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FFSH1065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V

数据：数据表：碳化硅肖特基二极管，650 V，10 A.

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI以及更小的系统尺寸和系统尺寸。成本

特性
最高结温175C
雪崩额定值51 mJ
高浪涌电流容量
正温度系数
易于平行
无逆向恢复/无正向恢复
AEC-Q101合格

应用
汽车HEV-EV车载充电器汽车HEV-EV DC-DC转换器

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（5）

数据表：碳化硅肖特基二极管，650 V，10 A.

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