NCP51820 用于GaN功率开关的高性能 650 V半桥栅极驱动器

NCP51820高速栅极驱动器旨在满足离线半桥电源拓扑中驱动增强模式（e模式）和栅极注入晶体管（GIT）GaN HEMT电源开关的严格要求。 NCP51820提供短而匹配的传播延迟以及高端驱动的-3.5 V至+650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护GaN功率晶体管的栅极免受过大的电压应力，两个驱动级都采用专用的电压调节器来精确地保持栅极 - 源极驱动信号幅度。 NCP51820提供重要的保护功能，如独立欠压锁定（UVLO）和IC热关断。

特性	优势
650 V，高侧和低侧栅极驱动器	AC / DC设计的设计余量
最大50 ns的快速传播延迟	适合高频操作
最大匹配传播延迟为5 ns	提高效率并允许并联
200 V / ns dV / dt等级所有SW和PGND参考电路	高开关频率应用的稳健设计
单独的源和接收器输出引脚	允许控制EMI调整的上升和下降时间
受管制具有独立UVLO的5.2 V栅极驱动器，用于高侧和低侧输出级	GaN电源开关的最佳驱动和简化设计
QFN 4 mm x 4 mm 15引脚封装和优化引脚	小PCB印迹，减少寄生，适合高频操作

应用	终端产品
谐振转换器半桥和全桥转换器有源钳位反激转换器图腾柱无桥PFC	OLED电视电源高功率游戏适配器美元PD手机和笔记本旅行适配器服务器/云数据中心离线电源工业逆变器和电机驱动器