NCV8570B LDO稳压器 200 mA 低压差超高PSRR 超低噪声

数据：数据表：200 mA，超低噪声，高PSRR，BiCMOS RF LDO稳压器

NCV8570B是一款200 mA低压降线性稳压器，具有超低噪声特性。它的低噪声与高电源抑制比（PSRR）相结合，使其特别适用于射频，音频或成像应用。该器件采用先进的BiCMOS工艺制造，可提供低噪声和出色动态性能的强大组合，但在满载时具有极低的接地电流消耗。 NCV8570B具有小而低值的电容，可以使设计人员最大限度地减少解决方案占用的PCB空间。该器件采用小型2x2.2mm DFN6封装和TSOP-5封装。

特性	优势
工作输入电压范围：2.5V至5.5V	非常适合电池供电的应用
高纹波抑制比：典型值。 82dB @ 1kHz	有效过滤供电线路噪音
超低输出噪声：典型值。从10Hz到100kHz的10μVr	非常适合噪声敏感应用
输出电容低至1μF时稳定	小溶液尺寸
主动排放	快速关闭
低睡眠模式当前：最大。 1A	电池供电应用中延长电池寿命
AECQ100合格且PPAP能力	适合用于自动应用
输出电压选项：1.8V，2.8V，3.0V，3.3V
限流保护
热关机保护
输出电流限制：最小值。 200mA
Typ的空载接地电流。 70μA
典型的满载接地电流。 75μA
输出电压精度：±2.5％过载/线路调节和温度

应用	终端产品
音频/视频，射频部分电源噪声敏感应用，如射频接收器和传输器	GPS模块便携式/内置DVD娱乐系统卫星和高清无线电用于车道变换检测和反向视图的摄像机

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

数据表：200 mA，超低噪声，高PSRR，BiCMOS RF LDO稳压器

元器件购买 NCV8570B 相关库存

搜索历史

NCV8570B LDO稳压器 200 mA 低压差超高PSRR 超低噪声

电路图、引脚图和封装图

技术文档

相关阅读

CMOS相关文章

CMOS相关下载

接收器相关文章

接收器相关下载

超低噪声相关文章

超低噪声相关下载

aec相关文章

aec相关下载

ON相关文章

搜索历史

NCV8570B LDO稳压器 200 mA 低压差 超高PSRR 超低噪声

电路图、引脚图和封装图

技术文档

相关阅读

CMOS相关文章

CMOS相关下载

接收器相关文章

接收器相关下载

超低噪声相关文章

超低噪声相关下载

aec相关文章

aec相关下载

ON相关文章

NCV8570B LDO稳压器 200 mA 低压差超高PSRR 超低噪声