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FFSB20120A-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 1200V

数据：数据表：碳化硅肖特基二极管 - 1200 V，20 A.

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流，温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI，以及降低的系统尺寸和成本。

特性
最高结温175°C
雪崩额定200 mJ
高浪涌电流容量
正温度系数
易于平行
无逆向恢复/无正向恢复
AEC-Q101合格且PPAP能力

应用
汽车HEV-EV车载充电器汽车HEV-EV DC-DC转换器

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

数据表：碳化硅肖特基二极管 - 1200 V，20 A.

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