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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

NSBC115TDP6 双NPN双极数字晶体管（BRT）

数据：数据表：双NPN偏置电阻晶体管R1 =100kΩ，R2 =∞kΩ

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。 BRT通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

特性
简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用的S和NSV前缀; AEC-Q101合格且PPAP能力
这些器件均为无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（4）

数据表：双NPN偏置电阻晶体管R1 =100kΩ，R2 =∞kΩ

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