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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

NLAS3899 模拟开关双DPDT 低RON 低电容

数据：数据表：模拟开关，双DPDT，低RON，低电容

NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，专为低功耗音频和双SIM卡应用而设计。低RON3.0Ω（典型值）非常适合将音频信号路由到中等阻抗负载或从中等高阻抗负载路由。此外，20 pF（典型值）的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高带宽，非常适合双SIM卡应用。

特性
单一供应运作; 1.65至4.3 VV _CC
低导通电阻（3.0 V典型值跨越V _CC）
低C _ON（20 pF典型值）
带宽280 MHz
最大击穿电压：5.5 V
低静态功率
1.8 V芯片组接口

应用	终端产品
双SIM卡数据切换手机扬声器/麦克风切换铃声芯片/放大器切换四个不平衡（单端）开关	智能手机平板电脑 VoIP手机

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

数据表：模拟开关，双DPDT，低RON，低电容

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