NLAS4599是一款先进的高速CMOS单刀双掷模拟开关,采用硅栅CMOS技术制造。它实现了高速传播延迟和低导通电阻,同时保持低功耗。该开关控制模拟和数字电压,这些电压可能在整个电源范围内变化(从V CC 到GND)。
设备的设计使得导通电阻(R <输入电压> sub )比典型CMOS模拟开关的R ON 更低且更线性。
通道选择输入与标准CMOS输出兼容;通过上拉电阻,它与LSTTL输出兼容。
无论电源电压如何,当施加0 V和5.5 V之间的电压时,通道选择输入结构可提供保护。此输入结构有助于防止由电源电压引起的器件损坏 - 输入/输出电压不匹配,备用电池,热插拔等。
特性 |
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- 低功耗:I CC = 2 mA(Max),T A = 25°C
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- ESD性能:HBM> 2000 V; MM> 200 V,CDM> 1500 V
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电路图、引脚图和封装图