NLAS5223B 模拟开关 双SPDT 0.5欧姆
数据:
数据表:模拟开关,双SPDT,超低0.5欧姆
NLAS5223B是采用亚微米硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件是双独立单刀双掷(SPDT)开关,具有0.5欧姆的超低RON,VCC = 3.0 V。该器件还具有保证断路前(BBM)开关,确保开关不会使驱动器短路。 / div>
特性 |
|
- NLAS5223B接口采用2.8 V芯片组,NLAS5223BL接口采用1.8 V芯片组
|
|
|
- 高离子通道隔离,低待机电流,50 nA,低失真,RON平坦度为0.15欧姆
|
应用 | 终端产品 |
- 手机音频模块
- 扬声器和Earph一开关
- 振铃音/芯片/放大器切换
- 调制解调器
| |
电路图、引脚图和封装图