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FFSP3065B-F085 汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管 650 V

数据:

碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度无关的开关特性,以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和系统尺寸。成本
特性
  • 最高结温175C
  • 雪崩额定144 mJ
  • 高浪涌电流容量
  • 正温度系数
  • 易于平行
  • 无逆向恢复/无正向恢复
  • AEC-Q101合格且支持PPAP
应用
  • 汽车HEV-EV车载充电器
  • 汽车HEV-EV DC -DC转换器

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(5)
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