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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

NCP5181 MOSFET / IGBT驱动器高压高压侧和低压侧双输入

数据：数据表：高压高侧和低侧驱动器

NCP5181是一款高压功率Mosfet驱动器，提供两路输出，用于直接驱动以半桥（或任何其他高端+低端配置）布置的2 N沟道功率Mosfet。自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个独立输入来适应任何拓扑（包括半桥，非对称半桥，有源钳位和全桥）。

特性
高压范围：高达600 V
dV / dt抗扰度50 V / nsec
栅极驱动器电源范围为10 V至20 V
高低DRV输出
输出源/灌电流能力1.1 A / 2.4 A
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
输入引脚上的Vcc摆动
两个通道之间的匹配传播延迟
带输入的相位输出
适应所有拓扑的独立逻辑输入
在两个通道的VCC LockOut（UVLO）下
引脚到引脚兼容与IR2181（S）

应用
UPS系统的桥式逆变器大功率能源管理半桥电源转换器全桥转换器任何互补驱动转换器（非对称半桥，有源钳位）

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（10）

数据表：高压高侧和低侧驱动器

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