和用于高侧 MOSFET 的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。该
2025-10-14 15:30:54804

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